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PID2020-115842RB-I00

Financiado

NANODISPOSITIVOS ULTRARRAPIDOS Y EFICIENTES PARA COMUNICACIONES Y ESPECTROSCOPIA...

NANODISPOSITIVOS ULTRARRAPIDOS Y EFICIENTES PARA COMUNICACIONES Y ESPECTROSCOPIA DE THZ BASADOS EN SEMICONDUCTORES DE GAP ANCHO Y ESTRECHO ESTE AMBICIOSO PROYECTO APROVECHARA EL AMPLIO PERSONAL Y LAS COLABORACIONES INTERNACIONALES DEL GRUPO DE INVESTIGACION EN DISPOSITIVOS NANOELECTRONICOS DE ALTA FRECUENCIA DE LA UNIV, DE SALAMANCA CON EL OBJETIVO DE AVANZAR EN EL D... ver más

01/01/2020

USAL

119K€

Presupuesto del proyecto: 119K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1146

Ver Participantes

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01

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Participantes

USAL

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA

Total investigadores 1146

Presupuesto del proyecto 119K€

Descripción del proyecto ESTE AMBICIOSO PROYECTO APROVECHARA EL AMPLIO PERSONAL Y LAS COLABORACIONES INTERNACIONALES DEL GRUPO DE INVESTIGACION EN DISPOSITIVOS NANOELECTRONICOS DE ALTA FRECUENCIA DE LA UNIV, DE SALAMANCA CON EL OBJETIVO DE AVANZAR EN EL DESARROLLO DE UNA AMPLIA GAMA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE ALTA FRECUENCIA, QUE SERAN SIMULADOS, CARACTERIZADOS Y FABRICADOS, LOS OBJETIVOS DE LA INVESTIGACION SERAN MEJORAR LA EFICIENCIA ENERGETICA DE LOS DISPOSITIVOS Y AMPLIAR SUS FUNCIONALIDADES ALCANZANDO EL RANGO DE FRECUENCIAS DE THZ, LA INTENCION A MEDIO PLAZO ES TRASLADAR LOS DESARROLLOS REALIZADOS SOBRE LAS DIFERENTES TECNOLOGIAS OBJETO DE ESTE PROYECTO A SISTEMAS CON APLICACIONES PRACTICAS EN LOS CAMPOS DE LAS COMUNICACIONES ULTRARRAPIDAS (TANTO PARA TRANSMISORES COMO PARA RECEPTORES) Y DE LOS SENSORES PARA ESPECTROSCOPIA DE THZ,SE ESTUDIARAN TANTO DISPOSITIVOS CON ARQUITECTURAS CLASICAS, COMO LOS DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY, LOS DIODOS GUNN Y LOS TRANSISTORES HEMT, ASI COMO ESTRUCTURAS NOVEDOSAS, COMO LOS SELF-SWITCHING DIODES (SSD) Y LOS SSD CON PUERTA (G-SSD), CON LA CARACTERISTICA COMUN DE QUE TODOS SE BASAN EN SEMICONDUCTORES III-V, CONCRETAMENTE EN INGAAS COMO SEMICONDUCTOR DE GAP ESTRECHO (ORIENTADO A APLICACIONES DE BAJA POTENCIA Y FRECUENCIA ULTRA-ALTA, POR ENCIMA DE 300 GHZ) Y GAN COMO SEMICONDUCTOR DE GAP ANCHO (ORIENTADO A APLICACIONES DE ALTA POTENCIA POR DEBAJO DE 300 GHZ),SE ESTUDIARAN DOS ENFOQUES DISTINTOS PARA LA GENERACION DE SEÑALES DE THZ, DIODOS GUNN (EN INGAAS Y GAN) Y FUENTES BASADAS EN MULTIPLICADORES DE FRECUENCIA USANDO DIODOS DE BARRERA SCHOTTKY, EN ESTE ULTIMO CASO, SE UTILIZARAN DIODOS DE GAN DE ALTA POTENCIA, POR LO QUE ALGUNOS DE LOS PRINCIPALES TEMAS A ABORDAR SERAN EL ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE AUTOCALENTAMIENTO Y LA OPTIMIZACION DE LA TENSION DE RUPTURA, LOS DIODOS GUNN CON PUERTA USANDO LA ARQUITECTURA G-SSD PERMITIRAN LA MODULACION DIRECTA DE LA SEÑAL EMITIDA (CON UNA SIMPLE CODIFICACION ON-OFF), DE MODO QUE SE PUEDE PLANTEAR SU APLICACION PRACTICA EN COMUNICACIONES DE ALTA VELOCIDAD, ADEMAS, PERMITIRIAN UNA AMPLIA SINTONIZACION DE SU FRECUENCIA, POR LO QUE LA ESPECTROSCOPIA DE THZ ES OTRO IMPORTANTE CAMPO DE POSIBLES APLICACIONES DE LOS RESULTADOS DEL PROYECTO, EL FLANCO DE LA DETECCION DE THZ SE ABORDARA, POR UN LADO, MEDIANTE LA TECNOLOGIA CLASICA DE DIODOS SCHOTTKY (CON LA NOVEDAD DE LA CAPACIDAD DE ALTA POTENCIA DE GAN) Y, POR OTRO, CON EL CONCEPTO MAS INNOVADOR DE LOS TERAFET (TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, FETS, UTILIZADOS COMO DETECTORES DE THZ), UTILIZANDO HEMTS Y G-SSDS, DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES\NANODIODOS\DIODOS GUNN\DIODOS SCHOTTKY\TERAHERCIOS\ONDAS SUBMILLIMETRICAS\ALTA POTENCIA\DETECTORES DE RF\FUENTES DE TERAHERCIOS

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