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PDC2023-145874-I00

Financiado

Materiales con funcionalidad eléctrica, magnética, óptica o térmica

DURANTE LOS ULTIMOS AÑOS HAY UN RENACIMIENTO DEL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA Y DE LA INDUSTRIA POR EL USO DE MATERIALES FERROELECTRICOS PARA APLICACIONES COMO MEMORIA. LA RAZON HA SIDO EL DESCUBRIMIENTO DE FERROELECTRICIDAD... ver más

01/01/2023

CSIC

180K€

Presupuesto del proyecto: 180K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01

0% 100%

1 Participantes

CSIC

180.29K€ | Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA...

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 180K€

Descripción del proyecto DURANTE LOS ULTIMOS AÑOS HAY UN RENACIMIENTO DEL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA Y DE LA INDUSTRIA POR EL USO DE MATERIALES FERROELECTRICOS PARA APLICACIONES COMO MEMORIA. LA RAZON HA SIDO EL DESCUBRIMIENTO DE FERROELECTRICIDAD EN UN OXIDO BINARIO SIMPLE TOTALMENTE COMPATIBLE CON LA TECNOLOGIA CMOS, ESTE ES EL OXIDO DE HAFNIO DOPADO. LA COMUNIDAD SE HA CENTRADO PRINCIPALMENTE EN SU CARACTERIZACION EN FORMA POLICRISTALINA. RECIENTEMENTE, HEMOS DESARROLLADO EL CRECIMIENTO DE PELICULAS DE HFO2 DOPADAS DE FORMA EPITAXIAL. LOS MATERIALES DESARROLLADOS MUESTRAN UNA MAYOR CALIDAD CRISTALINA, INTERCARAS ABRUPTAS Y PROPIEDADES FUNCIONALES EN EL ESTADO DEL ART.EN EL PROYECTO ANTERIOR (PID2019-107727RB-I00), HEMOS DEMOSTRADO QUE LAS PELICULAS EPITAXIALES DE HFO2 SE PUEDEN UTILIZAR COMO ELEMENTOS DE MEMORIA BINARIA. ESTOS ESTUDIOS SE BASAN EN UNIONES DE TUNELES FERROELECTRICOS, PERO PRESENTAN ALGUNAS DESVENTAJAS, P.E. SU BAJO CONTRASTE ON/OFF. ES NECESARIO CONTINUAR LAS INVESTIGACIONES SOBRE EL USO DE DISPOSITIVOS DE MEMORIA BASADOS EN OXIDO DE HAFNIO FERROELECTRICO EPITAXIAL PERO UTILIZANDO OTRAS COMPOSICIONES QUE AYUDARIAN A SUPERAR LOS CUELLOS DE BOTELLA ENCONTRADOS. PARA APLICACIONES, ES NECESARIO AVANZAR EN LA NANO/MICROFABRICACION DE MEMORIAS CAPACES DE ALMACENAR UN CIERTO VOLUMEN DE INFORMACION.LA ETAPA DE INVESTIGACION EN LA QUE NOS ENCONTRAMOS ES IDEAL PARA ABORDAR EL OBJETIVO DE DESARROLLAR Y CARACTERIZAR UN DISPOSITIVO DE MEMORIA BASADO EN HAFNIA FERROELECTRICA EPITAXIAL. EL PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO DESARROLLAR UN DISPOSITIVO DE MEMORIA TIPO MATRIZ. SE EXPLORARAN LOS LIMITES DE DENSIDAD DE MEMORIA IMPUESTOS POR LA MICROFABRICACION DE DISPOSITIVOS EPITAXIALES. LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SIEMPRE ES DIFICIL EN MATERIALES TIPO OXIDO Y HA OBSTACULIZADO ALGUNOS AVANCES HASTA AHORA. LA RELACION DE RESISTENCIA ON/OFF SE MAXIMIZARA UTILIZANDO UNA COMPOSICION OPTIMA COMO PARTE ACTIVA DEL DISPOSITIVO. LA CARACTERIZACION FUNCIONAL COMPLETA, INCLUIDO SU COMPORTAMIENTO MEMRISTIVO, SE REALIZARA EN EL DISPOSITIVO DE MEMORIA DE PRUEBA DE CONCEPTO DESARROLLADO. EL RENDIMIENTO SUPERIOR DEL DISPOSITIVO DESARROLLADO BASADO EN MATERIALES DE CALIDAD CRISTALINA SUPERIOR A LOS DESARROLLADOS ACTUALMENTE ATRAERA EL INTERES DE LAS COMUNIDADES CIENTIFICA E INDUSTRIAL. EL PROYECTO ESTA PLENAMENTE ALINEADO CON LOS OBJETIVOS Y LAS ACCIONES ESTRATEGICAS PLANTEADAS DEL PERTE CHIP (PERTE DE MICROELECTRONICA Y SEMICONDUCTORES). HFO2\NEUROMORPHIC\THIN FILMS\HAFNIUM OXIDE\MEMRISTOR

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