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TEC2013-41209-P

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ANALISIS Y TECNICAS DE MEJORA DE LA ROBUSTEZ Y SEGURIDAD DE CIRCUITOS NANOMETRIC...

ANALISIS Y TECNICAS DE MEJORA DE LA ROBUSTEZ Y SEGURIDAD DE CIRCUITOS NANOMETRICOS EN PRESENCIA DE ATAQUES, DEFECTOS, VARIABILIDAD Y AGING LOS CIRCUITOS INTEGRADOS (CIS) ACTUALES PERMITEN INCORPORAR SOBRE EL MISMO SUBSTRATO UN NUMERO CRECIENTE DE DISPOSITIVOS CAPACES DE REALIZAR FUNCIONES HETEROGENEAS COMPLEJAS (PROCESO DIGITAL, MEMORIAS EMBEBIDAS Y CIRCUITOS DE SEÑA... ver más

01/01/2013

UPC

123K€

Presupuesto del proyecto: 123K€

Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPC

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Líder del proyecto

Universidad Politécnica de Cataluña No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 9

Presupuesto del proyecto 123K€

Descripción del proyecto LOS CIRCUITOS INTEGRADOS (CIS) ACTUALES PERMITEN INCORPORAR SOBRE EL MISMO SUBSTRATO UN NUMERO CRECIENTE DE DISPOSITIVOS CAPACES DE REALIZAR FUNCIONES HETEROGENEAS COMPLEJAS (PROCESO DIGITAL, MEMORIAS EMBEBIDAS Y CIRCUITOS DE SEÑAL MIXTA ANALOGICO-DIGITALES), SIN EMBARGO, LA CONTINUA DEMANDA DE MEJORES PRESTACIONES DE ESTOS CIS CONLLEVA UN DRAMATICO AUMENTO DE LOS EFECTOS DERIVADOS DE LA MINIATURIZACION, ENTRE LAS PRINCIPALES CAUSAS QUE AMENAZAN SU FIABILIDAD SE ENCUENTRAN LOS DEFECTOS DE FABRICACION, LA VARIABILIDAD TANTO DEL PROPIO PROCESO DE FABRICACION (P) COMO DE LAS CONDICIONES DE TRABAJO DEL CIRCUITO (VOLTAGE Y TEMPERATURA, VT) Y, POR ULTIMO, EL ENVEJECIMIENTO (AGING, A) CAUSADO POR EL DESGASTE DERIVADO DE LA ACTIVIDAD, EN ESTE CONTEXTO, SE REQUIERE LA APLICACION DE NUEVAS ESTRATEGIAS QUE MEJOREN LA ROBUSTEZ Y GARANTIZEN LAS ESPECIFICACIONES SOBRE LA CALIDAD DEL PRODUCTO FINAL,PARA CONTINUAR CON EL NIVEL DE MINIATURIZACION, UNA DE LA ALTERNATIVAS RECIENTES MAS PROMETEDORAS ES EL APILADO DE DADOS DE SILICIO PARA CONSEGUIR LOS LLAMADOS CIRCUITOS INTEGRADOS 3D, SIN EMBARGO, LA INTRODUCCION DE ESTOS CONLLEVA LA APARICION DE NUEVOS RETOS QUE VAN A CAMBIAR LOS PARADIGMAS DEL TEST, DE HECHO, EL INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS UPDATE DEL 2012 (ITRS 2012) IDENTIFICA LA NECESIDAD DE VERIFICAR CIRCUITOS 3D COMO UNO DE LOS MOTORES CLAVE DEL TEST, Y LA FIABILIDAD DE LAS TSVS COMO UNO DE SUS MAYORES DESAFIOS, POR OTRO LADO, EN CIERTAS APLICACIONES LOS CIS PROCESAN INFORMACION DONDE LA SEGURIDAD ES UN FACTOR CRITICO, EN ESTE SENTIDO, LA SEGURIDAD EN CIRCUITOS CRITICOS DE SEGURIDAD (SECURITY CRITICAL CHIP) NECESITA DE MEJORAS CONSTANTES FRENTE A LAS TECNICAS DE ATAQUE FISICOS, EN CONCRETO, EL DISEÑO DE CIRCUITOS DETECTORES DE ATAQUES EMBEBIDOS Y LA MITIGACION DE LOS EFECTOS DEL ENVEJECIMIENTO EN LAS FUNCIONES NO CLONABLES PUEDEN VERSE MEJORADOS GRACIAS A LA UTILIZACION DE TECNICAS BIEN CONOCIDAS EN EL AMBITO DEL TEST, EL PROYECTO PROPUESTO SE CENTRA EN LA INVESTIGACION Y EL DESARROLLO DE NUEVAS ESTRATEGIAS PARA LA MEJORA DE LA ROBUSTEZ Y LA SEGURIDAD DE CIS EN PRESENCIA DE ATAQUES, DEFECTOS, VARIABILIDAD Y ENVEJECIMIENTO,LOS OBJETIVOS GENERALES DEL PROYECTO SE RESUMEN A CONTINUACION:A- PROPONER NUEVOS MODELOS, A NIVEL ELECTRICO, DE DEFECTOS EN EL INTERCONEXIONADO DE CIRCUITOS APILADOS 3D, LOS MODELOS SERAN VALIDOS PARA ALTA VARIABILIDAD PVTA (PROCESS, VOLTAGE, TEMPERATURE, AGING), A1, MODELO DE DEFECTO TIPO ABIERTO, A2, MODELO DE DEFECTO TIPO PUENTE,B- PROPONER METODOS DE TEST Y ESTRATEGIAS BIST (BUILT-IN-SELF-TEST), QUE CONSIDEREN LA VARIABILIDAD PVTA, PARA EL AUMENTO DE LA FIABILIDAD EN CIRCUITOS INTEGRATOS APLICADO A: B1, EL INTERCONEXIADO DE CIRCUITOS 3D DURANTE EL PRE-BOND, B2, EL INTERCONEXIADO DE CIRCUITOS 3D DURANTE EL POS-BOND TEST, B3, MEMORIAS ENBEBIDAS 3D (ARQUITECTURAS RAM Y MEMORIAS EMERGENTES NVM), C- FACILITAR LA VERIFICACION DE ESPECIFICACIONES Y PROPONER PROCESOS DE CLASIFICACION (BINNING): C1, EN CIRCUITOS DE SEÑAL MIXTA (MIXED-SIGNAL) C2, EN CIRCUITOS MICROELECTROMECANICOS (MEMS),D-PROPONER METODOS PARA MEJORAR LA SEGURIDAD EN CIRCUITOS CRITICOS DE SEGURIDAD, D1, MEJORAR LA SEGURIDAD DE LAS CADENAS DE SCAN D2, DETECTAR ATAQUES FISICOS DESDE EL SUSTRATO DEL CIRCUITO INTEGRADO D3, MEJORAR LA ESTABILIDAD DE FUNCIONES PUF (PHYSICAL UNCLONABLE FUNCTIONS) MITIGANDO LOS EFECTOS DEL ENVEJECIMIENTO, ROBUSTEZ\ FIABILIDAD\ DEFECTO\ VARIABILIDAD\ AGING\ 3D\ TSV\ MIXED-SIGNAL\ MEM\ SEGURIDAD

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