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RTI2018-097195-B-I00

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NUEVOS PARADIGMAS EN NANO-OXIDOS FUNCIONALES DE GAP ANCHO. CARATERIZACION IN-SIT...

NUEVOS PARADIGMAS EN NANO-OXIDOS FUNCIONALES DE GAP ANCHO. CARATERIZACION IN-SITU Y MICROSCOPIA CORRELATIVA EL OBJETIVO GENERAL DEL PROYECTO ES EL DESARROLLO DE NANOMATERIALES DE OXIDOS DE GAP ANCHO COMO NUEVOS PARADIGMAS QUE APORTEN ELEMENTOS INNOVADORES EN DISPOSITIVOS FUTUROS, LOS NITRUROS III-V Y EL DIAMANTE SON TRADICIONALMENTE LOS... ver más

01/01/2018

UCM

151K€

Presupuesto del proyecto: 151K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 151K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL OBJETIVO GENERAL DEL PROYECTO ES EL DESARROLLO DE NANOMATERIALES DE OXIDOS DE GAP ANCHO COMO NUEVOS PARADIGMAS QUE APORTEN ELEMENTOS INNOVADORES EN DISPOSITIVOS FUTUROS, LOS NITRUROS III-V Y EL DIAMANTE SON TRADICIONALMENTE LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA ANCHA UTILIZADOS EN ELECTRONICA DE POTENCIA Y EN LA OPTOELECTRONICA EN EL RANGO ULTRAVIOLETA, DEBIDO A SU ELEVADO VALOR DEL BANDGAP (> 3 EV), SIN EMBARGO, EN MUCHOS CASOS, LA TECNOLOGIA ES COSTOSA, LOS OXIDOS SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO (GA2O3, SNO2, GERMANATOS, IZOS, TIO2) SON UNA CLARA ALTERNATIVA A LOS ANTERIORES Y SON ADEMAS MATERIALES POTENCIALES IDONEOS PARA INCORPORAR CONCEPTOS, TALES COMO SMART, SELF-POWERED O FLEXIBLE, Y DAR UN VALOR AÑADIDO A LOS FUTUROS DISPOSITIVOS, ESTO LOS CONSTITUIRIA EN NUEVOS MODELOS PARA EL DISEÑO Y DESARROLLO DE NANOMATERIALES BASADOS EN SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO QUE APORTEN INNOVACION EN APLICACIONES MULTIDISCIPLINARES QUE COMBINAN APROXIMACIONES DE FISICA, QUIMICA, INGENIERIA DE MATERIALES Y/O BIOLOGIA, COMO SON, ENTRE OTRAS, LAS RELACIONADAS CON EL CAMPO DE LA ENERGIA EFICIENTE Y SOSTENIBLE, EL DESARROLLO DE SENSORES Y ACTUADORES O LOS DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS EN EL RANGO UV-VISIBLE, PARA ELLO, SE ESTUDIARAN LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE Y PROCESOS DINAMICOS EN ESTOS NANOMATERIALES, QUE EN MUCHOS CASOS INCLUYEN EL ACOPLO ENTRE DIVERSAS EXCITACIONES ELEMENTALES EN EL SOLIDO Y ESTIMULOS EXTERNOS (CAMPO ELECTRICO, FUENTE DE LUZ O DE CALOR), HACIENDO USO PREFERENTE DE TECNICAS DE CARACTERIZACION IN-SITU Y DE TECNICAS DE MICROSCOPIA CORRELATIVA, ESTA METODOLOGIA NOVEDOSA Y AVANZADA NOS PERMITIRA ESTUDIAR LOS PROCESOS DINAMICOS EN LA SINTESIS Y DISEÑO DE MORFOLOGIAS PARA QUE PUEDAN ADECUARSE AL CONCEPTO DE FLEXIBLE, ASI COMO EL ACOPLO DE LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE EN EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS QUE CONTRIBUYAN A OBTENER DISPOSITIVOS SMART Y/O SELF-POWERED,PRECISAMENTE, UNO DE LOS PRINCIPALES RETOS QUE PRESENTAN LOS OXIDOS SEMICONDUCTORES DESDE EL PUNTO DE VISTA FUNDAMENTAL ES EL CONTROL DE LOS FENOMENOS DE TRANSPORTE: I) CONDUCTIVIDAD ELECTRONICA: LA MAYORIA DE LOS OXIDOS PRESENTAN CONDUCTIVIDAD TIPO N DE MODO NATIVO, SIENDO DIFICIL OBTENER CONDUCTIVIDAD TIPO P, LO QUE HASTA AHORA LIMITA EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS A TIPO UNIPOLAR, II) CONDUCTIVIDAD IONICA CONTROLABLE PARA LAS APLICACIONES EN BATERIAS, EN LAS QUE SE CONJUGUE TANTO LA INFLUENCIA DEL DOPADO CON CATIONES LIGEROS COMO LA FASE CRISTALINA, III) CONDUCTIVIDAD TERMICA: SE ESTUDIARA LA VIABILIDAD DE LOS NANO-OXIDOS COMO MATERIALES TERMOELECTRICOS EFICIENTES Y LOS FACTORES QUE FAVOREZCAN UN AUMENTO DE LA "FIGURE OF MERIT", POR OTRA PARTE, OTRO RETO A AFRONTAR EN ESTE PROYECTO ES EL CONTROL DE LA INTERACCION LUZ-MATERIA, QUE TAMBIEN IMPLICA ACOPLAMIENTO ENTRE DIFERENTES EXCITACIONES, SE ESTUDIARAN LOS MECANISMOS QUE CONLLEVEN GENERACION, CONVERSION Y CONFINAMIENTO DE LUZ EN MICRO- Y NANOSISTEMAS BASADOS EN OXIDOS DE GAP ANCHO, EL EQUIPO DE INVESTIGACION CUENTA CON LA EXPERIENCIA PREVIA NECESARIA EN SINTESIS Y CARACTERIZACION CON TECNICAS DE MICROSCOPIA Y ESPECTROSCOPIAS PARA AFRONTAR LOS OBJETIVOS DEL PROYECTO, SE PREVE EL DESARROLLO DE NANOESTRUCTURAS DE OXIDOS DE GAP ANCHO CON LA COMBINACION DE PROPIEDADES DE TRANSPORTE ADECUADAS QUE PERMITAN LAS NUEVAS FUNCIONALIDADES MENCIONADAS, SIENDO CLAVE EL USO DE MICROSCOPIAS CORRELATIVAS Y TECNICAS DE CARACTERIZACION IN-SITU O/Y IN-OPERANDO, QUE PERMITEN ESTUDIAR PROCESOS DINAMICOS EN NANOMATERIALES, ÓXIDOS DE GAP ANCHO\NANOMATERIALES FUNCIONALES\PROPIEDADES DE TRANSPORTE\TÉCNICAS IN-SITU\MICROSCOPIA ELECTRÓNICA

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