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TEC2008-02266

Financiado

INVESTIGACION MONTE CARLO DE DISPOSITIVOS MOSFET NANOMETRICOS NO CONVENCIONALES...

INVESTIGACION MONTE CARLO DE DISPOSITIVOS MOSFET NANOMETRICOS NO CONVENCIONALES PARA APLICACIONES DE RADIOFRECUENCIA LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES DE SILICIO PRESENTA NOTABLES INCONVENIENTES AL ALCANZARSE LA ESCALA NANOMETRICA, ESTANDO CERCANOS CIERTOS LIMITES FISICOS QUE REQUIEREN INELUDIBLEMENTE LA BUSQUEDA DE ES... ver más

01/01/2008

USAL

8K€

Presupuesto del proyecto: 8K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1146

Ver Participantes

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01

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Participantes

USAL

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA

Total investigadores 1146

Presupuesto del proyecto 8K€

Descripción del proyecto LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS MOSFET CONVENCIONALES DE SILICIO PRESENTA NOTABLES INCONVENIENTES AL ALCANZARSE LA ESCALA NANOMETRICA, ESTANDO CERCANOS CIERTOS LIMITES FISICOS QUE REQUIEREN INELUDIBLEMENTE LA BUSQUEDA DE ESTRUCTURAS ALTERNATIVAS BASADAS EN ESTE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE PUEDAN REEMPLAZAR, A CORTO Y MEDIO PLAZO, A LAS ACTUALMENTE EMPLEADAS EN LAS LINEAS DE PRODUCCION, EN ESTE PROYECTO NOS PROPONEMOS EMPLEAR TECNICAS NUMERICAS AVANZADAS BASADAS EN EL METODO DE MONTE CARLO PARA ABORDAR EL MODELADO DE UNA SERIE DE DISPOSITIVOS EMERGENTES Y CONFIGURACIONES ALTERNATIVAS A LOS MOSFET CONVENCIONALES QUE SIRVAN PARA PALIAR LOS PROBLEMAS DEL ESCALADO, ENTRE ELLOS, PODEMOS DESTACAR LA CONSIDERACION DE SUSTRATOS NO CONVENCIONALES DE SILICIO SOBRE AISLANTE (SOI), LA UTILIZACION DE CANALES DE DOPAJE NO UNIFORME, LA SUSTITUCION DE LAS ZONAS DOPADAS DE FUENTE Y DRENADOR POR METALIZACIONES DE TIPO SCHOTTKY O LOS DISPOSITIVOS MULTIGATE, EL USO DE ESTE TIPO DE SIMULADORES APLICADOS A LA NANOELECTRONICA PERMITE CONSIDERAR DE MANERA ADECUADA LAS PRINCIPALES CARACTERISTICAS DEL TRANSPORTE DE CARGA EN DISPOSITIVOS DE DIMENSIONES EXTREMADAMENTE REDUCIDAS (INCLUYENDO LA APARICION DE FENOMENOS DE NATURALEZA BALISTICA), PROPORCIONANDO UNA EXHAUSTIVA COMPRENSION DE LA FISICA SUBYACENTE AL FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES Y DE LAS CONSECUENCIAS DEL ESCALADO ASI COMO UN ANALISIS GLOBAL DE SU COMPORTAMIENTO ESTATICO, DINAMICO Y DEL RUIDO A ALTA FRECUENCIA (CON PARTICULAR INTERES EN LOS PROCESOS GENERADORES DEL RUIDO ELECTRONICO), DE IMPORTANCIA CRITICA PARA IDENTIFICAR LAS SOLUCIONES MAS PROMETEDORAS QUE PERMITAN CONTINUAR EL DESARROLLO DE LA ELECTRONICA DE DISPOSITIVOS Y EL PROCESO DE MINIATURIZACION DE LOS MISMOS, Simulación Monte Carlo\MOSFET no convencionales\dispositivos Schottky\miniaturización\ruido electrónico\transporte cuasi-balistico\respuesta a alta frecuencia

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