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PID2021-126483OB-I00

Financiado

TRANSISTORES FET BASADOS EN SI Y MATERIALES 2D AVANZADOS PARA TECNOLOGIA SUPER-T...

TRANSISTORES FET BASADOS EN SI Y MATERIALES 2D AVANZADOS PARA TECNOLOGIA SUPER-TERAHERCIOS EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ES LA REGION SITUADA ENTRE LAS DE MICROONDAS E INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM) Y GENERALMENTE SE REFIERE A LA REGION DE FRECUENCIA ENTRE 0.1 Y 10 THZ. LA TECNOLOGIA THZ TIENE... ver más

01/01/2021

USAL

108K€

Presupuesto del proyecto: 108K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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USAL

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Presupuesto del proyecto 108K€

Descripción del proyecto EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ES LA REGION SITUADA ENTRE LAS DE MICROONDAS E INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO (EM) Y GENERALMENTE SE REFIERE A LA REGION DE FRECUENCIA ENTRE 0.1 Y 10 THZ. LA TECNOLOGIA THZ TIENE UN GRAN INTERES DEBIDO A: (I) MUCHOS MATERIALES COMO PAPEL Y PLASTICO SON TRANSPARENTES A ESTA RADIACION, LO QUE ES MUY IMPORTANTE PARA APLICACIONES DE INSPECCION Y SEGURIDAD (II) MUCHAS SUSTANCIAS TIENEN UNA "HUELLA DIGITAL" (ESPECTRO CARACTERISTICO PROPIO) EN EL RANGO DE THZ, LO QUE SUPONE POTENTE HERRAMIENTA PARA APLICACIONES DE ESPECTROSCOPIA (III) DEBIDO A SU BAJA ENERGIA DE FOTON (APROXIMADAMENTE UN MILLON DE VECES MENOR QUE LA DE LOS RAYOS X) LA RADIACION THZ NO ES IONIZANTE Y, POR LO TANTO, NO ES PELIGROSA PARA LOS SERES HUMANOS.EL OBJETIVO DEL PRESENTE PROYECTO DE INVESTIGACION ES DESARROLLAR UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS QUE PUEDAN EMITIR O DETECTAR RAYOS DE TERAHERCIOS. ESOS DISPOSITIVOS SE BASAN EN TECNOLOGIAS DE VANGUARDIA COMO LOS FINFET Y LOS NUEVOS MATERIALES 2D, POR EJEMPLO, EL GRAFENO. SE ESPERA QUE LA OSCILACION DE LOS PLASMONES EN EL SISTEMA BIDIMENSIONAL DEL DANAL DE UN FET DETECTE Y/O EMITA RADIACION DE TERAHERCIOS DE ACUERDO CON EL TRABAJO PIONERO DE LA TEORIA DYAKONOV-SHUR. LA OSCILACION PODRIA ALCANZAR EL RANGO DE THZ. LAS VENTAJAS DE ESOS SENSORES SON: (I) BAJO COSTO (II) TIEMPO DE RESPUESTA MAS RAPIDO EN COMPARACION CON EL DETECTOR TERMICO (BOLOMETROS, PIROELECTRICOS O DE SI) (III) OPERACION A TEMPERATURA AMBIENTE Y (IV) INTEGRACION EN TECNOLOGIA DE SILICIO. EL EQUIPO CONCENTRARA SU TRABAJO EN DOS TECNOLOGIAS: NUEVOS MATERIALES 2D (GRAFENO Y MOS2) BASADOS EN TRANSISTORES Y FET DE SILICIO (SI/GE FETS & FINFETS). AMBAS TECNOLOGIAS SON DE INTERES POR RAZONES MUY DIFERENTES: LOS FET DE GRAFENO (GFET) SE PROPONEN A PARTIR DE LA INVESTIGACION FUNDAMENTAL Y SON TECNOLOGICAMENTE INMADUROS (BAJO RENDIMIENTO Y BAJA FIABILIDAD) A LA VEZ QUE SON EXTREMADAMENTE ATRACTIVOS PARA LAS APLICACIONES DE THZ DEBIDO A SU MOVILIDAD DE CANAL EXTREMA (SUPERIOR A 100.000 CM2 / V A TEMPERATURA AMBIENTE) Y A LA ALTA EFICIENCIA DE LA INTERACCION LUZ-MATERIA. LOS FINFET SON LA ULTIMA GENERACION DE TRANSISTORES COMERCIALES CON TOPOLOGIA DE PUERTA MUY CORTA Y SU DISPONIBILIDAD HACE DE ELLA UN EXCELENTE CANDIDATO PARA CONSTRUIR DETECTORES DE THZ MUY CERCA DEL MERCADO. LOS FET BASADOS EN MATERIALES 2D SE FABRICARAN EN LA SALA LIMPIA DE LA USAL DONDE EL EQUIPO HA DESARROLLADO UNA CONFIGURACION QUE PERMITIO LA FABRICACION DE GFET DE ALTA CALIDAD A BASE DE GRAFENO ENCAPSULADO CON H-BN, QUE YA HA SIDO PROBADA COMO PRUEBA DE CONCEPTO COMO DETECTOR DE THZ A BAJA TEMPERATURA. SE SIMULARAN Y PRODUCIRAN DIFERENTES DISEÑOS BASADOS EN PUERTAS DUALES ASIMETRICAS Y EN ANTENAS PARA LA DETECCION DE TERAHERCIOS. PRODUCIREMOS UN GTERAFET CON UNA ANTENA INTEGRADA PARA MEJORAR SU RESPONSIVIDAD. TODOS LOS DISPOSITIVOS BAJO ESTUDIO SE MEDIRAN EN EL RANGO 0. 15 A 5 THZ. ESTE PROYECTO TIENE COMO OBJETIVO REDUCIR EL "THZ GAP" UTILIZANDO LAS TECNOLOGIAS GTERAEFT Y FINFETS PARA CONSTRUIR SENSORES DE THZ CUYO RENDIMIENTO ESTARA MAS ALLA DEL ESTADO DEL ARTE EN TERMINOS DE RESPONSABILIDAD Y NEP (POTENCIA EQUIVALENTE AL RUIDO) EN COMPARACION CON LOS DISPOSITIVOS DE ESTADO SOLIDO EXISTENTES. INVESTIGAREMOS SU TIEMPO DE RESPUESTA Y EL COMPORTAMIENTO DE RESONANCIA QUE SE ESPERA PARA DISPOSITIVOS CON ALTA MOVILIDAD DE PORTADOR. SE HARA UN ESFUERZO ESPECIAL PARA LA EMISION DE RAYOS THZ DE ESOS DISPOSITIVOS MEDIANTE EL USO DE NUESTRAS CONFIGURA ANOTECNOLOGIA\SENSORES\FDTD\TCAD\ONDAS DE PLASMA\FINFET\MATERIALES 2D\FETS DE GRAFENO\TERAHERCIOS

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