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MAT2011-22536

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EPITAXIA AVANZADA DE SEMICONDUCTORES III-V PARA DISPOSITIVOS NMOS ALTAMENTE ESCA...

EPITAXIA AVANZADA DE SEMICONDUCTORES III-V PARA DISPOSITIVOS NMOS ALTAMENTE ESCALADOS EL DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA CMOS ALTAMENTE ESCALADA NO SERA VIABLE A MENOS QUE EL CANAL DE SI TENSADO SE SUSTITUYA POR UN MATERIAL CON ALTA MOVILIDAD DE PORTADORES INTEGRADO CON DIELECTRICOS DE PUERTA CON ALTA PERMITIVIDAD (H... ver más

01/01/2011

CSIC

70K€

Presupuesto del proyecto: 70K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2011-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Participantes

CSIC

Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 70K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL DESARROLLO DE UNA TECNOLOGIA CMOS ALTAMENTE ESCALADA NO SERA VIABLE A MENOS QUE EL CANAL DE SI TENSADO SE SUSTITUYA POR UN MATERIAL CON ALTA MOVILIDAD DE PORTADORES INTEGRADO CON DIELECTRICOS DE PUERTA CON ALTA PERMITIVIDAD (HIGH-) EN LA PROXIMA DECADA. EN PARTICULAR, LOS SEMICONDUCTORES III-V, COMO EL INGAAS, SON LOS PRINCIPALES CANDIDATOS PARA MEJORAR LA MOVILIDAD ELECTRONICA EN DISPOSITIVOS NMOS. ESTE PROYECTO TIENE POR OBJETO ESTABLECER LOS CONOCIMIENTOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS NECESARIOS PARA HACER POSIBLE LA INTEGRACION HETEROGENEA DE CANALES III-V (INGAAS) CON BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS EN SUSTRATOS DE SI Y LA OPTIMIZACION DE LAS UNIONES USJ (ULTRA SHALLOW JUNCTIONS) DE LA FUENTE Y EL DRENADOR, COMO ELEMENTOS CLAVE PARA EL DESARROLLO DE FUTURAS GENERACIONES DE DISPOSITIVOS NMOS. LOS OBJETIVOS FUNDAMENTALES DEL PROYECTO SON LOS SIGUIENTES:1. EL DESARROLLO DE UN PROCESO OPTIMIZADO PARA NANOESTRUCTURAR DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD BASADO EN NANOLITOGRAFIA INTERFEROMETRICA Y ATAQUE R.I.E. SELECTIVO CON CF4 Y SF62. LA DETERMINACION DE LOS MECANISMOS DE ANIQUILACION DE DEFECTOS CRISTALINOS EN CANALES DE INGAAS CRECIDOS SOBRE SUSTRATOS DE SILICIO MEDIANTE RECRECIMIENTO LATERAL CON LA TECNICA DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) 3. LA DETERMINACION DEL LIMITE DE SOLUBILIDAD DE LOS DOPANTES TIPO N (SI, TE) EN INAS E INGAAS ,4. LA DETERMINACION DE LA ESTRATEGIA OPTIMA PARA CRECER UJS DE INGAAS CON ALTO DOPADO TIPO N MEDIANTE MBE 5. EL DESARROLLO DE UN NUEVO PROCESO DE CRECIMIENTO MBE SELECTIVO PARA FABRICAR LA FUENTE Y EL DRENADOR DE INAS E INGAAS ALTAMENTE DOPADOS TIPO N INTEGRADOS CON EL OXIDO DE PUERTA NANOESTRUCTURADO EL GRUPO INVESTIGADOR POSEE UNA AMPLIA EXPERIENCIA EN EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SEMICONDUCTORES III-V, EN NANOLITOGRAFIA Y EN LA CARACTERIZACION ESTRUCTURAL, OPTICA Y ELECTRICA DE ESTOS MATERIALES. EL PROYECTO, CON PARTICIPANTES ACADEMICOS E INDUSTRIALES, CUENTA CON EL ASESORAMIENTO Y LA IMPLICACION ACTIVA DE TECNOLOGOS DE INTEL CORPORATION. RECIMIENTO EPITAXIAL\MOSFETS NO CONVENCIONALES\INTEGRACION EN SI\OXIDOS HIGH-K\ELO\INGAAS

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