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PID2021-122562NB-I00

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INTERACCION LUZ-MATERIA EN NANO-MEMBRANAS DE OXIDOS METALICOS DE GAP ANCHO PARA...

INTERACCION LUZ-MATERIA EN NANO-MEMBRANAS DE OXIDOS METALICOS DE GAP ANCHO PARA DISPOSITIVOS AUTOALIMENTABLES LOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO (WBG) Y LOS MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D) ESTAN ATRAYENDO UN GRAN INTERES EN LA COMUNIDAD CIENTIFICA, DEBIDO A LAS EXCELENTES PROPIEDADES FISICAS DE AMBOS POR SEPARADO. AMBAS FAMILIAS DE MATERIAL... ver más

01/01/2021

UCM

182K€

Presupuesto del proyecto: 182K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 182K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO (WBG) Y LOS MATERIALES BIDIMENSIONALES (2D) ESTAN ATRAYENDO UN GRAN INTERES EN LA COMUNIDAD CIENTIFICA, DEBIDO A LAS EXCELENTES PROPIEDADES FISICAS DE AMBOS POR SEPARADO. AMBAS FAMILIAS DE MATERIALES SON PILARES CLAVES EN LA INVESTIGACION ACTUAL EN MATERIALES FUNCIONALES AVANZADOS. POR UN LADO, LOS OXIDOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO PRESENTAN UNAS CLARAS VENTAJAS SOBRE OTROS SEMICONDUCTORES, DEBIDO A LA MULTIFUNCIONALIDAD QUE SE DERIVA DE SUS PROPIEDADES FISICAS SINTONIZABLES, ASI COMO DE SU BAJO COSTE DE PRODUCCION Y SU ESTABILIDAD QUIMICA, QUE LOS HACEN MATERIALES OPTIMOS PARA APLICACIONES EN ELECTRONICA TRANSPARENTE, CELULAS SOLARES, FOTOCATALISIS, FOTODETECTORES DE ULTRAVIOLETA (UV) CIEGOS AL VISIBLE, SENSORES QUIMICOS, O BATERIAS, ENTRE OTRAS. SU ANCHO GAP (> 3 EV) ES UN FACTOR CLAVE EN OPTOELECTRONICA DE UV Y EN DISPOSITIVOS DE ALTA POTENCIA Y ALTA FRECUENCIA Y VELOCIDAD, TAN DEMANDADOS EN LA ERA DEL INTERNET DE LAS COSAS. POR OTRA PARTE, LA FAMILIA DE MATERIALES 2D ESTA AUMENTANDO CONTINUAMENTE Y SE ESTAN TRAZANDO DIVERSAS RUTAS A SEGUIR PARA ALCANZAR APLICACIONES DISRUPTIVAS BASADAS EN ESTOS MATERIALES, COMO LOS QUE SE HAN REPORTADO RECIENTEMENTE EN COMPUTACION CUANTICA, ENERGIA, SENSORES Y DISPOSITIVOS NEUROMORFICOS. UNO DE LOS RETOS ES DESARROLLAR MEMBRANAS TANTO FREESTANDING COMO EN SUSTRATOS QUE PRESENTEN UN GAP DE ENERGIA AJUSTABLE, LO QUE SERIA DE GRAN INTERES PARA APLICACIONES OPTOELECTRONICAS Y FOTONICAS, DEBIDO A LOS FUERTES EFECTOS DE LA INTERACCION LUZ-MATERIA DEBIDOS AL CONFINAMIENTO CUANTICO EN LA DIMENSION VERTICAL Y LAS SIMETRIAS PARTICULARES DE ESTOS SISTEMAS. HASTA AHORA, SE HAN DESARROLLADO DE MODO EXPERIMENTAL ALGUNOS MATERIALES 2D QUE PRESENTAN GAPS, ENTRE LOS 0 EV DEL GRAFENO Y LOS 6 EV DEL NITRURO DE BORO, COMO LOS DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION (TMD), MXENOS, OXIDOS METALICOS O HALUROS METALICOS. SIN EMBARGO, LA REGION DEL AZUL-UV EN TERMINOS DE GAP OPTICO, NO ES TAN FACILMENTE ALCANZABLE. ADEMAS, ALGUNOS DE ESTOS MATERIALES 2D ADOLECEN DE FALTA DE ESTABILIDAD BAJO CONDICIONES DE OXIDACION, LO QUE SE PUEDE SOLUCIONAR CON EL USO DE OXIDOS 2D. LA INVESTIGACION EN MATERIALES 2D PARA LA OPTOELECTRONICA ESTA EN SU INFANCIA Y, POR TANTO, AUN QUEDA MUCHO POR AVANZAR E INNOVAR EN ESTE CAMPO.A PESAR DE LOS RECIENTES AVANCES EN DISPOSITIVOS CON OXIDOS SEMICONDUCTORES BASADOS EN EL DESARROLLO DE NANOHILOS (CUASI 1D) Y NANOCRISTALES (CASI-0D), EL POTENCIAL DE LAS NANOMEMBRANAS DE OXIDOS DE GAP ANCHO (CUASI-2D) ESTA AUN POR EXPLORAR. POR TANTO, LA MOTIVACION DE ESTE PROYECTO SE BASA EN LA NECESIDAD DE INVESTIGAR EN OXIDOS WBG EMERGENTES EN FORMA DE NANOMEMBRANAS, QUE PROPORCIONAN EL ENLACE ENTRE LOS DOS PILARES MENCIONADOS, SEMICONDUCTORES DE GAP Y MATERIALES 2D, Y POR TANTO CONTRIBUIR CON UNA VISION ROMPEDORA Y NOVEDOSA EN ESTE AMBITO DE INVESTIGACION. EL OBJETIVO GENERAL DEL PROYECTO ES DISEÑAR, DESARROLLAR Y ESTUDIAR NUEVAS MICRO- Y NANOESTRUCTURAS FORMADAS POR NANOMEMBRANAS DE OXIDOS METALICOS DE GAP ANCHO, QUE AUN LOS CONCEPTOS ARQUITECTURA BIDIMENSIONAL Y SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO, CON EL FIN DE ENTENDER LAS PROPIEDADES OPTICAS QUE SE DERIVAN DE LAS FUERTES INTERACCIONES LUZ-MATERIA Y ESTABLECER LAS BASES PARA EL DISEÑO DE FOTODETECTORES DE UV QUE OPEREN DE MODO AUTOALIMENTABLE BAJO UNA APROXIMACION INNOVADORA. XIDOS DE GAP ANCHO\MICROSCOPIA ELECTRONICA\PROPIEDADES OPTICAS\NANOMATERIALES\NANOMEMBRANAS

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