El ataque seco (etching) permite la eliminación selectiva mediante una máscara para producir estructuras 2D o 3D en la fabricación de nanodispositivos, El ejemplo clásico son los pasos de etching usados en la fabricación de CMOS m...
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Financiación
concedida
El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto
el día 2013-01-01
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Descripción del proyecto
El ataque seco (etching) permite la eliminación selectiva mediante una máscara para producir estructuras 2D o 3D en la fabricación de nanodispositivos, El ejemplo clásico son los pasos de etching usados en la fabricación de CMOS monolítico en circuitos integrados con tamaños (feature sizes) en la escala submicrométrica y actualmente en la nanométrica en la tecnología más avanzada, Existen diversas soluciones para el ataque seco, En esta solicitud nos dirigimos al etching por plasma de tipo ICP (Inductively coupled plasma) que permite alcanzar una gran selectividad y elevados factores de forma en el rango nanométrico, siendo, por tanto, la técnica de etching que se ajusta a la funcionalidad de una Sala Limpia de Nanotecnología como la de la USAL, El método ICP permite un procesado más rápido que el RIE, Este procesado rápido es fundamental para evitar daños y modificaciones en la estructura (relajación de strain, electromigración, cambios de perfiles de dopaje, ) durante el ataque de estructuras nanométricas, Se trata de un equipo versatil, que puede utilizarse para varios materiales, y que requiere de una sala blanca de nanoelectrónica para poder aprovechar todo su potencial, Permitirá fabricar y procesar hasta tamaños laterales de 10 nm estructuras de Si y Si/Ge, grafeno y otros nanomateriales de carbono, y semiconductores de los grupos III-V donde nuestros grupos de investigación y empresas lideran proyectos de investigación,