Hola,
¿eres nuevo aquí?

Registrate y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

TEC2017-84378-R

Financiado

FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SEMICONDUCTORES HIPERD...

FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SEMICONDUCTORES HIPERDOPADOS COMPATIBLES CON TECNOLOGIA CMOS EN ESTA PROPUESTA PLANTEAMOS LA INVESTIGACION Y FABRICACION DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO BASADOS EN SI HIPERDOPADO PARA EL RANGO SWIR (SHORT WAVE INFRARED 1-3 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE, Y EN GE HIPERDOPADO PARA EL... ver más

01/01/2017

UCM

231K€

Presupuesto del proyecto: 231K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3274

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01

0% 100%

Participantes

UCM

Lider

Proyectos interesantes

TEC2013-41730-R FABRICACION DE DISPOSITIVOS DETECTORES DE INFRARROJO PROXIMO... 347K€ Cerrado

MAT2008-02350 AJUSTE LOCAL DE PARAMETROS DE RED EN SUBSTRATOS VIRTUALES CO... 61K€ Cerrado

PID2020-117498RB-I00 MEJORA DE LA RESPUESTA DE FOTODETECTORES DE IR BASADOS EN SE... 105K€ Cerrado

PRE2018-083798 FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SE... 93K€ Cerrado

MAT2011-22536 EPITAXIA AVANZADA DE SEMICONDUCTORES III-V PARA DISPOSITIVOS... 70K€ Cerrado

TEC2016-80718-R DISEÑO DE DISPOSITIVOS FOTONICOS INTEGRADOS EN EL INFRARROJO... 184K€ Cerrado

Últimas noticias

29-11-2024: IDAE En las últimas 48 horas el Organismo IDAE ha otorgado 4 concesiones

29-11-2024: ECE En las últimas 48 horas el Organismo ECE ha otorgado 2 concesiones

29-11-2024: CMVAMADRID En las últimas 48 horas el Organismo CMVAMADRID ha otorgado 37 concesiones

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid

Total investigadores 3274

Presupuesto del proyecto 231K€

Descripción del proyecto EN ESTA PROPUESTA PLANTEAMOS LA INVESTIGACION Y FABRICACION DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO BASADOS EN SI HIPERDOPADO PARA EL RANGO SWIR (SHORT WAVE INFRARED 1-3 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE, Y EN GE HIPERDOPADO PARA EL RANGO MWIR (MID WAVE INFRARED 3-5 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURAS CERCANAS A LA AMBIENTE (T>233 K),LA PRINCIPAL MOTIVACION DE AMPLIAR EL RANGO DE DETECCION DEL SI A LA BANDA SWIR RESIDE EN QUE SERIA UNA TECNOLOGIA COMPATIBLE CON LAS RUTAS DE FABRICACION MICROELECTRONICA CMOS, POR LO QUE SE PODRIAN FABRICAR MATRICES DE FOTODETECTORES INTEGRADAS MONOLITICAMENTE CON LA ELECTRONICA DE LECTURA, EN DEFINITIVA, SE PODRIAN FABRICAR CAMARAS DE ALTA DEFINICION DE IR EN UN SOLO CHIP, CON UN COSTE MUY COMPETITIVO, ANALOGAMENTE, AL EXISTIR TECNICAS DE CRECIMIENTO DE GE SOBRE SI QUE TAMBIEN PERMITEN SU INTEGRACION MONOLITICA, EL DESARROLLO DE SENSORES DE GE PARA EL RANGO MWIR ABARATARIA LA FABRICACION DE FOTODETECTORES FRENTE A TECNOLOGIAS BASADAS EN OTROS MATERIALES COMO HGCDTE O INGAAS,POR LO TANTO, EL EXITO DE ESTE PROYECTO CONTRIBUIRA A QUE LA SOCIEDAD PUEDA ACCEDER CON MAYOR FACILIDAD A LA DETECCION IR EN NUMEROSAS APLICACIONES: SISTEMAS DE VIGILANCIA Y RECONOCIMIENTO, FORMACION DE IMAGEN EN 3D BASADA EN LA TECNOLOGIA DE TIEMPO DE VUELO, TECNICAS DE DIAGNOSTICO EN MEDICINA; SENSORES PARA EL CONTROL DE PROCESOS INDUSTRIALES; SENSORES PARA VEHICULOS Y EDIFICIOS INTELIGENTES, ETC, ASIMISMO, PODRIA TENER UN ENORME IMPACTO COMERCIAL EN MERCADOS TAN IMPORTANTES COMO EL DE LOS SMARTPHONES,LA TECNOLOGIA PROPUESTA SE BASA EN HIPERDOPAR EL SI Y EL GE CON ELEMENTOS QUE DAN LUGAR A CENTROS PROFUNDOS CON UNA CONCENTRACION SUFICIENTE COMO PARA FORMAR UNA BANDA DE ESTADOS PERMITIDOS DENTRO DEL GAP, ESTA BANDA PERMITE LA ABSORCION DE FOTONES CON ENERGIAS POR DEBAJO DEL GAP DEL SEMICONDUCTOR HUESPED, EXTENDIENDO POR TANTO SU FOTORRESPUESTA A MAYORES LONGITUDES DE ONDA (RANGO SWIR PARA EL CASO DEL SI Y RANGO MWIR PARA EL CASO DEL GE),EL PROYECTO SE PLANTEA COMO CONTINUACION DEL PROYECTO TEC2013-21730-R (2014-2017) EN EL QUE YA SE HAN FABRICADO LOS PRIMEROS PROTOTIPOS DE MATRICES DE FOTODETECTORES BASADOS EN SI HIPERDOPADO CON RESPONSIVIDAD SIGNIFICATIVA EN EL RANGO SWIR (2×10-4 A/W A 1,5 µM), FRUTO DE ESTOS RESULTADOS, SE HAN ESTABLECIDO COLABORACIONES INTERNACIONALES CON EMPRESAS Y CENTROS DE INVESTIGACION PARA AMPLIAR EL ESTUDIO DE LAS TECNICAS DE HIPERDOPADO DE SI Y GE Y SUS PROPIEDADES DE FOTODETECCION EN EL RANGO IR,EL PROYECTO SE ARTICULA EN DOS LINEAS DE INVESTIGACION, LA PRIMERA CONSISTE EN LA OPTIMIZACION DE LA TECNOLOGIA YA DESARROLLADA POR EL GRUPO INVESTIGADOR BASADA EN SI HIPERDOPADO OBTENIDO MEDIANTE IMLPANTACION IONICA Y PLM (PULSED LASER MELTING), ASI COMO LA EXPLORACION DE LA TECNICA FLA (FLASH LAMP ANNEALING) COMO ALTERNATIVA AL PLM, TAMBIEN SE ESTUDIARA LA INTEGRACION DE LOS PROCESOS DE OBTENCION DEL SI HIPERDOPADO EN RUTAS DE FABRICACION CMOS,LA SEGUNDA LINEA CONSISTE EN LA INVESTIGACION DEL GE HIPERDOPADO, UTILIZANDO LAS MISMAS TECNICAS DE IMPLANTACION IONICA Y PLM O FLA, PARA SU APLICACION EN LA DETECCION EN EL RANGO MWIR, ESTE ES UN CAMPO INEXPLORADO QUE ESTA EMPEZANDO A DESPERTAR EL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA, POR LO QUE LOS RESULTADOS OBTENIDOS TENDRAN UN GRAN IMPACTO CIENTIFICO, APARTE DEL IMPACTO SOCIOECONOMICO YA MENCIONADO, FOTODETECTOR\INFRARROJO\COMPATIBILIDAD CMOS\SILICIO\GERMANIO\HIPERDOPADO

Conecta tu I+D

Entra hoy

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores