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TEC2012-31292

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TOLERANCIA A VARIACIONES PVT Y RADIACION EN TECNOLOGIAS NANOMETRICAS

LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS FABRICADOS CON TECNOLOGIAS NANOMETRICAS SE ENCUENTRAN SOMETIDOS A NUMEROSAS INCERTIDUMBRES DEBIDAS A EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN QUE ANTES SE PODIAN DESPRECIAR PERO QUE AHORA LIMITAN LAS PRESTACIONES FIN... ver más

01/01/2012

UPM

205K€

Presupuesto del proyecto: 205K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3947

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2012-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UPM

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3947

Presupuesto del proyecto 205K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS FABRICADOS CON TECNOLOGIAS NANOMETRICAS SE ENCUENTRAN SOMETIDOS A NUMEROSAS INCERTIDUMBRES DEBIDAS A EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN QUE ANTES SE PODIAN DESPRECIAR PERO QUE AHORA LIMITAN LAS PRESTACIONES FINALES DEL CIRCUITO Y EL RENDIMIENTO DE FABRICACION. TAL ES EL CASO DE VARIACIONES DE PROCESO, O VARIACIONES EN CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO (CAIDAS DE TENSION, PUNTOS CALIENTES, FALLOS POR RADIACION). EN ESTE PROYECTO SE PROPONEN TECNICAS A NIVEL DE CIRCUITO PARA CONSEGUIR DISEÑOS MAS ROBUSTOS AL SER CAPACES DE TOLERAR VARIACIONES PVT Y RADIACION. EN CONCRETO SE PROPONEN DOS OBJETIVOS FUNDAMENTALES:- DISEÑAR, SIMULAR Y FABRICAR SENSORES PARA LA MEDIDA DE VARIACIONES PVT QUE SE PUEDAN INTEGRAR EN UNA RED ON-CHIP DE MONITORIZACION DE VARIACIONES. SE PLANTEAN SENSORES DE CAMINO CRITICO (CON UN DOBLE OBJETIVO, MEDIR VARIACIONES DE PROCESO Y ENVEJECIMIENTO), SENSORES DE CONSUMO ESTATICO Y SENSORES DE VDD. TODOS ESTOS SENSORES HAN DE SER PEQUEÑOS, FACILMENTE INTEGRABLES EN CMOS, CON BAJO CONSUMO Y ORIENTADOS A LOS REQUISITOS DE LA MONITORIZACION DE LAS VARIACIONES PVT. SE INTEGRARAN EN UN CIRCUITO DEMOSTRADOR DE COMPLEJIDAD MEDIA.- ESTUDIAR Y PROPORCIONAR MECANISMOS DE TOLERANCIA A RADIACION EN CIRCUITOS DIGITALES MEDIANTE EL DISEÑO E IMPLEMENTACION DE UNA BIBLIOTECA DE CELULAS ESTANDAR BASICAS ENDURECIDAS FRENTE A RADIACION. SE IMPLEMENTARAN TECNICAS DE ENDURECIMIENTO A NIVEL FISICO (TRAZADO) Y LOGICO EN UN CONJUNTO DE PUERTAS BASICAS Y FLIP-FLOPS SUFICIENTE PARA SATISFACER LOS REQUISITOS DE LAS HERRAMIENTAS DE SINTESIS. SE REALIZARA UN ESTUDIO EN PROFUNDIDAD DEL COMPROMISO AREA-PRESTACIONES-GRADO DE TOLERANCIA A RADIACION. FINALMENTE, SE PROPONE EL DISEÑO DE DOS SENSORES, PARA ENVEJECIMIENTO (POR CAMINO CRITICO) Y TEMPERATURA, UTILIZANDO LAS TECNICAS DE TOLERANCIA A RADIACION REALIZADAS. ESTOS SENSORES SE PODRAN INTEGRAR EN APLICACIONES FUTURAS EN ENTORNOS SOMETIDOS A ALTA RADIACION, DONDE LA MONITORIZACION REMOTA JUEGA UN PAPEL DETERMINANTE.

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