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PCI2019-103739

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MATERIALES 2D FUNCIONALES Y HETEROESTRUCTURAS PARA DISPOSITIVOS HIBRIDOS ESPINTR...

MATERIALES 2D FUNCIONALES Y HETEROESTRUCTURAS PARA DISPOSITIVOS HIBRIDOS ESPINTRONICOS-MEMRISTIVE LAS MEMORIAS MAGNETICAS (MRAM) Y LOS MEMRISTORES SE ENCUENTRAN ENTRE LAS TECNOLOGIAS MAS PROMETEDORAS PARA EL DESARROLLO DE MEMORIAS NO VOLATILES EMERGENTES, LOS CONCEPTOS DE IMPLEMENTACION DE MRAM SE DESARROLLARON DENTRO DE LA ES... ver más

01/01/2019

FUNDACIO INSTITUT...

125K€

Presupuesto del proyecto: 125K€

Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2019-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

FUNDACIO INSTITUT CATALA DE NANOCIENCIA I NAN... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5 | 25M€

Presupuesto del proyecto 125K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LAS MEMORIAS MAGNETICAS (MRAM) Y LOS MEMRISTORES SE ENCUENTRAN ENTRE LAS TECNOLOGIAS MAS PROMETEDORAS PARA EL DESARROLLO DE MEMORIAS NO VOLATILES EMERGENTES, LOS CONCEPTOS DE IMPLEMENTACION DE MRAM SE DESARROLLARON DENTRO DE LA ESPINTRONICA, QUE UTILIZA EL ESPIN DE ELECTRON (EN LUGAR DE SU CARGA ELECTRICA) PARA TRANSFERIR Y ALMACENAR INFORMACION, EN ESTE PROYECTO, EXPLORAREMOS DISPOSITIVOS HIBRIDOS DE MEMRISTOR ESPINTRONICOS EN HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN GRAFENO QUE COMPRENDEN DICALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION 2D (TMDS) Y MATERIALES MENOS EXPLORADOS DE MONOCALCOGENUROS DEL GRUPO IV (IV-MCS), REALIZAREMOS POR PRIMERA VEZ UNA EVALUACION DEL POTENCIAL DE LOS IV-MC 2D COMO MEMRISTORES E IMPLEMENTAREMOS HETEROESTRUCTURAS BASADAS EN GRAFENO CON UN ALTO ACOPLO ESPIN-ORBITA UTILIZANDO TMD Y IV-MC, CON ESTAS HETEROESTRUCTURAS, SE PRETENDE CONTROLAR LAS PROPIEDADES DEL ESPIN EN GRAFENO MODIFICANDO EL AJUSTE MEMRISTIVO DE LOS CALCOGENUROS, SE REALIZARAN Y CARACTERIZARAN DE TAL MANERA QUE SE GENEREN NUEVOS SISTEMAS MULTIFUNCIONALES 2D PARA APLICACIONES EN MEMORIAS NO VOLATILES DE ALTA CAPACIDAD Y ARQUITECTURAS NEUROMORFICAS DE MUY BAJO CONSUMO ENERGETICO, ESPINTRONICA\MATERIALES 2D FUNCIONALES\MEMRISTIVE

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