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TED2021-130453B-C21

Financiado

ESCRITURA OPTICA EN MATERIALES FERROELECTRICOS COMPATIBLES CON TECNOLOGIA CMOS

DURANTE LOS ULTIMOS AÑOS HA AUMENTADO EL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA POR EL OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO. LA RAZON ES QUE, A DIFERENCIA DE OTROS MATERIALES FERROELECTRICOS CONOCIDOS, EL OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO ES C... ver más

01/01/2021

CSIC

196K€

Presupuesto del proyecto: 196K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 196K€

Descripción del proyecto DURANTE LOS ULTIMOS AÑOS HA AUMENTADO EL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA POR EL OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO. LA RAZON ES QUE, A DIFERENCIA DE OTROS MATERIALES FERROELECTRICOS CONOCIDOS, EL OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO ES COMPATIBLE CON LA TECNOLOGIA CMOS, LO QUE AYUDA A ACORTAR EL CAMINO HACIA LA INTEGRACION DE DICHO MATERIAL EN DISPOSITIVOS COMERCIALES. RECIENTEMENTE, SE HA ESTABILIZADO SU CRECIMIENTO EPITAXIAL. EL CRECIMIENTO EPITAXIAL PERMITE LA OBTENCION DE PELICULAS DE ALTA CALIDAD Y EL AJUSTE FINO DE LAS PROPIEDADES MICROESTRUCTURALES, Y POR LO TANTO AYUDA A UNA MEJOR COMPRENSION FUNDAMENTAL DEL MATERIAL. SE HA DEMOSTRADO EL COMPORTAMIENTO MEMRISTIVO DE VARIOS TIPOS DE DISPOSITIVOS: UNIONES TUNEL, TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, UNIONES SCHOTTKY, ETC. BASADOS EN OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO. ESTE TIPO DE DISPOSITIVOS BASADOS EN UN MATERIAL FERROELECTRICO PRESENTAN VARIAS VENTAJAS EN COMPARACION CON OTROS DISPOSITIVOS BASADOS EN PROCESOS MAGNETICOS, DE MOVIMIENTO IONICO, ETC. EN LOS DISPOSITIVOS FERROELECTRICOS SOLO OCURREN PROCESOS ELECTRONICOS. ESTO PERMITE UN RENDIMIENTO MAS RAPIDO, MAS EFICIENTE Y MAS FIABLE. PARA APLICACIONES ES DE INTERES EL CONTROL OPTICO DEL ESTADO FERROELECTRICO. ESTO PERMITIRIA EVITAR LA NECESIDAD DE DIRIGIR UN VOLTAJE A CADA CELDA DE MEMORIA, Y TAMBIEN PERMITIRIA ELIMINAR LA PRESENCIA DE CORRIENTES DE DESPLAZAMIENTO A LO LARGO DEL CIRCUITO. ADEMAS, EL CONTROL OPTICO PERMITE EVITAR LA PRESENCIA DE SENSORES OPTICOS, Y POR TANTO DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRICOS. ESTA PROPIEDAD ES INTERESANTE PARA SISTEMAS DE VISION EN ROBOTICA O DISPOSITIVOS DE NAVEGACION. EL CONTROL OPTICO DEL ESTADO FERROELECTRICO EN EL OXIDO DE HAFNIO NO SE HA INVESTIGADO EN EL PASADO. LA RAZON ES QUE EL OXIDO DE HAFNIO ES UN MATERIAL AISLANTE CON UNA ANCHA BANDA PROHIBIDA Y, POR LO TANTO, LA LUZ VISIBLE NO ES ABSORBIDA EN EL MISMO. SIN EMBARGO, EL INTERES EN EL CONTROL OPTICO DEL ESTADO FERROELECTRICO ES CLARO.EL PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO ESTUDIAR EL CONTROL OPTICO DEL ESTADO DE POLARIZACION MEDIANTE LA ABSORCION EN ESTRUCTURAS EPITAXIALES MULTICAPA COMBINANDO OXIDO DE HAFNIO Y UN MATERIAL ABSORBENTE. EL PROYECTO CENTRARA LAS INVESTIGACIONES EN EL CAMBIO DE PROPIEDADES ELECTRICAS DEL MATERIAL ABSORBENTE BAJO ILUMINACION Y EL CAMBIO CONCOMITANTE DE CAMPOS ELECTRICOS INTERNOS EN EL DISPOSITIVO Y POR TANTO EN EL ESTADO DE POLARIZACION. OTOVOLTAICA\LAMINA DELGADA\OXIDOS\OXIDO DE HANIO\FOTOMAGNETISMO

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