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Graphene Based Radio Frequency Electronics

The specific aim of the present project is to initiate a research afford in collaboration with other European scientist to develop graphene based high performance thin film transistors (TFT) for radio frequency (RF) electronics. H... ver más

31/03/2014

BILKENTUNIVERSITY...

100K€

Presupuesto del proyecto: 100K€

Líder del proyecto

BILKENT UNIVERSITESI VAKIF No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo FP7 notifico la concesión del proyecto el día 2014-03-31 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

BILKENT UNIVERSITESI VAKIF No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 100K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The specific aim of the present project is to initiate a research afford in collaboration with other European scientist to develop graphene based high performance thin film transistors (TFT) for radio frequency (RF) electronics. High performance TFTs operating at radio frequencies are of considerable interest in the area of thin film electronics. Amorphous silicon and organic semiconductors are widely used materials for recent designs. Due to the very limited electronic performance of these materials, thin film electronic circuits working at ultrahigh frequency range still remain as a technological challenge. Thus, new types of high performance semiconducting materials are of great interest for the recent research in this area. Extraordinary electronic properties together with the ability to be printed on large scales make graphene a promising candidate for these types of applications. Our long term goal is to develop a new graphene based technology for high frequency electronic applications.

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