PDC2023-145856-I00
Financiado
PROTOTIPO DE DETECTOR AVANZADO EN LA BANDA DE TERAHERCIOS PARA APLICACIONES DE SEGURIDAD E IMAGENES (PRDATA
EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ES LA REGION SITUADA ENTRE LAS DE MICROONDAS E INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM) Y GENERALMENTE SE REFIERE A LA REGION DE FRECUENCIA ENTRE 0.1 Y 10 THZ. LA TECNOLOGIA THZ TIENE...
EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ES LA REGION SITUADA ENTRE LAS DE MICROONDAS E INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM) Y GENERALMENTE SE REFIERE A LA REGION DE FRECUENCIA ENTRE 0.1 Y 10 THZ. LA TECNOLOGIA THZ TIENE UN GRAN INTERES DEBIDO A: (I) MUCHOS MATERIALES COMO PAPEL Y PLASTICO SON TRANSPARENTES A ESTA RADIACION, LO QUE ES MUY IMPORTANTE PARA APLICACIONES DE INSPECCION Y SEGURIDAD (II) MUCHAS SUSTANCIAS TIENEN UNA "HUELLA DIGITAL" (ESPECTRO CARACTERISTICO PROPIO) EN EL RANGO DE THZ, LO QUE SUPONE POTENTE HERRAMIENTA PARA APLICACIONES DE ESPECTROSCOPIA (III) DEBIDO A SU BAJA ENERGIA DE FOTON (APROXIMADAMENTE UN MILLON DE VECES MENOR QUE LA DE LOS RAYOS X) LA RADIACION THZ NO ES IONIZANTE Y, POR LO TANTO, NO ES PELIGROSA PARA LOS SERES HUMANOS. EL OBJETIVO DEL PRESENTE PROYECTO DE INVESTIGACION ES DESARROLLAR, DEMOSTRAR Y PREPARAR PARA LA TRANSFERENCIA UN NUEVO PROTOTIPO DE DETECTOR DE THZ CAPAZ DE COMPETIR VENTAJOSAMENTE CON LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES. EL NUEVO SENSOR SE BASA EN DOS TECNOLOGIAS DE VANGUARDIA: TRANSISTORES DE SILICIO FINFET Y TRANSISTORES BASADOS EN GRAFENO. AMBOS TRANSISTORES SE BASAN EN EL CONCEPTO DE LA OSCILACION DE LOS PLASMONES EN EL SISTEMA BIDIMENSIONAL DEL CANAL DE UN FET QUE PERMITE DETECTAR RADIACION EM EN EL RANGO DE TERAHERCIOS DE ACUERDO CON EL TRABAJO PIONERO DE LA TEORIA DYAKONOV-SHUR. LAS VENTAJAS DE ESOS SENSORES SON: (I) BAJO COSTO (II) TIEMPO DE RESPUESTA MAS RAPIDO EN COMPARACION CON OTROS DETECTORES (BOLOMETROS, PIROELECTRICOS, ) (III) OPERACION POSIBLE A TEMPERATURA AMBIENTE (DE HECHO EN UN AMPLIO RANGO DE TEMPERATURA 4-300K), (IV) ESCALABILIDAD Y (IV) INTEGRACION EN TECNOLOGIA DE SILICIO CMOS PARA LOS FINFET Y POR COMPATIBILIDAD DE OBLEA EN EL CASO DEL GFET. LOS FET DE GRAFENO (GFET) QUE SE PROPONEN A PARTIR DE LA INVESTIGACION Y DESARROLLO LLEVADA A CABO EN LA USAL SON EXTREMADAMENTE ATRACTIVOS PARA LAS APLICACIONES DE THZ DEBIDO A SU MOVILIDAD DE CANAL EXTREMA (SUPERIOR A 100.000 CM2 / V A TEMPERATURA AMBIENTE) Y A LA ALTA EFICIENCIA DE LA INTERACCION LUZ-MATERIA. FABRICAREMOS GFET CON VARIOS TIPOS DE ANTENA INTEGRADA PARA MEJORAR SU RESPONSIVIDAD. LOS FINFET CONSTITUYEN LA ULTIMA GENERACION DE TRANSISTORES COMERCIALES CON TOPOLOGIA DE PUERTA MUY CORTA Y SU DISPONIBILIDAD HACE DE ELLA UN EXCELENTE CANDIDATO PARA CONSTRUIR DETECTORES DE THZ MUY CERCA DEL MERCADO CON POSIBILIDADES DE INTEGRACION DE LA CIRCUITERIA READ-OUT. TODOS LOS DISPOSITIVOS SE MEDIRAN EN EL RANGO 0. 15 A 5 THZ Y ENTRE 4 Y 300K Y, EN PARTICULAR, SE EVALUARAN LAS CONDICIONES OPTIMAS DE OPERACION EN TERMINOS DE LAS FIGURAS DE MERITO RESPONSIVIDAD Y NEP (POTENCIA EQUIVALENTE DE RUIDO) PARA SER USADOS DE MANERA OPTIMA EN EL PROTOTIPO DE SISTEMA SENSOR. NANOTECNOLOGIA\PLASMONICA\SENSOR\ONDAS DE PLASMA\FET\MATERIALES 2D\PROTOTIPOS\TERAHERCIOS\SILICIO
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Línea de financiación: concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2023-01-01
AEI
No se conoce la línea exacta de financiación, pero conocemos el organismo encargado de la revisión del proyecto.
Presupuesto
El presupuesto total del proyecto asciende a
146K€
Líder del proyecto
UNIVERSIDAD DE SALAMANCA
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