Innovating Works

MAT2017-82071-ERC

Financiado
ESPINTRONICA CON MATERIALES BIDIMENSIONALES Y HETEROSTRUCTURAS DE VAN DER WAALS
EL OBJETIVO DE LA ESPINTRONICA ES USAR Y MANIPULAR LA CARGA Y EL ESPIN DEL ELECTRON, SE PREVE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS QUE UTILICEN CORRIENTES DE ESPIN PURAS (FLUJO DIFUSIVO DE ESPINES SIN FLUJO DE CARGA NETA), SIN EMB... EL OBJETIVO DE LA ESPINTRONICA ES USAR Y MANIPULAR LA CARGA Y EL ESPIN DEL ELECTRON, SE PREVE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS QUE UTILICEN CORRIENTES DE ESPIN PURAS (FLUJO DIFUSIVO DE ESPINES SIN FLUJO DE CARGA NETA), SIN EMBARGO, PERSISTEN ALGUNOS OBSTACULOS CLAVE: 1)INYECCION ELECTRICA DE ESPIN INEFICIENTE ENTRE METAL FERROMAGNETICO (FM) Y SEMICONDUCTOR (SC); 2)EL INCONVENIENTE DE USAR CAMPOS MAGNETICOS PARA CONTROLAR LOS FMS; 3)LOS MEJORES MATERIALES PARA EL CONTROL ELECTRICO DEL ESPIN (CON FUERTE ACOPLAMIENTO ESPIN-ORBITA, ASO) SON TAMBIEN PEORES PARA TRANSPORTARLO,CONTROLAR EL ESPIN ES PUES UN RETO Y ESTA PROPUESTA ABORDA ESTOS OBSTACULOS CON UN ENFOQUE RADICALMENTE DISTINTO: MEDIANTE LA INGENIERIA DE HETEROSTRUCTURAS DE CRISTALES ATOMICAMENTE DELGADOS, QUE ESTAN "PEGADOS" POR FUERZAS DEBILES DE VAN DER WAALS (VDW), ELEGIREMOS LAS PROPIEDADES DE ESPIN MAS APROPIADAS EN LA RICA BIBLIOTECA DE MATERIALES 2D Y LAS COMBINAREMOS EN HETEROSTRUCTURAS VDW,LOS RESULTADOS PRELIMINARES DEL IP DEMUESTRAN INYECCION DE ESPIN EN DICALCOGENUROS DE METAL DE TRANSICION (TMD) USANDO GRAFENO, LO QUE PERMITIRA ESTUDIAR LAS PROPIEDADES EXCEPCIONALES DE LOS TMD (OBJETIVO 1), SCS CON UN FUERTE ASO EN EL QUE SE PUEDE LOGRAR TRANSPORTE DE ESPIN LARGO CUANDO SE REDUCE A UNA MONOCAPA DEBIDO A LA ROTURA DE SIMETRIA DE INVERSION, COMO UN CAMPO ELECTRICO EXTERNO TAMBIEN ROMPE ESTA SIMETRIA, FABRICAREMOS DISPOSITIVOS CON VOLTAJE DE PUERTA PARA LOGRAR EL CONTROL ELECTRICO DEL ESPIN EN TMDS (OBJETIVO 2), EXPLORAREMOS BI2SE3 (AISLANTE TOPOLOGICO) COMO UNA ALTERNATIVA A LOS FMS PARA LA INYECCION/DETECCION DE ESPIN, LA INTEGRACION DEL TRANSPORTE DE ESPIN CON EL GRAFENO, LA MANIPULACION DEL ESPIN CON TMDS Y LA INYECCION/DETECCION DE SPIN CON BI2SE3 DARA LUGAR A UN TRANSISTOR DE ESPIN 2D NO MAGNETICO (OBJETIVO 3),EL LOGRO DE ESTOS OBJETIVOS PRETENDE REVELAR NUEVOS FENOMENOS DE ESPIN QUE PODRIAN CONDUCIR A CONOCIMIENTO Y APLICACIONES IMPREVISTAS, UN AVANCE REAL HACIA LOS CIRCUITOS DE ESPIN, ESPINTRÓNICA\TRANSPORTE DE ESPÍN\EFECTO HALL DE ESPÍN\MATERIALES 2D\GRAFENO\DICALCOGENUROS DE METAL DE TRANSICIÓN ver más
01/01/2017
ASOC CIC NANOGUNE
68K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 68K€
Líder del proyecto
ASOC CIC NANOGUNE Actividades auxiliares a la educación asociacion
Perfil tecnológico TRL 4-5 50K