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MAT2013-47102-C2-1-R

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ALEACIONES EMERGENTES DE NITRUROS DILUIDOS III-V Y NANOESTRUCTURAS DE INGENIERIA...

ALEACIONES EMERGENTES DE NITRUROS DILUIDOS III-V Y NANOESTRUCTURAS DE INGENIERIA RELACIONADAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS Y DE FOTODETECCION DE ALTA EFICIENCIA LAS ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DE GAASSBN SE HAN REVELADO COMO UNO DE LOS MATERIALES MAS PROMETEDORES PARA APLICACIONES FOTONICAS BASADAS EN GAAS, ESTE MATERIAL SE PUEDE CRECER EPITAXIALMENTE AJUSTADO EN RED AL GAAS Y TIENE UNA BA... ver más

01/01/2013

UCA

103K€

Presupuesto del proyecto: 103K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1448

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1448

Presupuesto del proyecto 103K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LAS ALEACIONES SEMICONDUCTORAS DE GAASSBN SE HAN REVELADO COMO UNO DE LOS MATERIALES MAS PROMETEDORES PARA APLICACIONES FOTONICAS BASADAS EN GAAS, ESTE MATERIAL SE PUEDE CRECER EPITAXIALMENTE AJUSTADO EN RED AL GAAS Y TIENE UNA BANDA PROHIBIDA DE ENERGIA MAS PEQUEÑA Y SINTONIZABLE, ADEMAS, AÑADE PARTICULARIDADES ADICIONALES A LAS DE OTROS NITRUROS DILUIDOS COMO EL INGAASN, YA QUE PERMITE EL CONTROL INDEPENDIENTE DE LAS BANDAS DE CONDUCCION Y VALENCIA A TRAVES DEL CONTENIDO DE N Y SB, RESPECTIVAMENTE, POR TANTO, ES UN CANDIDATO IDEAL PARA LA INGENIERIA DE BANDAS Y DE TENSIONES-DEFORMACIONES, EN ESTE PROYECTO SE PROPONE EXPLOTAR LAS PROPIEDADES UNICAS DEL GAASSBN PARA FABRICAR DISPOSITIVOS FOTONICOS DE ALTA EFICIENCIA QUE PODRIAN MEJORAR LA TECNOLOGIA EXISTENTE EN DOS AREAS DE GRAN IMPACTO: CELULAS SOLARES Y COMUNICACIONES OPTICAS EN EL ESPACIO,POR UN LADO, EL SB HA SIDO UTILIZADO RECIENTEMENTE COMO SURFACTANTE EN EL CRECIMIENTO POR EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) DE INGAASN PARA PRODUCIR CAPAS DE 1 EV AJUSTADAS EN RED AL GAAS EN CELULAS MULTI-UNION, PROPORCIONANDO LOS DOS ULTIMOS RECORD CONSECUTIVOS DE EFICIENCIA EN CELULAS SOLARES, EL GRAN NUMERO DE VENTAJAS INHERENTES DEL GAASSBN RESPECTO AL INGAASN DEBERIA PERMITIR MEJORAR SIGNIFICATIVAMENTE ESTOS RESULTADOS, POR OTRO LADO, LA FALTA DE UN MATERIAL ADECUADO PARA PRODUCIR FOTODETECTORES ALTAMENTE EFICIENTES A 1064 NM, ELEMENTO CLAVE EN LA TECNOLOGIA DE PROXIMA GENERACION DE COMUNICACION OPTICA EN EL ESPACIO, TAMBIEN PODRIA CUBRIRSE USANDO GAASSBN, CON NUMEROSAS VENTAJAS RESPECTO AL SISTEMA INGAAS/INP,SE PROPONEN LAS DOS MISMAS APROXIMACIONES PARA AMBAS APLICACIONES, LA PRIMERA ES EL USO DE CAPAS GRUESAS DE GAASSBN AJUSTADAS EN RED AL GAAS PARA ASEGURAR UN ALTO VOLUMEN DE ABSORCION, LA SEGUNDA ES EL USO DE NUEVAS ESTRATEGIAS BASADAS EN NANOESTRUCTURAS CON INGENIERIA DE BANDAS QUE CUBREN DESDE 2D A 0D Y QUE TIENEN VENTAJAS POTENCIALES SOBRE LAS CAPAS GRUESAS, EL CRECIMIENTO DE POZOS/PUNTOS CUANTICOS Y SUPERREDES BASADAS EN GAASSBN MUESTRA UNA GRAN VERSATILIDAD EN EL DISEÑO YA QUE PERMITE SINTONIZAR ALINEAMIENTOS DE BANDA DESDE CONFIGURACIONES DE TIPO I A TIPO II Y COMPENSAR O MODULAR LA TENSION EN LAS NANOESTRUCTURAS EN COMPRESION O TRACCION,SIN EMBARGO, LA OBTENCION DE CAPAS Y NANOESTRUCTURAS DE GAASBN DE ALTA CALIDAD TODAVIA SE ENFRENTA A MUCHOS DESAFIOS IMPORTANTES INHERENTES AL CRECIMIENTO DE LOS NITRUROS DILUIDOS, TALES COMO UNA ALTA DENSIDAD DE DEFECTOS PUNTUALES, SEPARACION DE FASES Y UN DIFICIL CONTROL DE COMPOSICION, SE REQUIERE UN PROFUNDO CONOCIMIENTO DEL MECANISMO DE CRECIMIENTO Y LAS PROPIEDADES DEL MATERIAL A NIVEL MICROSCOPICO ANTES DE QUE EL GAASSBN SE PUEDA APLICAR EN DISPOSITIVOS DE ULTRA-ALTA EFICIENCIA, ESTO SOLO ES POSIBLE A TRAVES DE UN ESTUDIO SISTEMATICO QUE CORRELACIONE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO CON LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, OPTICAS Y ELECTRICAS CARACTERIZADAS POR UNA GRAN VARIEDAD DE TECNICAS AVANZADAS, ESE ES UN PRIMER OBJETIVO DEL PROYECTO, EL OBJETIVO FINAL ES FABRICAR CELULAS FOTOVOLTAICAS DE UNA UNION A 1 EV Y FOTODETECTORES A 1064 NM CON CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES, EL PROYECTO ABARCARA TODA LA CADENA DE CONOCIMIENTO, DESDE EL DISEÑO, CRECIMIENTO POR MBE, CARACTERIZACION EXHAUSTIVA DEL MATERIAL, Y FABRICACION Y EVALUACION DE DISPOSITIVOS, PARA LOGRAR ESTOS OBJETIVOS, LA COORDINACION DE LAS COMPETENCIAS COMPLEMENTARIAS DE LA U, POLITECNICA DE MADRID Y LA U, DE CADIZ ES UNA CLAVE PARA EL EXITO DEL PROYECTO, CELDAS SOLARES DE MULTIUNIÓN 1EV\ FOTODETECTORES A 1064 NM\ COMUNICACIONES ESPACIALES\ AJUSTE RETICULAR\ NANOESTRUCTURAS\ GAASSBN\ INGENIERÍA DE BANDAS\ INGENIERÍA DE TENSIONES\ TEM AVANZADO

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