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INTEGRASION

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INTEgrating GaN nanowire heterostructures on 2D heteRogeneous plAtforms for phot...

INTEgrating GaN nanowire heterostructures on 2D heteRogeneous plAtforms for photodetectION III-nitride semiconductors (GaN/AlGaN) are strategic materials for photodetection in a broad spectral range from deep ultraviolet to far infrared. These domains can be addressed thanks to interband and intersubband transitions res... ver más

22/09/2026

UNIVERSITE PARISSA...

212K€

Presupuesto del proyecto: 212K€

Líder del proyecto

UNIVERSITE PARISSACLAY No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo HORIZON EUROPE notifico la concesión del proyecto el día 2024-03-14

HORIZON-MSCA-2023-PF-01-01: MSCA Postdoctoral Fellowships 2023 Expected Outcome:Project results are expected to contribute to the following outcomes:

I+D

Cerrada

0% 100%

Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

1 Participantes

UNIVERSITE PARISSACLAY

211.75K€ | Lider

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Duración del proyecto: 30 meses Fecha Inicio: 2024-03-14
Fecha Fin: 2026-09-22

Líder del proyecto

UNIVERSITE PARISSACLAY No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 212K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto III-nitride semiconductors (GaN/AlGaN) are strategic materials for photodetection in a broad spectral range from deep ultraviolet to far infrared. These domains can be addressed thanks to interband and intersubband transitions respectively, which cover wavelengths inaccessible to standard III-V semiconductors. Heterogeneous integration of III-N nanowires (NWs) on 2D materials at the same time opens new technological opportunities for advanced optoelectronics and presents fundamental interest to elucidate the physics of van der Waals epitaxy (vdWE). Available research on epitaxial growth of GaN NWs on 2D graphene has demonstrated its promise; however, the scope for improvement remains limited. A number of questions with fundamental significance e.g. the influence of the 2D material in NW growth, controlling factors for NW size/size-distribution, and generalized understanding of vdWE with experimental authentication remain open. INTEGRASION proposes to address these open questions and to achieve a general understanding of vdWE of nitrides on 2D materials for advanced optoelectronic devices. To reach this goal, GaN/AlGaN NWs will be grown on 2D transition metal dichalcogenides (WS2) and comparative analysis will be performed with growth on graphene. The fundamentals of growth process will be assessed experimentally and theoretically emphasizing the impact of 2D materials on the NW growth which is pivotal for heterojunction formation. GaN/AlGaN heterojunctions in multi-quantum well structure will be grown on 2D platforms to demonstrate interband UV photodetection as well as intersubband photodetection in mid- and far-infrared domains. Besides, heterogeneous integration of GaN NWs on 2D platforms will facilitate the post-growth transfer of III-N NWs to flexible substrates where monolithic integration is not possible. INTEGRASION will address these three key aspects: (i) heterogenous growth, (ii) interband/intersubband photodetection and (iii) hybrid integration.

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