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TEC2017-83910-R

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TECNOLOGIAS DE DIODOS DE GAN PARA GENERACION Y DETECCION EN LA BANDA DE SUBTERAH...

TECNOLOGIAS DE DIODOS DE GAN PARA GENERACION Y DETECCION EN LA BANDA DE SUBTERAHERCIOS CON EL OBJETIVO DE CONSEGUIR UN USO GENERALIZADO DE LAS TECNOLOGIAS DE TERAHERCIOS, PROPONEMOS LA FABRICACION DE EMISORES Y DETECTORES DE ESTADO SOLIDO FUNCIONANDO A FRECUENCIAS DE SUBTERAHERCIO APROVECHANDO LAS PROPIEDADES DEL GA... ver más

01/01/2017

USAL

161K€

Presupuesto del proyecto: 161K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1150

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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USAL

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1150

Presupuesto del proyecto 161K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto CON EL OBJETIVO DE CONSEGUIR UN USO GENERALIZADO DE LAS TECNOLOGIAS DE TERAHERCIOS, PROPONEMOS LA FABRICACION DE EMISORES Y DETECTORES DE ESTADO SOLIDO FUNCIONANDO A FRECUENCIAS DE SUBTERAHERCIO APROVECHANDO LAS PROPIEDADES DEL GAN Y LAS VENTAJAS DE UTILIZAR DOS TIPOS DIFERENTES DE DISPOSITIVOS: UNO CLASICO, EL DIODO DE BARRERA SCHOTTKY (SBD), Y UNA NUEVA ESTRUCTURA, EL DISPOSITIVO SSD CON PUERTA (G-SSD), ESTE ULTIMO ES EL RESULTADO DE AÑADIR UN TERMINAL DE PUERTA COLOCADO EN LA PARTE SUPERIOR A LOS NANODIODOS NO LINEALES DENOMINADOS DIODOS AUTOCONMUTANTES (SELF-SWITCHING DIODES, SSD), ESTOS DISPOSITIVOS ESTAN BASADOS EN ESTRUCTURAS CON NANOCANALES ASIMETRICOS QUE EN LOS ULTIMOS AÑOS HAN DEMOSTRADO EXCELENTES PROPIEDADES COMO DETECTORES EN LA BANDA DE TERAHERCIOS, POR MEDIO DEL ELECTRODO DE PUERTA DE LOS G-SSDS ES POSIBLE CONTROLAR LA CONCENTRACION DE PORTADORES EN EL CANAL Y POR LO TANTO EL FLUJO DE CORRIENTE A TRAVES DEL DIODO, QUE ESTA DIRECTAMENTE RELACIONADO CON SU NOLINEALIDAD Y, POR TANTO, CON SU RESPONSIVIDAD CUANDO ACTUA COMO DETECTOR, ADEMAS, NOS PROPONEMOS UTILIZAR LA ARQUITECTURA G-SSD PARA LA FABRICACION DE FUENTES DE SUBTERAHERCIOS BASADAS EN LA GENERACION DE OSCILACIONES GUNN QUE, APROVECHANDO LAS VENTAJAS QUE NOS PROPORCIONA LA OPTIMIZACION DE LA GEOMETRIA DE LOS DISPOSITIVOS, Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR, GAN, PERMITIRAN MEJORAR PARAMETROS IMPORTANTES DE LAS FUENTES DE ALTA FRECUENCIA COMO LA POTENCIA GENERADA, EL VOLTAJE UMBRAL, LA EFICIENCIA Y LA DISIPACION TERMICA, ADEMAS, PARA CONSEGUIR POR PRIMERA VEZ GENERAR OSCILACIONES GUNN EN GAN, UN RESULTADO MUY CODICIADO POR LA COMUNIDAD INTERNACIONAL, USAREMOS UN NUEVO PROCESO TECNOLOGICO BASADO EN LA UTILIZACION DE CAPAS DE GAN DOPADAS,INCLUSO SI LOS G-SSDS RESULTARAN ADECUADOS PARA LA MEJORA DE LA NO LINEALIDAD DE LOS SSDS, EL DISPOSITIVO NO LINEAL POR EXCELENCIA PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA SIGUE SIENDO ACTUALMENTE EL DIODO DE BARRERA SCHOTKKY (SBD), DADA SU INHERENTE CARACTERISTICA I-V EXPONENCIAL, ADEMAS, LA YA MADURA TECNOLOGIA DE LOS SBD DE GAAS ES LA PREFERIDA NO SOLO PARA APLICACIONES DE DETECCION EN THZ SINO TAMBIEN PARA EL DISEÑO DE FUENTES DE THZ BASADAS EN LA MULTIPLICACION DE FRECUENCIAS, POR ELLO, EN ESTE PROYECTO NOS PROPONEMOS TAMBIEN FABRICAR SBDS BASADOS EN GAN, INTENTANDO SUPERAR LAS LIMITACIONES IMPUESTAS POR EL BAJO CAMPO DE RUPTURA Y LA MODERADA CONDUCTIVIDAD TERMICA DEL GAAS, POR MEDIO DE ESTAS DOS ALTERNATIVAS COMPLEMENTARIAS, G-SSDS Y SBDS, AMBAS SOBRE GAN, INTENTAMOS SOLVENTAR EL OBSTACULO PRINCIPAL QUE EXISTE TANTO PARA LA FABRICACION DE GENERADORES COMO DE DETECTORES DE DE ALTA POTENCIA A FRECUENCIAS DE SUBTERAHERCIOS, SE EMPLEARAN SIMULACIONES MONTE CARLO PARA ANALIZAR LOS PROCESOS FISICOS QUE RIGEN EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS Y PARA EL DISEÑO DE ESTRUCTURAS OPTIMIZADAS QUE LUEGO SE FABRICARAN, EN LA SALA BLANCA DE LA UNIVERSIDAD DE SALAMANCA SE REALIZARAN DISPOSITIVOS BASICOS PARA SER UTILIZADOS COMO TEST, MIENTRAS QUE EN IEMN (FRANCIA) SE FABRICARAN LOS DISPOSITIVOS OPTIMIZADOS, FINALMENTE LOS DISPOSITIVOS SERAN CARACTERIZADOS ELECTRICAMENTE Y EN ESPACIO LIBRE EN EL RANGO DE SUBTHZ, COMPLETANDO ASI UN CICLO DE REALIMENTACION CONTINUA ENTRE LA CARACTERIZACION, LAS ACTIVIDADES DE MODELADO Y LA TECNOLOGIA DE FABRICACION QUE PERMITIRA CONSEGUIR LA MEJORA DE LAS PRESTACIONES DE LOS DISPOSITIVOS LO LARGO DEL DESARROLLO DEL PROYECTO, TECNOLOGÍA DE GAN\NANODIODOS\DIODOS GUNN\DIODOS SCHOTTKY\SUBTERAHERCIOS\ONDAS SUBMILLIMÉTRICAS\ALTA POTENCIA\DETECTORES DE RF\FUENTES DE TERAHERCIOS

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