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PCIN-2013-033

Financiado

PLANTA PILOTO DE PRODUCCION DE CO-POLYMEROS PARA AUTOENSAMBLADO

PLACYD SE CENTRA EN LOS RETOS QUE DEBEN ABORDARSE PARA GARANTIZAR EL EXITO DEL DESARROLLO Y LA INTEGRACION DE LA TECNOLOGIA DE LITOGRAFIA POR AUTOENSAMBLAJE DIRIGIDO PARA APOYAR UN PROCESO DE FABRICACION DE ALTO VOLUMEN DE CIRCUIT... ver más

01/01/2013

CSIC

25K€

Presupuesto del proyecto: 25K€

Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA... No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 2-3 | 552M€

Ver Participantes

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01

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Participantes

CSIC

Lider

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Líder del proyecto

AGENCIA ESTATAL CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGA...

TRL 2-3 | 552M€

Presupuesto del proyecto 25K€

Descripción del proyecto PLACYD SE CENTRA EN LOS RETOS QUE DEBEN ABORDARSE PARA GARANTIZAR EL EXITO DEL DESARROLLO Y LA INTEGRACION DE LA TECNOLOGIA DE LITOGRAFIA POR AUTOENSAMBLAJE DIRIGIDO PARA APOYAR UN PROCESO DE FABRICACION DE ALTO VOLUMEN DE CIRCUITOS INTEGRADOS PARA LOS PROXIMOS NODOS TECNOLOGICOS DE DIMENSIONES 1X,PLACYD TIENE COMO OBJETIVO EL DESARROLLO Y LA INDUSTRIALIZACION DE MATERIALES NANOESTRUCTURADOS PARA LA LITOGRAFIA DE SUB-20 NM, JUNTO CON EL ECOSISTEMA NECESARIO (INCLUYENDO METROLOGIA, HERRAMIENTAS DE DISEÑO, PROCESOS DE INTEGRACION) QUE ASEGURE SU ADOPCION POR LA INDUSTRIA, SE CENTRA EN EL DESARROLLO DE UN PROGRAMA QUE ENLAZE LA PRODUCCION DE LOS MATERIALES POLIMERICOS UTILIZADOS PARA LA LITOGRAFIA BASADA EN EL AUTO-ENSAMBLAJE DIRIGIDO (DSA, DIRECTED SELF-ASSEMBLY) CON LA FABRICACION A NIVEL DE OBLEA PARA GENERAR UN PROCESO ROBUSTO QUE PUEDE SER UTILIZADO A NIVEL COMERCIAL, POR PRIMERA VEZ SE INTEGRA EL DESARROLLO DE MATERIAL CON ELEMENTOS CRITICOS TALES COMO DEFECTIBILIDAD PATRON, METROLOGIA, DISEÑO DE CIRCUITOS Y PRESTACIONES DE MODO QUE SE OBTENGA UN PROCESO DE FABRICACION A GRAN ESCALA COMPLETAMENTE DESARROLLADO EN CONSONANCIA CON LOS OBJETIVOS DE ITRS,EL PROYECTO PLACYD PERMITIRA REFORZAR EL LIDERAZGO EUROPEO EN EL CAMPO DE LOS PROCESOS DE LITOGRAFIA AVANZADAS Y NUEVOS MATERIALES PARA LA EXPLOTACION DE LAS INDUSTRIAS EUROPEAS, EL CONSORCIO REUNE A LOS PRINCIPALES ACTORES EUROPEOS EN TODA LA CADENA DE VALOR (PROVEEDORES DE MATERIAL, PROVEEDORES DE EQUIPOS, COMPAÑIAS DE SEMICONDUCTORES, LAS EMPRESAS DE EDA Y LABORATORIOS DE INVESTIGACION) CON EL FIN DE LLEVAR LOS MATERIALES CLAVE, PROCESOS Y HERRAMIENTAS DE DISEÑO PARA LA LITOGRAFIA A LA MADUREZ INDUSTRIAL NECESARIA PARA SU INTRODUCCION EN EL NODO DE 1X NM,DSA DE COPOLIMEROS DE BLOQUE (BCP) SE HA CONVERTIDO EN UNA ALTERNATIVA A LA FOTOLITOGRAFIA UV DE 193 NM POR INMERSION CONVENCIONAL, LOS PROBLEMAS Y RETRASOS QUE LA LITOGRAFIA EUV (ULTRAVIOLETA EXTREMO) ENCUNETRA HA AMENAZADO LA CAPACIDAD DE MINIATURIZACION NECESARIA PARA CONTINUAR CON LA EXTENSION DE LAS TECNOLOGIAS CMOS MAS AVANZADAS, PARA LOS NODOS LOGICOS DE 20 NM Y 14 NM, ES NECESARIO ESTABLECER PROGRAMAS DE LITOGRAFIA COMPLEJOS (POR EJEMPLO, TECNICAS DE MULTI-PATTERNING) PARA EXTENDER LA LITOGRAFIA CONVENCIONAL Y ESTAS TECNICAS COMPLEJAS AFECTARAN DRASTICAMENTE EL COSTE DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS TANTO A TRAVES DEL AUMENTO DEL NUMERO DE PASOS DE LITOGRAFIA Y CONTROL DE PROCESOS INTENSIVOS, UNA SOLUCION LITOGRAFICA UV PARA EL NODO DE 10 NM, TODAVIA NO SE HA DEMOSTRADO, SINO QUE REQUERIRA LA APLICACION Y DESARROLLO DE NUEVAS TECNOLOGIAS Y AJUSTES IMPORTANTES DE INFRAESTRUCTURA QUE IMPLICAN NUMEROSAS CONTRIBUCIONES Y AUMENTAR DRASTICAMENTE LOS COSTES DE FABRICACION, LA LITOGRAFIA POR DSA ES IDENTIFICADA HOY POR LA INDUSTRIA DE LOS SEMICONDUCTORES COMO UNA TECNOLOGIA QUE JUGARA UN PAPEL CLAVE PARA ALCANZAR LOS RESULTADOS Y OBJETIVOS DE COSTES DE LAS FUTURAS SOLUCIONES DE FABRICACION, EL OBJETIVO DEL CONSORCIO PLACYD ES LLEVAR LA TECNOLOGIA DSA A LA MADUREZ Y ENCONTRAR LAS SOLUCIONES MAS FIABLES Y RENTABLES PARA INTRODUCIR DSA LITOGRAFIA EN LA FABRICACION DE IC PROXIMA GENERACION, EL SISTEMA DE BCP PS-B-PMMA ES VISTO COMO EL PRINCIPAL CANDIDATO PARA LA FABRICACION CMOS PERO LOS SISTEMAS MAS AVANZADOS CONOCIDOS, DE ALTO -CHI (ES DECIR, BLOQUES DE ALTA INCOMPATIBILIDAD QUIMICA) TENDRAN QUE SER DESARROLLADOS DE MANERA QUE PERMITAN SU APLICACION EN DIMENSIONES MAS PEQUEÑAS, REQUERIDAS POR EL ITRS,

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