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PDC2023-145888-I00

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Microelectrónica, nanotecnología y fotónica

LA APLICACION DE LA TECNOLOGIA DE TRANSISTORES DE CAPA DELAGADA (THIN FILM TRASSITOR, TFT) EN ENTORNOS ESPACIALES REQUIERE DE MATERIALES QUE PERMITAN RESISTENTES A LAS CONDICIONES DE RADIACION Y TEMPERATURA DEL ESPACIO. ANTE ESTE... ver más

01/01/2023

UAH

166K€

Presupuesto del proyecto: 166K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALCALÁ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 847

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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1 Participantes

UAH

166.04K€ | Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE ALCALÁ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 847

Presupuesto del proyecto 166K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LA APLICACION DE LA TECNOLOGIA DE TRANSISTORES DE CAPA DELAGADA (THIN FILM TRASSITOR, TFT) EN ENTORNOS ESPACIALES REQUIERE DE MATERIALES QUE PERMITAN RESISTENTES A LAS CONDICIONES DE RADIACION Y TEMPERATURA DEL ESPACIO. ANTE ESTE RETO, SURGE UNA FAMILIA DE SEMICONDUCTORES, LOS NITRUTROS DEL GRUPO III (ALN, GAN E INN), QUE HA DEMOSTRADO SU ALTA ESTABILIDAD QUIMICA Y TERMICA, ASI COMO SU ALTA RESISTENCIA A LA RADIACION. ESTOS SEMICONDUCTORES SE HAN EMPLEADO CON EXITO PRINCIPALMENTE COMO CONSTITUYENTES DE DIODOS EMISORES DE LUZ Y LASERES EN EL AZUL Y ULTRAVIOLETA; ASI COMO EN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA. EN AMBOS CASOS, ADEMAS DE LAS CARACTERISTICAS ANTES MENCIONADAS, SU CONDICION DE SEMICONDUCTORES DE GAP DIRECTO Y ANCHO LES HACEN SUPERIORES A OTRAS ALTERNATIVAS, HABIENDO ALCANZADO CUOTAS DE MERCADO MUY IMPORTANTES. ESTE PROYECTO PROPONE EL EMPLEO DEL ALN, CON UNA ENERGIA DE GAP DE 6 EV, COMO DIELECTRICO; Y EL ALINN, COMO CAPA CANAL, PARA EL DESARROLLO DE TFTS TRANSPARENTES DEPOSITADOS MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA PARA APLICACION EN ENTORNOS ESPACIALES. LA TECNICA DE PULVERIZACION CATODICA (SPUTTERING) ES UNA TECNICA DE BAJO COSTE QUE PERMITE EL DEPOSITO DE ESTRUCTURAS A BAJA TEMPERATURA, (POR DEBAJO DE LOS 100 ºC) INCLUSO A TEMPERATURA AMBIENTE, LO QUE ABRE LA POSIBILIDAD DE DESARROLLAR MATERIALES SOBRE SUBSTRATOS DE VIDRIO Y DE PLASTICO FLEXIBLE. ADEMAS, LAS CONDICIONES DE TRABAJO Y LOS COSTES DE PRODUCCION ASOCIADOS CON LOS EQUIPOS DE PULVERIZACION CATODICA HACEN QUE SU USO ESTE MUY EXTENDIDO EN LA INDUSTRIA. TOMANDO COMO PUNTO DE PARTIDA LOS RESULTADOS OBTENIDOS Y LA EXTENSA EXPERIENCIA EN EL DEPOSITO DECAPAS Y DISPOSITIVOS BASADOS EN NITRUROS DEL GRUPO III POR EL GRUPO DE INGENIERIA FOTONICA DE LA UNIVERSIDAD DE ALCALA (UAH), EN ESTE PROYECTO SE DESARROLLARA UNA METODOLOGIA PARA LA OBTENCION DE TFTS BASADOS EN NITRUROS Y CON APLICACIONES ESPACIALES MEDIANTE SPUTTERING PARA SU TRASLADO A LA INDUSTRIA. EL PROYECTO ABARCA TANTO EL DEPOSITO DE LAS CAPAS COMO LA FABRICACION DE PROTOTIPOS Y LA EVALUACION DE SU DETERIORO EN ENTORNOS SIMILARES A LOS ESPACIALES.EL PROYECTO INCLUYE LA ADAPTACION DE LOS REQUERIMIENTOS DE LOS DISPOSITIVOS AL MERCADO EXISTENTE, ASI COMO LA PROTECCION DE LOS RESULTADOS Y SU TRANSFERENCIA A LAS EMPRESAS INTERESADAS EN EL PROYECTO. SE ESPERA QUE LA TECNOLOGIA DESARROLLADA EN EL PROYECTO TENGA IMPACTOS SIGNIFICATIVOS TANTO EN LA INDUSTRIA ESPACIAL COMO EN LAS APLICACIONES TERRESTRES DE SENSADO EN ENTORNOS HOSTILES. EL PROYECTO SE ALINEA CON EL MARCO DE NIVELES TECNOLOGICOS (TECHNOLOGY READINESS LEVELS , TRL), PARTIENDO DE UN NIVEL DE TRL 1 CON EL OBJETIVO DE ALCANZAR EL NIVEL TRL 4 O 5 PARA LA VALIDACION INDUSTRIAL, DENTRO DE LA TECNOLOGIA CLAVE FACILITADORA DE LAS DEFINIDAS POR LA COMISION EUROPEA: MICRO/NANOELECTRONICA Y FOTONICA INTEGRADA. EL PROYECTO RELY PRETENDE CONTRIBUIR SIGNIFICATIVAMENTE AL AVANCE DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA EN ESPAÑA Y EUROPA ESTABLECIENDO UN MARCO TECNOLOGICO ALINEADO CON LA TEMATICA DE LA CONVOCATORIA DE MICRO/NANOELECTRONICA: DISEÑO, PROCESOS Y TECNOLOGIAS PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y MEMS; Y EN MENOR MEDIDA, CON FOTONICA INTEGRADA. DISEÑO, PROCESOS Y TECNOLOGIAS PARA DISPLAYS. ALN III-N PULVERIZACION CATODICA TRANSIS

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