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RTI2018-097180-B-I00

Financiado

NUEVA GENERACION DE TRANSISTORES FET PARA TECNOLOGIA DE THZ

EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ESTA; LOCALIZADO ENTRE 0,1 Y 10 THZ ENTRE LAS REGIONES DE MICROONDAS - ONDAS MILIMETRICAS Y DE INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM), LAS CARACTERISTICAS MAS ATRACTIVAS DE LA RADIAC... ver más

01/01/2018

USAL

119K€

Presupuesto del proyecto: 119K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2018-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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USAL

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Presupuesto del proyecto 119K€

Descripción del proyecto EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ESTA; LOCALIZADO ENTRE 0,1 Y 10 THZ ENTRE LAS REGIONES DE MICROONDAS - ONDAS MILIMETRICAS Y DE INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM), LAS CARACTERISTICAS MAS ATRACTIVAS DE LA RADIACION THZ DESDE EL PUNTO DE VISTA DE SU APLICACION SON: (I) LA RADIACION THZ ATRAVIESA LA ROPA Y LA MAYORIA DE MATERIALES USADOS EN EMPAQUETAMIENTO COMO PAPEL Y PLASTICO (II) MUCHAS SUBSTANCIAS TIENEN UNA FINGERPRINT (ESPECTRO CARACTERISTICO PROPIO) EN EL RANGO DE THZ (III) DEBIDO A SU BAJA ENERGIA FOTONICA NO IONIZANTE Y, POR TANTO, NO ES PELIGROSA PARA LOS SERES HUMANOS ESTAS PROPIEDADES HACEN DE LOS SISTEMAS BASADOS EN LA RADIACION THZ UNA HERRAMIENTA PODEROSA Y PROMETEDORA PARA DIFERENTES TIPOS DE APLICACIONES MANTENIENDO UNA RAZONABLE SEGURIDAD PARA LOS SERES VIVOS,EL PRESENTE PROYECTO DE INVESTIGACION PROPONE DESARROLLAR SENSORES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN FRECUENCIAS DE THZ, ESTOS SENSORES SE BASAN EN LA TEORIA DE DYAKONOV-SHUR QUE EXPLICA LA GENERACION Y DETECCION DE RADIACION EM DE THZ EN LA OSCILACION DEL PLASMA BIDIMENSIONAL (PLASMA WAVES) DE ELECTRONES EN EL CANAL DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (FET), LAS VENTAJAS DE LOS SENSORES BASADOS EN LAS OSCILACIONES DE LAS ONDAS DE PLASMA SON: BAJO COSTE, TIEMPO DE RESPUESTA MUY RAPIDO EN COMPARACION CON DETECTORES PIROELECTRICOS Y BOLOMETROS, OPERACION A TEMPERATURA AMBIENTE E INTEGRACION EN TECNOLOGIA DE SILICIO, EL OBJETIVO PRINCIPAL DE ESTE PROYECTO ES INVESTIGAR Y DESARROLLAR DETECTORES DE THZ MEDIANTE DOS TECNOLOGIAS: TRANSISTORES DE GRAFENO (GFETS) Y FINFETS DE SILICIO, AMBAS TECNOLOGIAS SON DE INTERES POR RAZONES MUY DISTINTAS: LOS GFETS PROVIENEN DE LA INVESTIGACION FUNDAMENTAL Y CONSTITUYEN UNA TECNOLOGIA AUN INMADURA (BAJO RENDIMIENTO DE FABRICACION, BAJA FIABILIDAD,,,,) AUNQUE EL MATERIAL ES MUY ATRACTIVO PARA APLICACIONES DE THZ DEBIDO A SUS MOVILIDAD TEORICA MUY ELEVADA (POR ENCIMA DE 100,000 CM2/VS A TEMPERATURA AMBIENTE), EL FINFET ES LA ULTIMA GENERACION DE TRANSISTORES COMERCIALES: ESTA EN EL MERCADO DESDE HACE CERCA DE 5 AÑOS Y ES UNA TECNOLOGIA FIABLE; AUNQUE SU MOVILIDAD DE CANAL ES DOS ORDENES DE MAGNITUD INFERIOR A LA DEL GRAFENO SU TOPOLOGIA DE PUERTA Y DISPONIBILIDAD HACEN DEL FINFET UN EXCELENTE CANDIDATO PARA CONSTRUIR DETECTORES DE THZ MUY CERCA DEL MERCADO,LOS GFETS SE FABRICARAN EN LA USAL, DONDE HEMOS DESARROLLADO UNA NUEVA TECNOLOGIA PARA LA FABRICACION DE GFETS BASADOS EN LA ENCAPSULACION DE GRAFENO CON H-BN, QUE YA HA SIDO TESTEADO, COMO PRUEBA DE CONCEPTO, COMO DETECTOR DE THZ A BAJA TEMPERATURA, BASADO EN UN DISEÑO DE ESTRUCTURA ASIMETRICA DE UNA DOBLE PUERTA SE DISEÑARAN, PRODUCIRAN Y MEDIRAN DIFERENTES TRANSISTORES; AL FINAL DEL PROYECTO, FABRICAREMOS UN GFET CON UNA ANTENA INTEGRADA PARA MEJORAR SU RESPUESTA, YA QUE LOS DISPOSITIVOS FINFET NO SON PRODUCIDOS EN NUESTRO LABORATORIO CARACTERIZAREMOS SU FUNCIONAMIENTO CON DIFERENTES TAMAÑOS Y TIPOS DE TRANSISTORES, TODOS LOS TRANSISTORES SERAN CARACTERIZADOS EN EL RANGO 0,15-0,60 THZ,ESTE PROYECTO PRETENDE REDUCIR EL "THZ GAP" USANDO TECNOLOGIAS GEFT Y FINFET PARA FABRICAR SENSORES DE THZ CUYO RENDIMIENTO ESTE MAS ALLA DEL ESTADO DEL ARTE EN TERMINOS DE SENSIBILIDAD DE RESPUESTA Y NEP (POTENCIA EQUIVALENTE DE RUIDO) EN COMPARACION CON LAS TECNOLOGIAS DE ESTADO SOLIDO EXISTENTES, NANOTECHNOLOGÍA\TERAHERCIOS\GRAFENO\FET\FINFET\ONDAS DE PLASMA\TCAD\FDTD\SENSORES.

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