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TEC2008-04501

Financiado

ANALISIS DE FENOMENOS DINAMICOS HOSTILES EN TECNOLOGIAS CMOS NANOMETRICAS: APLIC...

ANALISIS DE FENOMENOS DINAMICOS HOSTILES EN TECNOLOGIAS CMOS NANOMETRICAS: APLICACION A DISEÑO Y TEST EL ESCALADO DE LA TECNOLOGIA CMOS POR DEBAJO DE LA BARRERA DE LOS 100NM HA SUPUESTO UN CAMBIO DE PARADIGMA IMPORTANTE EN RELACION A LOS MECANISMOS QUE PUEDEN DAR LUGAR A UN FUNCIONAMIENTO ERRONEO DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS, ESTE... ver más

01/01/2008

UIB

294K€

Presupuesto del proyecto: 294K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE LAS ISLAS BALEARES No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 20

Ver Participantes

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2008-01-01

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Participantes

UIB

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE LAS ISLAS BALEARES

Total investigadores 20

Presupuesto del proyecto 294K€

Descripción del proyecto EL ESCALADO DE LA TECNOLOGIA CMOS POR DEBAJO DE LA BARRERA DE LOS 100NM HA SUPUESTO UN CAMBIO DE PARADIGMA IMPORTANTE EN RELACION A LOS MECANISMOS QUE PUEDEN DAR LUGAR A UN FUNCIONAMIENTO ERRONEO DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS, ESTE CAMBIO DE PARADIGMA SE BASA EN LA AMPLIACION DE LAS CAUSAS QUE PUEDEN DAN LUGAR A FALLOS EN LOS CIRCUITOS, PASANDO DE LOS DEFECTOS FISICOS (ALTERACIONES DE LA ESTRUCTURA DEL CIRCUITO ACAECIDAS DURANTE LA FABRICACION U OPERACION DEL MISMO ¿ ESTO ES FUNDAMENTALMENTE, DEFECTOS TIPO ABIERTO O CORTOCIRCUTO), A INCORPORAR OTROS MECANISMOS DEBIDOS BIEN A VARIACIONES ESTADISTICAS (OBJETO DEL PROYECTO DE INVESTIGACION TEC2005-06712 QUE AHORA FINALIZARA), BIEN A MECANISMOS DINAMICOS (OBJETO DEL PROYECTO QUE SE SOLICITA), ES DECIR, SE HA PASADO DE LOS LLAMADOS ¿HARD DEFECTS¿ (AQUELLOS QUE PUEDEN OBSERVARSE VISUALMENTE), A INCLUIR TAMBIEN LOS ¿SOFT DEFECTS¿, COMO AQUELLOS DEFECTOS QUE NO SON PERMANENTES O NO PUEDEN OBSERVARSE VISUALMENTE, LAS CARACTERISTICAS DE LOS CIRCUITOS ACTUALES HACEN NECESARIO REVISAR EL IMPACTO DE UN CONJUNTO DE MECANISMOS QUE, DEBIDO AL ESCALADO DE LAS DIMENSIONES Y MARGENES DE OPERACION ACTUALES, AMENAZAN SERIAMENTE LA CONTINUACION DEL CAMINO DE RUTA MARCADO POR LA INDUSTRIA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS, DICHOS FENOMENOS INCLUYEN LA SUSCEPTIBILIDAD A LOS FENOMENOS TRANSITORIOS CAUSADOS POR LA RADIACION IONIZANTE PARA APLICACIONES QUE TRABAJAN A NIVEL DEL MAR (SEU Y SET), ASI COMO EL IMPACTO DE LOS FENOMENOS DE RUIDO SOBRE LA CREACION DE FENOMENOS TRANSITORIOS SIMILARES A LOS CAUSADOS POR LA RADIACION,EL PROYECTO QUE SE PROPONE TIENE COMO OBJETIVO CENTRAL DESARROLLAR UNA METODOLOGIA DE ANALISIS BASADA EN DESARROLLO DE MODELOS COMPACTOS QUE PERMITA ESTABLECER QUE REGIONES DEL CIRCUITO SON MAS SUSCEPTIBLES A UN FENOMENO SET Y A SU PROPAGACION HASTA CAUSAR UN SEU, SE INCLUIRA UNA TECNICA DE REDISEÑO DE LAS PARTES MAS CRITICAS FRENTE A ESTE FENOMENO, INCREMENTANDO ASI LA ROBUSTEZ DEL CIRCUITO, POR OTRA PARTE, SE DESARROLLARA UNA ARQUITECTURA ESPECIFICA PARA MEMORIAS DE SEMICONDUCTOR BASADA EN LA VIGILANCIA DE LA CORRIENTE DE CONSUMO DINAMICA QUE PERMITA DETECTAR LA APARICION DE UN FENOMENO SEU NO SOLO DURANTE EL PERIODO DE LATENCIA DE LA MISMA, SINO TAMBIEN DURANTE LOS PERIODOS DE LECTURA/ESCRITURA, REALIZANDO ASI UNA APORTACION SIGNIFICATIVA AL ESTADO DEL ARTE, SIGUIENDO LA TRADICION DEL GRUPO SE CONJUGA UN RIGUROSO ESTUDIO TEORICO ORIENTADO A DESCRIBIR Y ENTENDER LOS MECANISMOS SUBYACENTES Y SU FENOMENOLOGIA, CON LA VERIFICACION EXPERIMENTAL DE LOS METODOS Y MODELOS DESARROLLADOS, ADEMAS DE PROPORCIONAR TECNICAS Y HERRAMIENTAS QUE AYUDEN A MEJORAR EL ESTADO ACTUAL DE LA TECNICA, Circuitos integrados CMOS\radiación ionizante\SEU\SET\testeo CIs\herramientas

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