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TEC2009-11399

Financiado

DIAMANTE PARA DISPOSITIVOS DE POTENCIA

ESTA PROPUESTA DE PROYECTO SUPONE UNA APUESTA DECIDIDA POR EL USO DE DIAMANTE DOPADO CON BORO EN DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA, EN PRIMER LUGAR, ESTA SE ENFOCA HACIA EL ESTUDIO DE LA INCORPORACION DE BORO EN DIAMANTE PARA OBTENER... ver más

01/01/2009

UCA

218K€

Presupuesto del proyecto: 218K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1444

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2009-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1444

Presupuesto del proyecto 218K€

Descripción del proyecto ESTA PROPUESTA DE PROYECTO SUPONE UNA APUESTA DECIDIDA POR EL USO DE DIAMANTE DOPADO CON BORO EN DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA, EN PRIMER LUGAR, ESTA SE ENFOCA HACIA EL ESTUDIO DE LA INCORPORACION DE BORO EN DIAMANTE PARA OBTENER DOPADOS ALTOS Y ABRUPTOS, EN SEGUNDO LUGAR, EL PROYECTO SE DIRIGE HACIA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO BASADO EN UNA ESTRUCUTRA DELTA-DOPADA: UN TRANSISTOR MESFET, LA EJECUCION DE ESTE PROYECTO COLOCARA A ESPAÑA EN PLENA VANGUARDIA DEL CONOCIMIENTO, POR OTRA PARTE, ESTE PROYECTO TAMBIEN REPRESENTA EL PRIMER GERMEN PARA UNA MATERIALIZAR UNA PROPUESTA FUTURA A NIVEL EUROPEO,ESTE PROYECTO PROPONE UNA ESTRECHA COLABORACION ENTRE LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) Y EL GRUPO DE SISTEMAS Y DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA DEL CNM DE BARCELONA (CSIC) PARA MEJORAR EL MATERIAL -A TRAVES DEL ESTUDIO ESPECTROSCOPICO Y ESTRUCTURAL DEL DIAMANTE DOPADO CON BORO- Y DESARROLLAR LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA, ES PRECISAMENTE EL DOPADO A NIVELES SUPERIORES A LOS REQUERIDOS PARA LA TRANSICION METALICA EL NECESARIO PARA LA OBTENCION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ESPECIFICOS COMO CONTACTOS OHMICOS, CANALES FET, ELECTRODOS PARA SENSORES ELECTROQUIMICOS,,,EL MODO EN QUE EL BORO SE INCORPORA A LA RED DE DIAMANTE CUANDO SE DOPA A ELEVADAS CONCENTRACIONES ATOMICAS ES AUN UNA CUESTION NO RESUELTA: SU INCORPORACION EN FORMA DE COMPLEJOS CON DEFECTOS PUNTUALES, PARES DE BORO, CLUSTERS O EN SITIOS INTERSTICIALES DE LA RED PUEDEN CONLLEVAR A UNA INCORPORACION ELECTRICAMENTE INACTIVA DEL BORO Y, POR CONSIGUIENTE, EMPEORAR LA CALIDAD CRISTALINA Y VARIA CON LA ORIENTACION DEL CRECIMIENTO EPITAXIAL, ASI PUES, LA ESTRATEGIA PROPUESTA SERA, PRIMERAMENTE, EVALUAR EL MEJOR SUSTRATO Y SUS CONDICIONES DE CRECIMIENTO DE CARA A OBTENER UN DOPADO CON BORO SUFICIENTEMENTE ELEVADO Y EFICIENTE QUE CONSERVE UNA ALTA MOVILIDAD DE LOS PORTADORES Y, POSTERIORMENTE, FABRICAR UN DISPOSITIVO MESFET BASADO EN UNA ESTRUCTURA DELTA-DOPADA,PROPONEMOS UNA APROXIMACION MULTIESCALA QUE RELACIONE LA DISTRIBUCION MACROSCOPICA DE DEFECTOS Y LA DISTRIBUCION ESPACIAL DE BORO (TECNICAS DE ABSORCION OPTICA Y RAYOS X) CON EL ANALISIS MICRO- Y NANOSCOPICO DE LA INCORPORACION DEL BORO ATOMICO Y EL ESTUDIO DE SU INTERACCION CON DEFECTOS ESTRUCTURALES Y DEFORMACION LOCAL MEDIANTE TECNICAS DE ANALISIS DE HACES DE ELECTRONES (TEM, SEM, FIB), ESTAS TECNICAS PERMITEN, DE HECHO, MONITORIZAR, LOCAL Y SIMULTANEAMENTE, LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS, LA INCORPORACION DEL BORO A NIVEL ATOMICO, LA DEFORMACION DE LA RED Y SU CAMPO ELECTRICO, HASTA LA FECHA, EL ANALISIS DE DIAMANTE MEDIANTE TEM SOLAMENTE SE HA PRESENTADO EN UN NUMERO RELATIVAMENTE REDUCIDO DE PUBLICACIONES DEBIDO, PRINCIPALMENTE, A LA ENORME DIFICULTAD DE OBTENER MUESTRAS ELECTRONTRANSPARENTES A PARTIR DE UN MATERIAL TAN EXTREMADAMENTE DURO Y FRAGIL, EL EQUIPAMIENTO FIB CON QUE CUENTA LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) PERMITIRA LA ADECUADA PREPARACION DE ESTAS MUESTRAS, SUPERANDO ESTE PUNTO CRITICO DEL ESTUDIO,EL INSTITUTO DE MONOCRISTALES (IMC, PYME)) DE CARMONA, SEVILLA, PROVEERA LOS SUSTRATOS HPHT CRECIDOS EN ORIENTACIONES (111) Y (100) COMO ALTERNATIVA A LOS SUSTRATOS CONVENCIONALES PARA EL POSTERIOR CRECIMIENTO CVD Y EL GRUPO DE SISTEMAS Y DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA DEL CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA (CSIC, CNM-BARCELONA) SE INVOLUCRARA EN LA FABRICACION DEL DEMOSTRADOR MESFET, DIAMANTE\CRECIMIENTO CVD\DOPADO\MESFET\DELTA DOPADO\DOPADO BORO

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