Innovating Works

RTI2018-102007-B-I00

Financiado
ESTRATEGIAS DE FABRICACION ESCALABLES PARA DISPOSITIVOS DE UN SOLO ELECTRON
EL OBJETIVO DEL PROYECTO ES CONTRIBUIR A LA APLICACION DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO ELECTRON (SED) Y, ESPECIFICAMENTE, TRANSISTORES DE UN SOLO ELECTRON (SET) EN SISTEMAS ELECTRONICOS MINIATURIZADOS CON BAJO CONSUMO DE ENERGIA, ESTE... EL OBJETIVO DEL PROYECTO ES CONTRIBUIR A LA APLICACION DE DISPOSITIVOS DE UN SOLO ELECTRON (SED) Y, ESPECIFICAMENTE, TRANSISTORES DE UN SOLO ELECTRON (SET) EN SISTEMAS ELECTRONICOS MINIATURIZADOS CON BAJO CONSUMO DE ENERGIA, ESTE OBJETIVO SE ABORDARA MEDIANTE EL DESARROLLO DE NUEVOS METODOS DE FABRICACION COMPATIBLES CON LA FABRICACION A GRAN ESCALA Y CAPACES DE TENER UNA RESOLUCION SUFICIENTE A ESCALA NANOMETRICA PARA GARANTIZAR EL FUNCIONAMIENTO A TEMPERATURA AMBIENTE, ESTOS DISPOSITIVOS PROPORCIONARAN UNA "CAJA DE HERRAMIENTAS" QUE SE PUEDE UTILIZAR EN APLICACIONES COMO "INTERNET OF THINGS", TERMOELECTRICIDAD Y SENSORES DE CARGA DE ALTA SENSIBILIDAD PARA TECNOLOGIAS CUANTICAS,LA PRINCIPAL INNOVACION SE BASA EN EL USO DE METODOS DE FABRICACION AVANZADOS, QUE YA SE HAN DEMOSTRADO EN LAS LINEAS PILOTO DE LA INDUSTRIA DE SEMICONDUCTORES, PARA LA FABRICACION DE SED CON ESTRUCTURAS QUE SE PUEDEN INTEGRAR CON LOS FUTUROS NODOS DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS, EL FLUJO DE FABRICACION DEL PROCESO COMBINA LA FABRICACION CONVENCIONAL "TOP-DOWN" CON EL AUTOENSAMBLAJE, PARA GARANTIZAR UNA ALTA RESOLUCION Y UN ALTO RENDIMIENTO,EL PROYECTO EXPLORARA LA INTEGRACION DE ESTRUCTURAS HIBRIDAS SET-FET EN NANO-HILOS DE SILICIO, UTILIZANDO EL ENFOQUE DE MEZCLA DE HAZ DE IONES PARA FABRICAR EL PUNTO CUANTICO (QD-QUANTUM DOT), SE ESPERA QUE LOS CIRCUITOS SET-FET HIBRIDOS PERMITAN SUPERAR LAS DESVENTAJAS DE LOS SET Y PROPORCIONEN DISPOSITIVOS LOGICOS DE CONSUMO ULTRA BAJO,LOS PRINCIPALES RESULTADOS ESPERADOS DEL PROYECTO SERAN:- UNA TECNOLOGIA ESTABLECIDA PARA LA FABRICACION DE SETS CON QD METALICO OBTENIDA POR AUTOENSAMBLAJE DIRIGIDO DE CO-POLIMEROS DE BLOQUE,- UNA TECNOLOGIA ESTABLECIDA PARA LA FABRICACION DEL CIRCUITO HIBRIDO SET-FET CON SILICIO QD OBTENIDO POR PROCESAMIENTO DE HAZ DE IONES,- UNA TECNOLOGIA PROPUESTA PARA LA INTEGRACION DE CIRCUITOS HIBRIDOS SET-FET EN NANO-HILOS DE SILICIO VERTICALES,- NUEVO CONOCIMIENTO SOBRE LAS PROPIEDADES Y EL COMPORTAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS SET QUE FUNCIONAN A TEMPERATURA AMBIENTE Y FABRICADOS CON TECNOLOGIAS QUE SE PUEDEN ESCALAR A LA FABRICACION DE ALTO VOLUMEN, NANOELECTRÓNICA\NANAFABRICACIÓN\DISPOSITIVOS DE BAJO CONSUMO\DISPOSITIVOS DE UN SOLO ELECTRÓN\TECNOLOGÍAS CUÁNTICAS\INTERNET DE LAS COSAS ver más
01/01/2018
CSIC
110K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 110K€
Líder del proyecto
AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Perfil tecnológico TRL 2-3 552M