Innovating Works

MAT2013-47102-C2-2-R

Financiado
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ALEACIONES EMERGENTES DE NITRUROS DILUIDOS III-V Y NANOESTRUCTURAS RELACIONADAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS Y DE FOTODETECCION DE ALTA EFICIENCIA LAS ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DE GAASSBN SE HAN REVELADO COMO UNO DE LOS MATERIALES MAS PROMETEDORES PARA APLICACIONES FOTONICAS BASADAS EN GAAS, ESTE MATERIAL SE PUEDE CRECER EPITAXIALMENTE AJUSTADO EN RED AL GAAS Y TIENE UNA BA... ver más
01/01/2013
UPM
103K€
Presupuesto del proyecto: 103K€
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Líder del proyecto
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Total investigadores 3944
Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01
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