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TEC2008-06069

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MODELADO Y SIMULACION MULTI-ESCALA DE PROCESOS DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS EL...

MODELADO Y SIMULACION MULTI-ESCALA DE PROCESOS DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS NANOMETRICOS DE SILICIO SE REQUIERE UN GRAN ESFUERZO CIENTIFICO Y TECNOLOGICO PARA AVANZAR EN LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y ASI POSIBILITAR LA MEJORA DE LAS PRESTACIONES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Y FAVORECER LA APARICION DE NUEV... ver más

01/01/2008

UVA

86K€

Presupuesto del proyecto: 86K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 995

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UVA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 995

Presupuesto del proyecto 86K€

Descripción del proyecto SE REQUIERE UN GRAN ESFUERZO CIENTIFICO Y TECNOLOGICO PARA AVANZAR EN LA MINIATURIZACION DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Y ASI POSIBILITAR LA MEJORA DE LAS PRESTACIONES DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Y FAVORECER LA APARICION DE NUEVAS APLICACIONES PORTATILES, ESTE PROYECTO ABORDA ASPECTOS DE LA FISICA Y LA TECNOLOGIA RELACIONADOS CON LA INCORPORACION CONTROLADA DE IMPUREZAS Y DOPANTES ELECTRICAMENTE ACTIVOS EN DISPOSITIVOS NANOMETRICOS DE SI, ESTE CAMPO ES DE CRUCIAL IMPORTANCIA PARA LA CONSECUCION DE LOS OBJETIVOS MARCADOS POR EL INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS EN FUTURAS GENERACIONES TECNOLOGICAS, ABORDAREMOS VARIOS ASPECTOS EN LOS QUE LA INDUSTRIA ELECTRONICA TIENE ESPECIAL INTERES, (I) ESTRUCTURAS TIPO FINFET SE POSTULAN COMO LOS SUSTITUTOS DE LOS MOSFET PLANARES PARA CONTINUAR EL ESCALADO DE LOS DISPOSITIVOS A PARTIR DEL 2010, ANALIZAREMOS LA INCORPORACION DE DOPANTES ACTIVOS EN ESTRUCTURAS DE ESCALADO AGRESIVO TIPO FINFET, CON PARTICULAR ATENCION A LA PROBLEMATICA DE INCORPORACION DE DOPANTES EN LAS PAREDES LATERALES DE ESTRUCTURAS VERTICALES, LA DIFICULTAD PARA LA RECRISTALIZACION DE REGIONES ESTRECHAS AMORFIZADAS Y PROCESOS DE IMPLANTACION A ALTA TEMPERATURA, (II) ESTUDIAREMOS LOS MECANISMOS DE REDISTRIBUCION DE DOPANTES EN SI AMORFO RESPONSABLES DE LA DIFUSION, FORMACION DE DEFECTOS, SEGREGACION Y ARRASTRE DE DOPANTES A MEDIDA QUE AVANZA LA INTERCARA AMORFO/CRISTAL DURANTE EL RECOCIDO, LAS ALTAS DOSIS DE IMPLANTACION HABITUALMENTE UTILIZADAS ASI COMO LAS VENTAJAS DE LA ACTIVACION DE DOPANTES MEDIANTE EPITAXIA EN FASE SOLIDA HACEN QUE LOS FENOMENOS ASOCIADOS A DOPANTES EN SI AMORFO SEAN RELEVANTES, (III) DEBIDO A LA NEGATIVA INFLUENCIA DE LOS DEFECTOS RESIDUALES EN LAS CORRIENTES DE FUGA, DETERMINAREMOS LA DISTRIBUCION DE NIVELES EN EL GAP ASOCIADA A DEFECTOS Y LA ESTABILIDAD TERMICA DE LOS MISMOS PARA DETERMINAR LOS RECOCIDOS NECESARIOS PARA ELIMINARLOS, (IV) EVALUAREMOS LA EFECTIVIDAD DE IMPLANTACIONES DE IONES POLIATOMICOS EN LA INCORPORACION DE IMPUREZAS POR EL GRAN POTENCIAL QUE PRESENTAN PARA LA FORMACION DE UNIONES ULTRA-SUPERFICIALES DE B Y PELICULAS MIXTAS SI:C, PARA EL DESARROLLO DE ESTE PROYECTO PROPONEMOS UN ESQUEMA DE SIMULACION MULTI-ESCALA EN EL QUE COMBINAMOS VARIAS TECNICAS ATOMISTICAS (AB-INITIO, DINAMICA MOLECULAR CLASICA Y MONTE CARLO CINETICO) QUE NOS PERMITEN REALIZAR ESTUDIOS FUNDAMENTALES DE INTERACCIONES ATOMICAS (FRENTE AL EMPIRISMO ASOCIADO AL AJUSTE DE PARAMETROS) A LA VEZ QUE ACCEDER A ESCALAS ESPACIALES Y TEMPORALES TIPICAS DE LOS PROCESOS TECNOLOGICOS REALES, EL OBJETIVO GENERAL ES PROPORCIONAR CLAVES, BASADAS EN LA COMPRENSION DE LOS MECANISMOS FISICOS INVOLUCRADOS EN LOS PROCESOS DE FABRICACION, QUE ORIENTEN LA OPTIMIZACION DE LOS MISMOS, modelado multi-escala\dispositivos nanométricos\implantación iónica\dopantes\defectos

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