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-Cinética y mecanismos de crecimiento epitaxial auto-organizado de semiconductores III-V en sustratos no-planos mediante epitaxia por hacer moleculares (MBE) -Integración de semiconductores III-V con dieléctricos de alta permitividad en sustratos de Si p
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Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2009-01-01
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