Innovating Works

MAT2010-16116

Financiado
PROPIEDADES OPTICAS DE MATERIALES OPTOELECTRONICOS Y FOTOVOLTAICOS
LOS AVANCES EN ILUMINACION DE ESTADO SOLIDO Y TECNOLOGIA DE LASERES HAN ORIGINADO UNA EXTRAORDINARIA EXPANSION DEL MERCADO DE LA OPTOELECTRONICA, EL RANGO ESPECTRAL DEL AZUL Y ULTRAVIOLETA CERCANO SE ENCUENTRA BIEN CUBIERTO POR EL... LOS AVANCES EN ILUMINACION DE ESTADO SOLIDO Y TECNOLOGIA DE LASERES HAN ORIGINADO UNA EXTRAORDINARIA EXPANSION DEL MERCADO DE LA OPTOELECTRONICA, EL RANGO ESPECTRAL DEL AZUL Y ULTRAVIOLETA CERCANO SE ENCUENTRA BIEN CUBIERTO POR EL GAN Y LAS ALEACIONES INGAN RICAS EN GA Y ALGAN, EN LA REGION DEL AZUL AL VERDE, EL INXGA1-XN CON X< 0,3 TIENE UN PAPEL DOMINANTE, LA REVISION DEL VALOR DEL GAP DEL INN (0,64 EV) HA DADO UN IMPULSO A LA INVESTIGACION DE LOS NITRUROS DEL GRUPO III DE GAP PEQUEÑO, CON LOS QUE SE PUEDE CUBRIR EL RANGO ESPECTRAL DESDE 1,9 (INN) HASTA 0,36 (GAN) Y 0,2 MICRAS (ALN), ESTOS SISTEMAS SON DE GRAN INTERES EN APLICACIONES PARA COMUNICACION OPTICA Y GENERACION FOTOVOLTAICA, LAS MEJORES PRESTACIONES PREDICHAS PARA DISPOSITIVOS DE NANOESTRUCTURAS HA IMPULSADO LA INVESTIGACION EN NANOCOLUMNAS (NC) Y ESTRUCTURAS DE POZOS CUANTICOS (QW) EN NITRUROS DEL GRUPO III, A PESAR DEL EXITO EN EL FUNCIONAMIENTO DE DISPOSITIVOS, MUCHAS DE LAS PROPIEDADES FUNDAMENTALES DE ESTOS MATERIALES SON AUN POCO CONOCIDAS,EN ESTE PROYECTO SE ESTUDIARAN LAS PROPIEDADES OPTICAS DE ESTOS MATERIALES, SE INVESTIGARAN CAPAS EPITAXIALES DE INN CRECIDAS EN DIFERENTES CONDICIONES EN CARAS POLARES, SEMIPOLARES Y NO POLARES, CON ESPECIAL ENFASIS EN LA DENSIDAD ELECTRONICA RESIDUAL Y EL ACOPLAMIENTO DE LOS PLASMONES CON LOS FONONES LO, CUESTIONES SIN RESOLVER ACERCA DE LA ACUMULACION SUPERFICIAL DE ELECTRONES EN INN SERAN ABORDADAS MEDIANTE MEDIDAS RAMAN (RS) BAJO UN CAMPO ELECTRICO APLICADO MEDIANTE LA TECNICA DE ELECTROLITOS EN DISOLUCION, SI SE OBTIENEN MUESTRAS DE INN DE TIPO P, SE ESTUDIARA EL ACOPLAMIENTO DE LOS HUECOS CON LOS FONONES LO, LOS CAMBIOS EN LA DENSIDAD ELECTRONICA INDUCIDOS POR LA IRRADIACION CON H+ Y HE+ SERAN ESTUDIADOS SISTEMATICAMENTE EN IN(GA)N PARA OBTENER INFORMACION SOBRE LA ENERGIA DE ESTABILIZACION DE FERMI EN FUNCION DEL CONTENIDO DE IN,EN RELACION A LAS NANOESTRUCTURAS, NOS CENTRAREMOS EN LAS PROPIEDADES OPTICAS DE NCS DE IN(GA)N AUTO-ENSAMBLADAS Y ORDENADAS, ASI COMO EN QWS PARA DETECTORES DE IR, ESTUDIOS DE RS NOS PERMITIRAN CARACTERIZAR LA CALIDAD ESTRUCTURAL Y LA COMPOSICION DE NCS CRECIDAS BAJO DIFERENTES CONDICIONES, LA PRESENCIA DE CARGA LIBRE Y SU ACOPLAMIENTO CON LOS FONONES LO EN NCS DOPADAS Y LA CALIDAD DE LAS INTERCARAS EN SUPER-REDES DE GAN/AL(GA)N, MEDIANTE EL ESTUDIO DE PLASMONES INTERSUBBANDA POR RS SE ANALIZARAN LOS NIVELES ENERGETICOS DE LAS SUBBANDAS ELECTRONICAS EN LOS QWS DE GAN/AL(GA)N,SE IMPLEMENTARA UN SISTEMA DE PRESION HIDROSTATICA QUE NOS PERMITIRA INVESTIGAR EL COMPORTAMIENTO BAJO PRESION DE PROPIEDADES FUNDAMENTALES COMO LA ENERGIA DEL GAP, INDICES DE REFRACCION, FRECUENCIAS DE FONONES, ETC, MEDIDAS DE RS DE MODOS ACOPLADOS PLASMON-FONON LO BAJO PRESION HIDROSTATICA DARAN NUEVA INFORMACION SOBRE LA MASA EFECTIVA ELECTRONICA EN INN Y EN ALEACIONES DILUIDAS GA(IN)ASN,LAS ALEACIONES BASADAS EN ZNO DESPIERTAN INTERES DEBIDO A LA POSIBILIDAD DE AJUSTAR LA ENERGIA DEL GAP EN UN AMPLIO RANGO, ESTUDIAREMOS LAS PROPIEDADES DE EMISION Y VIBRACIONALES DEL ZNO DOPADO CON AL, GA, E IN, ASI COMO ALEACIONES ZN1-XCDXO PARA 0<X< 8,5%, LA EMISION Y LAS POSIBLES FLUCTUACIONES DE COMPOSICION SERAN ESTUDIADAS POR CL, LA NATURALEZA DE LOS FONONES DE LA ALEACION SERA ESTUDIADA MEDIANTE RS, ASI COMO LA DEPENDENCIA DE SU FRECUENCIA CON LA COMPOSICION, QUE PODRA UTILIZARSE POSTERIORMENTE COMO UN METODO RAPIDO DE CARACTERIZACION DE DICHAS ALEACIONES, SE ESTUDIARAN TAMBIEN NWS DE ZNO POR MEDIO DE RS Y CL, ver más
01/01/2010
CSIC
182K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2010-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 182K€
Líder del proyecto
AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Perfil tecnológico TRL 2-3 552M