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TEC2017-86347-C2-1-R

Financiado

ARCHITECTURA 3D DE MOSFET ELABORADAS IN-SITU POR MPCVD PARA ELECTRONICA DE POTEN...

EL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE CADIZ TENDRA SU ACTIVIDAD ORIENTADA EN TRES DIRECCIONES: (I) CRECIMIENTO MPCVD, (II) CARACTERIZACION MEDIANTE TEM, CL, TECNICAS OPTICAS (RAMAN, FTIR, ATR, ELIPSOMETRIA) Y MEDIDAS ELECTRICAS (I/V, C/V,... ver más

01/01/2017

UCA

156K€

Presupuesto del proyecto: 156K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1444

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01

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Participantes

UCA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ

Total investigadores 1444

Presupuesto del proyecto 156K€

Descripción del proyecto EL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE CADIZ TENDRA SU ACTIVIDAD ORIENTADA EN TRES DIRECCIONES: (I) CRECIMIENTO MPCVD, (II) CARACTERIZACION MEDIANTE TEM, CL, TECNICAS OPTICAS (RAMAN, FTIR, ATR, ELIPSOMETRIA) Y MEDIDAS ELECTRICAS (I/V, C/V, HALL) Y FINALMENTE (III) UNA PEQUEÑA ACTIVIDAD RELACIONADA CON LOS TRATAMIENTO DE TERMINACION DEL DIAMANTE (HIDROGENACION, OXIGENACION, ETC),LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO MEDIANTE MPCVD PARA ALCANZAR UN CRECIMIENTO SELECTIVO, ES DECIR EL CRECIMIENTO TANTO EN LA DIRECCION [001] COMO EN LAS DIRECCIONES [010] Y [100], REQUIEREN LA DETERMINACION PRECISA TANTO DE LA PROPORCION DE METANO/HIDROGENO EN EL GAS COMO DE LAS CONDICIONES QUE PERMITEN ALCANZAR UN OPTIMO NIVEL DE DOPADO, EN EL MARCO DE UNA TESIS REALIZADA EN LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) Y FINALIZADA EN 2017, SE HA DESARROLLADO UN METODO (DEPOSICION EN CURSO DE UNA PATENTE) QUE PERMITE CONTROLAR LA DIRECCION CRECIMIENTO HOMOEPITAXIAL: VERTICAL (001) O LATERAL (010) Y (100), PARTIENDO DE ESTOS RESULTADOS, SE DESARROLLA LA IDEA DE UNA NUEVA ARQUITECTURA MOSFET QUE UTLIZA EL CRECIMIENTO LATERAL DE DIAMANTE PARA OBTENER, IN-SITU DE LA MPCVD, UNA ESTRUCTURA 3D, LA PRINCIPAL VENTAJA DE ESTA ARQUITECTURA ES TENER UN CANAL DE PUERTA HORIZONTAL DONDE LA INTERCARA CON EL OXIDO DE PUERTA ESTE BIEN CONTROLADO Y REQUIERA UNICAMENTE EL ATAQUE VERTICAL, ESTO ULTIMO REDUCE Y SIMPLIFICA LAS ETAPAS LITOGRAFICAS QUE ES UNO DE LOS PRINCIPALES CUELLO DE BOTELLA PARA LA FABRICACION DE MOSFETS DE POTENCIA BASADOS EN DIAMANTE,EN LA UCA SE CRECERAN LAS ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIALES TANTO EN MODO PLANAR QUE LATERAL, SE CARACTERIZARAN MEDIANTE CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPADO, TRANSPORTE DE MINORITARIO, DEFECTOS PUNTUALES,), TEM (ESTRUCTURA, EXTENSION/ESPESOR DE CAPA, DEFECTOS, ), HALL (MOVILIDAD), ATR Y AFM PARA LUEGO TENER UNA RETROALIMENTACION SOBRE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO Y SOBRE LAS SIMULACIONES DE ELEMENTO FINITO QUE PREDICEN LOS CAMPOS ELECTRICOS EN LA ESTRUCTURA DEL MOSFET (CALCULOS REALOIZADOS EN EL SUBPROYECTO 2, CNM-BELLATERRA), LA UCA EJERCERA DE SUMINISTRADOR DE ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIADAS PARA EL CNM-BELLATERRA QUE REALIZARA, CON UN CONTROL ADECUADO DE LOS PASOS TECNOLOGICOS, LAS ESTRUCTURAS TEST Y EL DISPOSITIVO MOSFET, UNA RETROALIMENTACION PERMITIRA REAJUSTAR EL DISEÑO (NIVELES DE DOPADO, ESPESORES/EXTENSION DE CAPAS, ETC,), MPCVD\TEM\MOSFET\DIAMANTE\DISPOSITIVOS DE POTENCIA

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