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A multi microscopy approach to the characterisation of Nitride semiconductors M...

A multi microscopy approach to the characterisation of Nitride semiconductors MACONS "The commercial market for electronic and optoelectronic devices based on nitride semiconductors is growing extremely fast, but the fundamental science underlying these devices is lagging behind. This proposal aims to explore the... ver más

31/08/2017

THE CHANCELLOR MAS...

1M€

Presupuesto del proyecto: 1M€

Líder del proyecto

THE CHANCELLOR MASTERS AND SCHOLARS OF THE UN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

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Líder del proyecto

THE CHANCELLOR MASTERS AND SCHOLARS OF THE UN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 1M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto "The commercial market for electronic and optoelectronic devices based on nitride semiconductors is growing extremely fast, but the fundamental science underlying these devices is lagging behind. This proposal aims to explore the vital link between structure and properties in nitride materials, in order to reveal the limitations of current devices and to pave the way for new, improved technology. The key strategy of the proposal is to combine multiple microscopy techniques to develop a comprehensive understanding of nanostructures and defects in the nitrides, and to link these discoveries to nanoscale measurements of the optical and electrical properties. This will require a synergy of different techniques, from techniques commonly used on metals (such as atom-probe tomography) to techniques which focus exclusively on semiconductors (such as scanning capacitance microscopy). It will also require the development of new approaches to the application of these techniques, to allow the same nanoscale regions of material to be assessed in multiple microscopes, so that the structure and composition of a specific nanostructure may be linked directly and unambiguously to its electrical and optical properties. Overall, the aim is to provide a much more complete picture of nitride materials science than has ever previously been achieved, and to apply this new understanding to engineering improved materials for nitride optoelectronic devices."

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