FETS NANOMETRICOS BASADOS EN SI: FUNCIONAMIENTO EN MUY ALTAS FRECUENCIAS Y ASPEC...
FETS NANOMETRICOS BASADOS EN SI: FUNCIONAMIENTO EN MUY ALTAS FRECUENCIAS Y ASPECTOS TERMICOS
ESTE PROYECTO ABORDA CUESTIONES DE INTERES Y ACTUALIDAD PARA LA INDUSTRIA ELECTRONICA, IMPLEMENTA NUEVOS MODELOS Y HERRAMIENTAS EN UN ENTORNO 2D MONTE CARLO (MC) BIPOLAR QUE SERA NECSARIO PARA ESTUDIAR LOS NODOS CMOS PRESENTES Y D...
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Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2008-01-01
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Descripción del proyecto
ESTE PROYECTO ABORDA CUESTIONES DE INTERES Y ACTUALIDAD PARA LA INDUSTRIA ELECTRONICA, IMPLEMENTA NUEVOS MODELOS Y HERRAMIENTAS EN UN ENTORNO 2D MONTE CARLO (MC) BIPOLAR QUE SERA NECSARIO PARA ESTUDIAR LOS NODOS CMOS PRESENTES Y DE LAS SIGUIENTES GENERACIONES, ESTE NUEVO CODIGO SERA USADO PARA EL ESTUDIO DE FETS BASADOS EN SI PARA APLICACIONES DE MUY ALTA FRECUENCIA , ADICIONALMENTE SE DESARROLLARA UN MODELO 1D MC PARA ESTUDIAR EL TRANSPORTE DE FONONES ACUSTICOS Y OPTICOS Y QUE, POSTERIORMENTE, SERA EXTENDIDO PARA TRATAR PROBLEMAS EN 2D EN NANOTRANSISTORES Y ACOPLADO CON EL CODIGO 2D MC BIPOLAR, JUNTO CON EL TRANSPORTE DE CALOR, OTRO IMPORTANTE ASPECTO EN LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES FUTUROS, COMO SE DICE EN LA PUESTA AL DIA DEL DOCUMENTO 2006 DE ITRS, ES LA MODELIZACION ADECUADA DEL COMPORTAMIENTO AC EN EL RANGO 10-100GHZ, EN ESTE PROYECTO ABORDAREMOS EL TEMA Y SE EXTENDERA HASTA EL RANGO DE THZ, JUNTO A ESTO, PROPONEMOS LA INSTALACION BASICA DE UN LABORATORIO DE CARACTERIZACION THZ Y EL DESARROLLO DE NUEVAS FUENTES Y DETECTORES DE ESTADO SOLIDO OPERANDO EN THZ, Monte Carlo\Simulación\Radio Frecuencia\Terahercio\CMOS\SGrFET\FinFET\efectos térmicos\transporte de fonones. .