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TEC2009-07597

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TRANSISTORES MOSFET NANOMETRICOS NO CONVENCIONALES: MODELADO DEL RUIDO ELECTRONI...

TRANSISTORES MOSFET NANOMETRICOS NO CONVENCIONALES: MODELADO DEL RUIDO ELECTRONICO Y CARACTERIZACION A ALTA FRECUENCIA. LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES DE SILICIO PRESENTA NOTABLES INCONVENIENTES AL ALCANZARSE LA ESCALA NANOMETRICA, ESTANDO CERCANOS CIERTOS LIMITES FISICOS QUE REQUIEREN INELUDIBLEMENTE LA BUSQUEDA DE ES... ver más

01/01/2009

USAL

89K€

Presupuesto del proyecto: 89K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1151

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2009-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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USAL

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1151

Presupuesto del proyecto 89K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES DE SILICIO PRESENTA NOTABLES INCONVENIENTES AL ALCANZARSE LA ESCALA NANOMETRICA, ESTANDO CERCANOS CIERTOS LIMITES FISICOS QUE REQUIEREN INELUDIBLEMENTE LA BUSQUEDA DE ESTRUCTURAS ALTERNATIVAS BASADAS EN ESTE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE PUEDAN REEMPLAZAR, A CORTO Y MEDIO PLAZO, A LAS ACTUALMENTE EMPLEADAS EN LAS LINEAS DE PRODUCCION, EN ESTE PROYECTO NOS PROPONEMOS EMPLEAR TECNICAS NUMERICAS AVANZADAS BASADAS EN EL METODO DE MONTE CARLO PARA ABORDAR EL MODELADO DE UNA SERIE DE DISPOSITIVOS EMERGENTES Y CONFIGURACIONES ALTERNATIVAS A LOS MOSFET CONVENCIONALES QUE SIRVAN PARA PALIAR LOS PROBLEMAS DEL ESCALADO, ENTRE ELLOS, PODEMOS DESTACAR LA CONSIDERACION DE SUSTRATOS NO CONVENCIONALES DE SILICIO SOBRE AISLANTE (SOI), LA UTILIZACION DE CANALES DE DOPAJE NO UNIFORME, LA SUSTITUCION DE LAS ZONAS DOPADAS DE FUENTE Y DRENADOR POR METALIZACIONES DE TIPO SCHOTTKY O LOS DISPOSITIVOS MULTIGATE, EL USO DE ESTE TIPO DE SIMULADORES EN EL CAMPO DE LA NANOELECTRONICA PERMITE CONSIDERAR DE MANERA ADECUADA LAS PRINCIPALES CARACTERISTICAS DEL TRANSPORTE DE CARGA EN DISPOSITIVOS DE DIMENSIONES EXTREMADAMENTE REDUCIDAS (INCLUYENDO LA APARICION DE FENOMENOS DE NATURALEZA BALISTICA), PROPORCIONANDO UNA EXHAUSTIVA COMPRENSION DE LA FISICA SUBYACENTE AL FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES Y DE LAS CONSECUENCIAS DEL ESCALADO, TAMBIEN POSIBILITA UN ANALISIS GLOBAL DE SU COMPORTAMIENTO ESTATICO, DINAMICO Y DEL RUIDO A ALTA FRECUENCIA (CON PARTICULAR INTERES EN LOS PROCESOS GENERADORES DEL RUIDO ELECTRONICO), ESTA TAREA ES DE IMPORTANCIA CRITICA PARA IDENTIFICAR LAS SOLUCIONES MAS PROMETEDORAS QUE PERMITAN CONTINUAR EL DESARROLLO DE LA ELECTRONICA DE DISPOSITIVOS Y EL PROCESO DE MINIATURIZACION, SIMULACION MONTE CARLO\MOSFET NO CONVENCIONALES NANOMETRICOS\DISPOSITIVOS SCHOTTKY\MINIATURIZACION\RUIDO ELECTRONICO\TRANSPORTE CUASI-BALISTICO\RESPUESTA A ALTA FRECUENCIA

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