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TEC2012-31292

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TOLERANCIA A VARIACIONES PVT Y RADIACION EN TECNOLOGIAS NANOMETRICAS

LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS FABRICADOS CON TECNOLOGIAS NANOMETRICAS SE ENCUENTRAN SOMETIDOS A NUMEROSAS INCERTIDUMBRES DEBIDAS A EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN QUE ANTES SE PODIAN DESPRECIAR PERO QUE AHORA LIMITAN LAS PRESTACIONES FIN... ver más

01/01/2012

UPM

205K€

Presupuesto del proyecto: 205K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2012-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3944

Presupuesto del proyecto 205K€

Descripción del proyecto LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS FABRICADOS CON TECNOLOGIAS NANOMETRICAS SE ENCUENTRAN SOMETIDOS A NUMEROSAS INCERTIDUMBRES DEBIDAS A EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN QUE ANTES SE PODIAN DESPRECIAR PERO QUE AHORA LIMITAN LAS PRESTACIONES FINALES DEL CIRCUITO Y EL RENDIMIENTO DE FABRICACION. TAL ES EL CASO DE VARIACIONES DE PROCESO, O VARIACIONES EN CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO (CAIDAS DE TENSION, PUNTOS CALIENTES, FALLOS POR RADIACION). EN ESTE PROYECTO SE PROPONEN TECNICAS A NIVEL DE CIRCUITO PARA CONSEGUIR DISEÑOS MAS ROBUSTOS AL SER CAPACES DE TOLERAR VARIACIONES PVT Y RADIACION. EN CONCRETO SE PROPONEN DOS OBJETIVOS FUNDAMENTALES:- DISEÑAR, SIMULAR Y FABRICAR SENSORES PARA LA MEDIDA DE VARIACIONES PVT QUE SE PUEDAN INTEGRAR EN UNA RED ON-CHIP DE MONITORIZACION DE VARIACIONES. SE PLANTEAN SENSORES DE CAMINO CRITICO (CON UN DOBLE OBJETIVO, MEDIR VARIACIONES DE PROCESO Y ENVEJECIMIENTO), SENSORES DE CONSUMO ESTATICO Y SENSORES DE VDD. TODOS ESTOS SENSORES HAN DE SER PEQUEÑOS, FACILMENTE INTEGRABLES EN CMOS, CON BAJO CONSUMO Y ORIENTADOS A LOS REQUISITOS DE LA MONITORIZACION DE LAS VARIACIONES PVT. SE INTEGRARAN EN UN CIRCUITO DEMOSTRADOR DE COMPLEJIDAD MEDIA.- ESTUDIAR Y PROPORCIONAR MECANISMOS DE TOLERANCIA A RADIACION EN CIRCUITOS DIGITALES MEDIANTE EL DISEÑO E IMPLEMENTACION DE UNA BIBLIOTECA DE CELULAS ESTANDAR BASICAS ENDURECIDAS FRENTE A RADIACION. SE IMPLEMENTARAN TECNICAS DE ENDURECIMIENTO A NIVEL FISICO (TRAZADO) Y LOGICO EN UN CONJUNTO DE PUERTAS BASICAS Y FLIP-FLOPS SUFICIENTE PARA SATISFACER LOS REQUISITOS DE LAS HERRAMIENTAS DE SINTESIS. SE REALIZARA UN ESTUDIO EN PROFUNDIDAD DEL COMPROMISO AREA-PRESTACIONES-GRADO DE TOLERANCIA A RADIACION. FINALMENTE, SE PROPONE EL DISEÑO DE DOS SENSORES, PARA ENVEJECIMIENTO (POR CAMINO CRITICO) Y TEMPERATURA, UTILIZANDO LAS TECNICAS DE TOLERANCIA A RADIACION REALIZADAS. ESTOS SENSORES SE PODRAN INTEGRAR EN APLICACIONES FUTURAS EN ENTORNOS SOMETIDOS A ALTA RADIACION, DONDE LA MONITORIZACION REMOTA JUEGA UN PAPEL DETERMINANTE.

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