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TEC2012-32777

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SIMULACION Y DESARROLLO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN THZ

ESTE PROYECTO IMPLEMENTA CONCEPTOS RECIENTES EN SENSORES DE ESTADO SOLIDO EN PARA DETECCION DIRECTA DE SEÑALES EN EL RANGO DE FRECUENCIAS DE THZ. SE PROPONE ESTUDIAR LAS PRESTACIONES COMO SENSORES Y FUENTES DE THZ DE TRANSISTORES... ver más

01/01/2012

USAL

107K€

Presupuesto del proyecto: 107K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2012-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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USAL

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1149

Presupuesto del proyecto 107K€

Descripción del proyecto ESTE PROYECTO IMPLEMENTA CONCEPTOS RECIENTES EN SENSORES DE ESTADO SOLIDO EN PARA DETECCION DIRECTA DE SEÑALES EN EL RANGO DE FRECUENCIAS DE THZ. SE PROPONE ESTUDIAR LAS PRESTACIONES COMO SENSORES Y FUENTES DE THZ DE TRANSISTORES FET EN TRES TECNOLOGIAS DE SEMICONDUCTORES: HETEROUNIONES III-V SOBRE SUBSTRATO DE INP, HETEROUNIONES IV-IV (SI/SIGE) SOBRE OBLEA DE SI Y NANOHILOS DE SI (SI NW FET). PARA EL ESTUDIO Y DISEÑO SE UTILIZA MODELIZACION TCAD QUE ACOPLA EL MODELO HIDRODINAMICO DE TRANSPORTE DE CARGA CON UNA RESOLUCION DE LAS ECUACIONES DE MAXWELL (EM SOLVER) QUE PERMITA ANALIZAR EL ACOPLAMIENTO ENTRE LA RADIACION EM DE THZ Y EL TRANSISTOR. LAS SIMULACIONES BUSCAN OPTIMIZAR LA DETECCION/EMISION EN THZ CON DIVERSAS GEOMETRIAS DE LA PUERTA (PUERTA AUTOALINEADA, PUERTA ASIMETRICA DOBLEMENTE INTERDIGITADA, ) Y HACER UN ESTUDIO PRECISO DEL ACOPLAMIENTO DE LA RADIACION EN THZ SOBRE EL SENSOR/EMISOR O A TRAVES DE UNA ANTENA, CUYO DISEÑO TAMBIEN SE ABORDA, PARA REALIZAR TMICS (TERAHERTZ MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS).EL ESTUDIO A ESCALA NANOMETRICA DE LOS TRANSISTORES EMPLEADOS COMO SENSORES DE THZ REVELA QUE PUEDE EXISTIR UN FUERTE ACOPLAMIENTO ENTRE LOS FONONES DE LA RED CRISTALINA DEL SEMICONDUCTOR Y LOS MODOS PLASMONICOS EN EL CANAL DEL DISPOSITIVO (TANTO EN LA PARTE RECUBIERTA POR LA PUERTA GATED PLASMONS, MUY EFICACES EN EL ACOPLAMIENTO A LA RADIACION THZ COMO EN LA NO CUBIERTA UNGATED PLASMONS , QUE TIENDEN A RELAJAR LA RADIACION RECIBIDA EN MODOS EVANESCENTES) QUE CONDICIONE LA EFICIENCIA DE LA RESPUESTA DEL TRANSISTOR A LA EXCITACION ELECTROMAGNETICA EN EL RANGO DE THZ. SE DESARROLLA UN CODIGO MONTE CARLO DE TRANSPORTE DE FONONES QUE SE INTEGRARA CON EL YA EXISTENTE DE TRANSPORTE DE ELECTRONES Y HUECOS CON EL FIN DE ANALIZAR EL ACOPLAMIENTO FONON-PLASMON EN EL CANAL. EL PROYECTO TIENE TAMBIEN UN FUERTE CARACTER EXPERIMENTAL, NUESTRO GRUPO CARACTERIZARA LA RESPUESTA ESPECTRAL, EN EL RANGO DE 0.2-3 THZ, DE LOS DETECTORES/EMISORES DISEÑADOS USANDO UN SISTEMA DE ESPECTROSCOPIA EN EL DOMINIO DEL TIEMPO (THZ-TDS) DESARROLLADO EN NUESTRO GRUPO, ESTE SISTEMA USA ANTENAS FOTOCONDUCTORAS SOBRE LTG GAAS Y UN LASER PULSADO DE FEMTO-SEGUNDO (TI:ZAFIRO) COMO FUENTE DE EXCITACION. ESTE SISTEMA SE EXTENDERA EN EL PROYECTO PARA PERMITIR ESTUDIOS EN MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES USANDO UNA TECNICA DEL TIPO OPTICAL-PUMP-THZ-PROBE.

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