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PID2020-117201RB-C21

Financiado

NUEVOS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFETS DE DIAMANTE CON CANAL OPTO-ACTIVA...

NUEVOS CONFIGURACIONES DE PUERTAS PARA MISFETS DE DIAMANTE CON CANAL OPTO-ACTIVADO :CRECIMIENTO Y CARACTERIZACION ENTRE LOS DIFERENTES OBJETIVOS DEL PROYECTO, LA UCA SE CENTRARA EN LOS RELACIONADOS CON EL CRECIMIENTO MPCVD DE DIAMOND, SU CARACTERIZACION (ESPESORES DE CAPA Y NIVEL DE DOPADO, CALIDAD CRISTALINA, ,,,) Y LOS RELACIONADOS CON LA C... ver más

01/01/2020

UCA

229K€

Presupuesto del proyecto: 229K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1442

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1442

Presupuesto del proyecto 229K€

Descripción del proyecto ENTRE LOS DIFERENTES OBJETIVOS DEL PROYECTO, LA UCA SE CENTRARA EN LOS RELACIONADOS CON EL CRECIMIENTO MPCVD DE DIAMOND, SU CARACTERIZACION (ESPESORES DE CAPA Y NIVEL DE DOPADO, CALIDAD CRISTALINA, ,,,) Y LOS RELACIONADOS CON LA CARACTERIZACION DEL DISPOSITIVO COMO EL BAND-SETTING ENTRE LAS CAPAS DE LA PUERTA, EL BANDGAP DE CAPAS INDIVIDUALES COMO LA DE H-BN (POR VEELS Y CL) O EXPERIMENTOS ESPECIFICOS RELACIONADOS CON AFM O LA ACTIVACION OPTICA DEL CANAL IR, DOS ASPECTOS SON REALMENTE DISRUPTIVOS EN EL PRESENTE PROYECTO RELACIONADOS CON LA TECNOLOGIA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: (I) EL USO DE UNA INTERFAZ HOMOEPITAXIAL PARA "CONFINAR" LOS PORTADORES DE CARGAS (HUECOS) EN EL CANAL DE DIAMANTE DOPADO CON BAJO CONTENIDO DE BORO, SIENDO EL DIAMANTE NO DOPADO EL AISLANTE DE LA PUERTA, (II) EL USO DE UNA GRUESA CAPA DE DIAMANTE TRANSPARENTE A LA RADIACION IR PARA PASIVAR LA SUPERFICIE Y PERMITIR LA ACTIVACION OPTICA DEL DOPANTE DE BORO EN EL CANAL DEL TRANSISTOR, CON RESPECTO AL PRIMER ASPECTO, LA UCA CARACTERIZARA LA INTERFAZ P-DOPADA/NO DOPADA POR XPS PARA DEDUCIR LA CONFIGURACION DE LA BANDA TANTO PARA AL AISLANTE H-BN COMO PARA EL DIAMANTE NO-DOPADO, EL ANALISIS CL Y SIMS EVIDENCIARA EL NIVEL DE DOPAJE DE CADA CAPA, TENGASE EN CUENTA QUE LA CAPA AISLANTE DEBE ESTAR EN UN RANGO DE 20-30 NM SI SE DESEA APLICAR UN EFECTO DE CAMPO EN EL CANAL DOPADO P, DICHO ANALISIS TAMBIEN SE REALIZARA EN LA MUESTRA FABRICADA EN CNM CON H-BN COMO AISLANTE, ADEMAS, EL ANALISIS STEM-VEELS REVELARA LA BANDA PROHIBIDA DE H-BN, ASI COMO EL ANALISIS CL, LAS MEDICIONES ELECTRICAS (C/V, I/V VERSUS T Y F) SE UTILIZARAN PARA INVESTIGAR LAS FUGAS NO DESEADAS DE LA PUERTA, CON RESPECTO AL SEGUNDO ASPECTO, SE LLEVARA A CABO EL CRECIMIENTO EN <100>, <111> Y <113> PARA ANALIZAR LA CAPACIDAD DE DOPAR CON BORO MEDIANTE IMPLANTACON, EN EFFECT, EL CNM INVESTIGARA LA FABRICACION DE CONTACTO OHMICO EN UNA CAPA DE DIAMANTE DE BAJO DOPADO GRACIAS A LA IMPLANTACION DE BORO, ESTUDIOS ANTERIORES MUESTRAN QUE NO ES POSIBLE EN UN SUSTRATO ORIENTADO A <100> (COMPORTAMIENTO DE SCHOTTKY DEL CONTACTO), ESTUDIOS RECIENTES SOSTIENEN QUE ESTO PARECE SER POSIBLE CON LA ORIENTACION <113> PARA EL DOPADO CON FOSFORO, ENTONCES, CNM INTENTARA HACERLO POSIBLE EN OTRA ORIENTACION PARA EL CASO DEL BORO, ESTO SIMPLIFICARA LOS PASOS ADICIONALES DE LA TECNOLOGIA DEL DISPOSITIVO HACIENDOLO MAS INDUSTRIALIZABLE, LUEGO, UCA CARACTERIZARA DICHA IMPLANTACION USANDO SIMS, CL Y EELS (SP2 VERSUS SP3) PARA COMPRENDER EL COMPORTAMIENTO DEL CRISTAL Y EL DOPAJE VERSUS LA PROFUNDIDAD EN LAMINILLAS TEM GRUESAS PARA EELS, SIMS Y CL (LAMINILLAS MAS GRUESAS PARA LAS DOS HORMAS), DE ESTA FORMA SE LLEVARA A CABO EL CRECIMIENTO DE LA CAPA DE DIAMANTE POCO DOPADO Y SIN DOPAR EN UNA ORIENTACION DE DIAMANTE TAN EXOTICA (OPTIMIZACION DEL PROCESO PARA CAPAS REALMENTE GRUESAS) ASI COMO EL PULIDO DEL SUSTRATO PARA OBTENER BUENOS SUSTRATOS EN COLABORACION CON UNA PYME LOCAL: IRISGEM, RECIENTEMENTE SE MONTO EN UCA UNA NUEVA CONFIGURACION CASERA PARA PULIR DIAMANTES Y SE UTILIZARA AMPLIAMENTE EN EL PROYECTO PARA BENEFICIAR UNA CALIDAD DE SUPERFICIE REALMENTE ALTA ANTES DEL CRECIMIENTO DE MPCVD, LOS ESTUDIOS OPTICOS DEL DIAMANTE SIN DOPAR TAMBIEN GARANTIZARAN QUE SE LOGRE LA TRANSPARENCIA IR ANTES DE DEMOSTRAR LA ACTIVACION DEL DOPANTE CON UN LED IR EN CNM (QUE TAMBIEN SE PUEDE REALIZAR EN UCA), DIAMANTE\MISFET\H-BN\ACTIVACION OPTICA\DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

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