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TEC2015-69864-R

Financiado

AMPLIANDO LOS LIMITES EN LA INTEGRACION DE DISPOSITIVOS NANOELECTROMECANICOS

EL PROGRESO EN LA MINIATURIZACION DE LA ELECTRONICA DE SEMICONDUCTORES SE ENFRENTA A MUCHOS DESAFIOS, AL TIEMPO QUE HAY UNA CRECIENTE NECESIDAD DE SISTEMAS DE PROCESAMIENTO DE DATOS MAS POTENTES Y ENERGETICAMENTE MAS EFICIENTES, L... ver más

01/01/2015

CSIC

226K€

Presupuesto del proyecto: 226K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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CSIC

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 226K€

Descripción del proyecto EL PROGRESO EN LA MINIATURIZACION DE LA ELECTRONICA DE SEMICONDUCTORES SE ENFRENTA A MUCHOS DESAFIOS, AL TIEMPO QUE HAY UNA CRECIENTE NECESIDAD DE SISTEMAS DE PROCESAMIENTO DE DATOS MAS POTENTES Y ENERGETICAMENTE MAS EFICIENTES, LA "INTERNET DE LAS COSAS" (IOT) REQUERIRA MILES DE MILLONES DE ORDENADORES DIMINUTOS QUE PUEDEN DETECTAR Y COMUNICARSE DESDE CUALQUIER LUGAR, SE ESPERA QUE HAYA CERCA DE 26 MIL MILLONES DE DISPOSITIVOS CONECTADOS A LA IOT EN 2020, LO QUE EXIGE QUE SU CONSUMO DE ENERGIA SEA MUY BAJO, ESTO SOLO SERA POSIBLE CON LA COMBINACION DE DISPOSITIVOS TRADICIONALES CMOS Y DISPOSITIVOS "BEYOND-CMOS" EN EL LIMITE DE LAS CAPACIDADES TECNOLOGICAS, EN ESTE PROYECTO VAMOS A AMPLIAR EL ACTUAL ESTADO DEL ARTE EN LA INTEGRACION DE DISPOSITIVOS NO-CMOS EN CIRCUITOS CMOS, MEDIANTE LA GENERACION DE NUEVOS METODOS DE FABRICACION Y CONCEPTOS DE NANODISPOSITIVOS, TENEMOS LA INTENCION DE DEMOSTRAR LA VIABILIDAD DE LA INTEGRACION DE TRANSISTORES CMOS CON DOS TIPOS DE DISPOSITIVOS NO-CMOS: RESONADORES E INTERRUPTORES NANOMECANICOS,EL PROYECTO ABORDA PLENAMENTE LOS ASPECTOS DE MANUFACTURABILIDAD, LA TECNOLOGIA DE FABRICACION SE BASARA EN EL USO DEL AUTO-ENSAMBLAJE DIRIGIDO (DSA) DE COPOLIMEROS DE BLOQUE, DSA ES CONSIDERADO POR LA INDUSTRIA DE SEMICONDUCTORES COMO UNO DE LOS MEJORES CANDIDATOS COMO METODO DE LITOGRAFIA PARA LOS PROXIMOS NODOS TECNOLOGICOS, YA QUE COMBINA ALTA RESOLUCION (<10 NM DE SEMIPERIODO) Y ALTO RENDIMIENTO, JUNTO CON UNA MAYOR SIMPLICIDAD Y MENOR COSTE QUE LA LITOGRAFIA OPTICA DEL ULTRAVIOLETA EXTREMO, EN EL PROYECTO SE ESTABLECERA UNA TECNOLOGIA BASADA EN DSA PARA LA CREACION DE NANO-MOTIVOS A GRAN ESCALA, CON UNA RESOLUCION <10 NM Y APLICABLE A UNA VARIEDAD DE SUPERFICIES, EN PARTICULAR, SE ABORDARA LA FABRICACION DE MATRICES DE NANOHILOS DE SILICIO CON UN CONTROL SIN PRECEDENTES DE SUS DIMENSIONES, DSA SE ADAPTA MUY BIEN A LA FABRICACION DE FINFETS DE MULTIPLE PUERTA, UN FINFET SE COMPONE DE UNA MATRIZ DE NANOHILOS DE SI DISCRETOS O "ALETAS" CON ANCHURAS DEL ORDEN DE 10 NM Y ALTURAS EN EL RANGO DE 20-40 NM, SE DESARROLLARA LA TECNOLOGIA PARA FABRICAR CONJUNTOS DE FINFETS INTERCONECTADOS, LO QUE PERMITIRA EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES FUNDAMENTALES DE FINFETS CON DIMENSIONES NANOMETRICAS,EL PRINCIPAL ASPECTO INNOVADOR DEL PROYECTO ES USAR LOS FINFETS COMO BASE PARA EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS NANOMECANICOS DE ALTAS PRESTACIONES, LAS ESTRUCTURAS RESONANTES NANOMECANICAS PERMITEN LA REALIZACION DE SENSORES DE ALTO RENDIMIENTO Y OSCILADORES INTEGRADOS, LOS INTERRUPTORES NANOELECTROMECANICOS ESTAN SIENDO INVESTIGADOS PARA COMPLEMENTAR O SUSTITUIR LOS TRANSISTORES EN LOS NODOS TECNOLOGICOS AVANZADOS, EL PRINCIPAL MOTIVO ES QUE OFRECEN CORRIENTES DE FUGA REDUCIDAS, LO QUE RESULTA EN UN MENOR CONSUMO DE ENERGIA Y UNA MEJORA DE LA RELACION DE CORRIENTES ON/OFF, PRETENDEMOS DESARROLLAR LOS METODOS DE FABRICACION NECESARIOS PARA MATRICES DE DISPOSITIVOS FINFETS EN EL QUE EL "FIN" (NANOHILO DE SI) SEA LA ESTRUCTURA MECANICA, Y POR TANTO, ESTE SUSPENDIDO,LA INTEGRABILIDAD Y COMPATIBILIDAD DE LA TECNOLOGIA SE PROBARAN MEDIANTE LA REALIZACION DE DOS DEMOSTRADORES: (A)UNA MATRIZ DE MULTIPLES RESONADORES DE NANOHILOS DE SILICIO INDIVIDUALMENTE ACCESIBLES POR MEDIO DE UNA RED DE MULTIPLEXACION INTEGRADA Y (B)UN CIRCUITO LOGICO BASADO EN INTERRUPTORES NANOMECANICOS,EL PROYECTO TENDRA IMPACTO EN LA I + D EN NANOELECTRONICA PROPORCIONANDO NUEVOS METODOS DE FABRICACION DE ALTAS PRESTACIONES Y NUEVAS RUTAS DE INDUSTRIALIZACION, NANOFABRICACIÓN\NANOELECTRÓNICA\INTEGRACIÓN CMOS\FINFET\NANOHILO DE SILICIO\NANORESONADOR\INTERRUPTOR NANOMECÁNICO

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