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TEC2010-18051

Financiado

FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE EFECTO CAMPO CON DIELECTRICO DE ALTA PERMITIVIDAD...

FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE EFECTO CAMPO CON DIELECTRICO DE ALTA PERMITIVIDAD SOBRE SI Y SEMICONDUCTORES III-V PARA EL NODO DE 22 NM LA EVOLUCION DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA REQUERIRA EN EL FUTURO CERCANO LA TRANSICION A DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD (O ALTA-K) DE TERCERA GENERACION, POSIBLEMENTE SOBRE SUSTRATOS DE ALTA MOVILIDAD,EL PRESENTE PROYECTO... ver más

01/01/2010

UCM

213K€

Presupuesto del proyecto: 213K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3277

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3277

Presupuesto del proyecto 213K€

Descripción del proyecto LA EVOLUCION DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA REQUERIRA EN EL FUTURO CERCANO LA TRANSICION A DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD (O ALTA-K) DE TERCERA GENERACION, POSIBLEMENTE SOBRE SUSTRATOS DE ALTA MOVILIDAD,EL PRESENTE PROYECTO DE I+D TIENE POR OBJETIVO EL DEPOSITO Y LA CARACTERIZACION DE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD BASADOS EN TIERRAS RARAS TANTO SOBRE SI COMO SOBRE SUSTRATOS III V ALTERNATIVOS, QUE SEAN DE INTERES PARA EL NODO DE 22 NM E INFERIORES, Y DEMOSTRAR SU FUNCIONAMIENTO MEDIANTE UN DISPOSITIVO MISFET, LOS RETOS SON MULTIPLES, SIENDO EL PRINCIPAL LA OBTENCION DE UNA INTERCARA AISLANTE/SUSTRATO CON LA MINIMA DENSIDAD DE DEFECTOS QUE PERMITA FABRICAR DISPOSITIVOS CON BUENAS PRESTACIONES ELECTRICAS, PARA SUPERAR ESTE RETO SE EMPLEARAN, ADEMAS DE TECNICAS ESTANDAR COMO LOS RECOCIDOS RAPIDOS O LA LITOGRAFIA, VARIAS TECNICAS NO CONVENCIONALES DE DEPOSITO Y PROCESADO, COMO SON LA TECNICA DE PLASMA DE RESONANCIA CICLOTRONICA DE ELECTRONES, QUE SE EMPLEARA PARA PREPARAR LA SUPERFICIE, O LA PULVERIZACION A ALTA PRESION, QUE USAREMOS PARA DEPOSITAR EL DIELECTRICO DE ALTA-K,PARA CONSEGUIR EL OBJETIVO FINAL, HEMOS ESTRUCTURADO EL PROYECTO EN TORNO A 4 TAREAS PRINCIPALES: LA OBTENCION DE SCGDO DE MUY ALTA-K Y CALIDAD DE DISPOSITIVO, LA PASIVACION CON ECR DE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR III-V, LA FABRICACION DE ESTRUCTURAS ALTA-K/SIN Y, FINALMENTE, EL DISEÑO Y LA FABRICACION DEL MISFET, NUESTRO GRUPO POSEE LA EXPERIENCIA EN MICROFABRICACION, LA INFRAESTRUCTURA NECESARIA Y, SOBRE TODO, EL POTENCIAL HUMANO NECESARIO PARA PODER LLEVAR A BUEN FIN ESTOS OBJETIVOS,

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