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PID2019-103869RB-C32

Financiado

EL RETO DE LA VARIABILIDAD EN NANO-CMOS Y BEYOND-CMOS: EVALUACION DE MATERIALES...

EL RETO DE LA VARIABILIDAD EN NANO-CMOS Y BEYOND-CMOS: EVALUACION DE MATERIALES Y DISPOSITIVOS PARA SU MITIGACION Y EXPLOTACION (VIGILANT-UAB) LA INCREIBLE EVOLUCION DE LAS TECNOLOGIAS NANO-CMOS, CON LA APARICION DE NUEVOS MATERIALES Y DISPOSITIVOS, ESTA DETRAS DE LA OMNIPRESENCIA DE LA ELECTRONICA EN NUESTRAS VIDAS, SIN EMBARGO, LA CRECIENTE DEMANDA DE CIRCUITOS INTEGRA... ver más

01/01/2019

UAB

260K€

Presupuesto del proyecto: 260K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1264

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2019-01-01

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Participantes

UAB

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA

Total investigadores 1264

Presupuesto del proyecto 260K€

Descripción del proyecto LA INCREIBLE EVOLUCION DE LAS TECNOLOGIAS NANO-CMOS, CON LA APARICION DE NUEVOS MATERIALES Y DISPOSITIVOS, ESTA DETRAS DE LA OMNIPRESENCIA DE LA ELECTRONICA EN NUESTRAS VIDAS, SIN EMBARGO, LA CRECIENTE DEMANDA DE CIRCUITOS INTEGRADOS (CI) NO ESTA EXENTA DE RETOS: NUESTRA ECONOMIA Y SOCIEDAD DIGITALES EXIGEN QUE SEAN MAS FUNCIONALES, FIABLES Y SEGUROS, Y CAMPOS COMO IOT, O CIBERSEGURIDAD SE HAN CONVERTIDO EN PRIORITARIOS,UN OBSTACULO CRITICO EN ESA EVOLUCION ES LA VARIABILIDAD, CULPABLE DE VARIACIONES PARAMETRICAS DE LOS DISPOSITIVOS QUE CONDUCEN A PERDIDAS DE FIABILIDAD DEL CI, YA SEA TRAS SU FABRICACION (TZV, TIME-ZERO VARIABILITY) O DURANTE LA VIDA DEL CI (TDV, TIME-DEPENDENT VARIABILITY), LA VARIABILIDAD TERMINA COMPROMETIENDO FUNCIONALIDAD O VIDA UTIL, DE HECHO, SI NO PRIORIZAMOS LA CONSIDERACION DE LA VARIABILIDAD, LOS CIS NO SERAN CAPACES DE CUMPLIR CON LOS REQUISITOS DE SEGURIDAD, PROTECCION Y FIABILIDAD,VIGILANT AFRONTA ESTE RETO DESDE DOS PERSPECTIVAS, PRIMERO SE DESARROLLARAN SOLUCIONES Y NUEVOS PARADIGMAS DE DISEÑO PARA MITIGAR O HACER MAS TOLERABLE SU IMPACTO, SEGUNDO, EN LUGAR DE MITIGAR, SE EXPLOTARA TZV Y TDV PARA SEGURIDAD HARDWARE, SI BIEN ESTA DUALIDAD MITIGACION/EXPLOTACION ES UN OBJETIVO CLAVE, EXISTE OTRO TRANSVERSAL: LA EVALUACION DE TECNOLOGIAS Y SU POTENCIAL PARA AMBAS (DESDE BULK-CMOS, PASANDO POR FDSOI, HASTA ALTERNATIVAS BEYOND-CMOS COMO LOS MEMRISTORES), PARA CUMPLIR LOS OBJETIVOS, VIGILANT CUENTA CON LA EXPERIENCIA COMPLEMENTARIA DE TRES EQUIPOS (IMSE, UAB, UPC) CON UNA TRAYECTORIA DE EXITO EN LA INVESTIGACION COLABORATIVA DE LA VARIABILIDAD,EL EQUIPO DE LA UAB, CON UNA AMPLIA EXPERIENCIA EN CARACTERIZACION Y FIABILIDAD DE DISPOSITIVOS, CONTRIBUIRA A CONOCER CON PROFUNDIDAD LA TZV Y TDV A NIVEL DE DISPOSITIVO, NECESARIO PARA LAS ACTIVIDADES A NIVEL DE CIRCUITO, EL OBJETIVO PRINCIPAL ES EL DESARROLLO DE MODELOS COMPACTOS DE LA TDV DE DISPOSITIVOS QUE, CON UN CONJUNTO OPTIMIZADO DE PARAMETROS DEL MODELO, DESCRIBAN CORRECTAMENTE LA VARIABILIDAD DEL DISPOSITIVO, ESTOS MODELOS, INCLUIDOS EN SIMULADORES DE FIABILIDAD DE CIRCUITOS, PERMITIRAN PREDECIR EL IMPACTO DE LA TDV DEL DISPOSITIVO EN EL CIRCUITO PARA, POSTERIORMENTE, MITIGARLO/EXPLOTARLO DURANTE EL DISEÑO DEL IC, LA METODOLOGIA DE CARACTERIZACION Y LA COMPLETITUD DE LOS MODELOS COMPACTOS DEPENDERA DE LA MADUREZ DE LA TECNOLOGIA,PARA LA TECNOLOGIA BULK-CMOS, SE REALIZARA UNA CARACTERIZACION HOLISTICA DE LA TDV DEL DISPOSITIVO (RTN Y AGING) Y SE DESARROLLARAN PROCEDIMIENTOS DE EXTRACCION DE PARAMETROS OPTIMIZADOS, PARA FDSOI, EL ENFASIS SE HARA EN RTN, DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA SEGURIDAD, SE EVALUARAN PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTIONS (PUFS), CONSTRUIDOS CON ROS Y SRAMS (Y SU AGING) Y LOS BASADOS EN RTN,SE CARACTERIZARA Y MODELARA LA VARIABILIDAD EN MEMRISTORES, SE ABORDARAN LAS ARQUITECTURAS NEUROMORFICAS, COMO PARADIGMAS DE COMPUTACION PROMETEDORES, Y LA INYECCION DE RUIDO EN EL SISTEMA, PARA MITIGAR LA VARIABILIDAD, SE CARACTERIZARAN EXPERIMENTALMENTE PRIMITIVAS DE SEGURIDAD DE HARDWARE BASADAS EN MEMRISTOR, PARA TFT Y DISPOSITIVOS BASADOS EN GRAFENO, COMO DISPOSITIVOS EMERGENTES, SE REALIZARA UNA CARACTERIZACION ELECTRICA INTEGRAL DE SU TZV (EN LA NANOESCALA, UTILIZANDO TECNICAS RELACIONADAS CON AFM Y A NIVEL DE DISPOSITIVO), PARA ESTABLECER EL ORIGEN FISICO DE SU TZV, SE EVALUARAN VARIAS OPCIONES TECNOLOGICAS PARA DETERMINAR LA MAS ADECUADA PARA LA EXPLOTACION DE TZV, SE ESTUDIARA EL RENDIMIENTO DE LOS PUF CONSTRUIDOS CON ESTOS DISPOSITIVOS, VARIABILIDAD\DISEÑO CIS\EVALUACION DE LA FIABILIDAD\MODELADO COMPACTO\CARACTERIZACION\SEGURIDAD\MITIGACION\EXPLOTACION\CMOS\DISPOSITIVOS EMERGENTES

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