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TEC2010-16126

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VARIABILIDAD Y FIABILIDAD EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS AVANZADOS : DE LA NANOESC...

VARIABILIDAD Y FIABILIDAD EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS AVANZADOS : DE LA NANOESCALA AL CIRCUITO. EL PROYECTO SE PROPONE EN UN CONTEXTO EN EL QUE LA VARIABILIDAD Y EL ENVEJECIMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS DURANTE SU FUNCIONAMIENTO SON DOS DE LOS RETOS MAS IMPORTANTES A LOS QUE SE ENFRENTA LA CONTINUACION DEL ESCALADO EN LAS TECNO... ver más

01/01/2010

UAB

256K€

Presupuesto del proyecto: 256K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1266

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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Participantes

UAB

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT AUTÒNOMA DE BARCELONA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1266

Presupuesto del proyecto 256K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL PROYECTO SE PROPONE EN UN CONTEXTO EN EL QUE LA VARIABILIDAD Y EL ENVEJECIMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS DURANTE SU FUNCIONAMIENTO SON DOS DE LOS RETOS MAS IMPORTANTES A LOS QUE SE ENFRENTA LA CONTINUACION DEL ESCALADO EN LAS TECNOLOGIAS CMOS SUBMICRONICAS, LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS TRANSISTORES MUESTRAN DISPERSION, INTRINSECA AL PROPIO PROCESO DE FABRICACION, Y CUYO ORIGEN DEBE BUSCARSE EN LA NATURALEZA DISCRETA DE LA MATERIA Y LA CARGA, POR OTRO LADO, DURANTE EL FUNCIONAMIENTO DEL DISPOSITIVO EN EL CIRCUITO, APARECEN MECANISMOS DE DEGRADACION (POR LOS ELEVADOS CAMPOS ELECTRICOS Y TEMPERATURAS EN EL DISPOSITIVO) QUE MODIFICARAN PROGRESIVAMENTE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS INICIALES, INTRODUCIENDO UNA DEPENDENCIA CON EL TIEMPO EN SUS PRESTACIONES, EL EFECTO COMBINADO DE AMBOS FENOMENOS DA ASI LUGAR A UNA VARIABILIDAD DEPENDIENTE DEL TIEMPO, CON CADA NODO TECNOLOGICO, INDEPENDIENTEMENTE DE LOS MATERIALES DE LOS QUE EL DISPOSITIVO ESTE FORMADO O DE SU ARQUITECTURA PARTICULAR, ESTA VARIABILIDAD ADQUIERE MAYOR RELEVANCIA, DEBIENDO SER EVALUADA EN TODAS LAS ETAPAS DEL PROCESO DE MANUFACTURA, CON LA FINALIDAD DE OPTIMIZAR LAS PRESTACIONES Y FIABILIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS, EN ESTE CONTEXTO, DADA LA EXPERIENCIA DEL GRUPO, EL PROYECTO QUE SE PROPONE SE CENTRA EN LOS PROBLEMAS DE VARIABILIDAD Y FIABILIDAD ASOCIADOS AL DIELECTRICO DE PUERTA DE LOS MOSFET, ANALIZANDOLOS A DISTINTOS NIVELES (DESDE LA NANOESCALA HASTA EL CIRCUITO), HACIENDO ESPECIAL ENFASIS EN COMO PROPAGAR SUS EFECTOS A LOS NIVELES SUPERIORES, DE ESTE MODO, SE PRETENDE CARACTERIZAR LAS FUENTES DE VARIABILIDAD ASOCIADAS A ESTE DIELECTRICO EN LA NANOESCALA, UTILIZANDO TECNICAS DE CARACTERIZACION CON ELEVADA RESOLUCION LATERAL (COMO LAS BASADAS EN LA MICROSCOPIA DE FUERZAS ATOMICAS), Y ESTABLECER COMO AFECTAN A LAS PRESTACIONES ELECTRICAS DEL MOSFET, POR OTRO LADO, SE ANALIZARAN CON DETALLE LOS DISTINTOS MECANISMOS DE DEGRADACION DEL DIELECTRICO (BIAS TEMPERATURE INSTABILITIES, RUPTURA DIELECTRICA Y DEGRADACION POR PORTADORES CALIENTES), TANTO A NIVEL DE DISPOSITIVO COMO EN LA NANOESCALA, CON EL FIN DE DESARROLLAR MODELOS CAPACES DE DESCRIBIR SUS EFECTOS EN LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS DE LOS DISPOSITIVOS, QUE TENGAN EN CUENTA LA VARIABILIDAD Y QUE SEAN IMPLEMENTABLES EN SIMULADORES DE CIRCUITOS, FINALMENTE, SE PRETENDE DESARROLLAR UNA METODOLOGIA DE SIMULACION QUE PERMITA TRASLADAR LOS EFECTOS DE LA VARIABILIDAD DEPENDIENTE DEL TIEMPO OBSERVADA A NIVEL DE DISPOSITIVO AL NIVEL DE CIRCUITO, CON LA FINALIDAD DE EVALUAR COMO AFECTAN LAS PROPIEDADES DEL DISPOSITIVO A LAS PRESTACIONES Y FIABILIDAD DEL CIRCUITO, LA DISPONIBILIDAD DE DICHA HERRAMIENTA DE SIMULACION PERMITIRA DETERMINAR LAS PRESTACIONES, LA FIABILIDAD Y LA SUSCEPTIBILIDAD DE LOS CIRCUITOS A LA VARIABILIDAD Y LOS DISTINTOS MECANISMOS DE FALLO, LO QUE PERMITIRA OPTIMIZAR EL DISEÑO DEL CIRCUITO DESDE EL PUNTO DE VISTA DE TOLERANCIA A LA VARIABILIDAD DEPENDIENTE DEL TIEMPO,

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