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TEC2017-84378-R

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FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SEMICONDUCTORES HIPERD...

FOTODETECTORES PARA INFRARROJO CERCANO Y MEDIO BASADOS EN SEMICONDUCTORES HIPERDOPADOS COMPATIBLES CON TECNOLOGIA CMOS EN ESTA PROPUESTA PLANTEAMOS LA INVESTIGACION Y FABRICACION DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO BASADOS EN SI HIPERDOPADO PARA EL RANGO SWIR (SHORT WAVE INFRARED 1-3 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE, Y EN GE HIPERDOPADO PARA EL... ver más

01/01/2017

UCM

231K€

Presupuesto del proyecto: 231K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCM

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Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 231K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EN ESTA PROPUESTA PLANTEAMOS LA INVESTIGACION Y FABRICACION DE FOTODETECTORES DE INFRARROJO BASADOS EN SI HIPERDOPADO PARA EL RANGO SWIR (SHORT WAVE INFRARED 1-3 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURA AMBIENTE, Y EN GE HIPERDOPADO PARA EL RANGO MWIR (MID WAVE INFRARED 3-5 µM), QUE OPEREN A TEMPERATURAS CERCANAS A LA AMBIENTE (T>233 K),LA PRINCIPAL MOTIVACION DE AMPLIAR EL RANGO DE DETECCION DEL SI A LA BANDA SWIR RESIDE EN QUE SERIA UNA TECNOLOGIA COMPATIBLE CON LAS RUTAS DE FABRICACION MICROELECTRONICA CMOS, POR LO QUE SE PODRIAN FABRICAR MATRICES DE FOTODETECTORES INTEGRADAS MONOLITICAMENTE CON LA ELECTRONICA DE LECTURA, EN DEFINITIVA, SE PODRIAN FABRICAR CAMARAS DE ALTA DEFINICION DE IR EN UN SOLO CHIP, CON UN COSTE MUY COMPETITIVO, ANALOGAMENTE, AL EXISTIR TECNICAS DE CRECIMIENTO DE GE SOBRE SI QUE TAMBIEN PERMITEN SU INTEGRACION MONOLITICA, EL DESARROLLO DE SENSORES DE GE PARA EL RANGO MWIR ABARATARIA LA FABRICACION DE FOTODETECTORES FRENTE A TECNOLOGIAS BASADAS EN OTROS MATERIALES COMO HGCDTE O INGAAS,POR LO TANTO, EL EXITO DE ESTE PROYECTO CONTRIBUIRA A QUE LA SOCIEDAD PUEDA ACCEDER CON MAYOR FACILIDAD A LA DETECCION IR EN NUMEROSAS APLICACIONES: SISTEMAS DE VIGILANCIA Y RECONOCIMIENTO, FORMACION DE IMAGEN EN 3D BASADA EN LA TECNOLOGIA DE TIEMPO DE VUELO, TECNICAS DE DIAGNOSTICO EN MEDICINA; SENSORES PARA EL CONTROL DE PROCESOS INDUSTRIALES; SENSORES PARA VEHICULOS Y EDIFICIOS INTELIGENTES, ETC, ASIMISMO, PODRIA TENER UN ENORME IMPACTO COMERCIAL EN MERCADOS TAN IMPORTANTES COMO EL DE LOS SMARTPHONES,LA TECNOLOGIA PROPUESTA SE BASA EN HIPERDOPAR EL SI Y EL GE CON ELEMENTOS QUE DAN LUGAR A CENTROS PROFUNDOS CON UNA CONCENTRACION SUFICIENTE COMO PARA FORMAR UNA BANDA DE ESTADOS PERMITIDOS DENTRO DEL GAP, ESTA BANDA PERMITE LA ABSORCION DE FOTONES CON ENERGIAS POR DEBAJO DEL GAP DEL SEMICONDUCTOR HUESPED, EXTENDIENDO POR TANTO SU FOTORRESPUESTA A MAYORES LONGITUDES DE ONDA (RANGO SWIR PARA EL CASO DEL SI Y RANGO MWIR PARA EL CASO DEL GE),EL PROYECTO SE PLANTEA COMO CONTINUACION DEL PROYECTO TEC2013-21730-R (2014-2017) EN EL QUE YA SE HAN FABRICADO LOS PRIMEROS PROTOTIPOS DE MATRICES DE FOTODETECTORES BASADOS EN SI HIPERDOPADO CON RESPONSIVIDAD SIGNIFICATIVA EN EL RANGO SWIR (2×10-4 A/W A 1,5 µM), FRUTO DE ESTOS RESULTADOS, SE HAN ESTABLECIDO COLABORACIONES INTERNACIONALES CON EMPRESAS Y CENTROS DE INVESTIGACION PARA AMPLIAR EL ESTUDIO DE LAS TECNICAS DE HIPERDOPADO DE SI Y GE Y SUS PROPIEDADES DE FOTODETECCION EN EL RANGO IR,EL PROYECTO SE ARTICULA EN DOS LINEAS DE INVESTIGACION, LA PRIMERA CONSISTE EN LA OPTIMIZACION DE LA TECNOLOGIA YA DESARROLLADA POR EL GRUPO INVESTIGADOR BASADA EN SI HIPERDOPADO OBTENIDO MEDIANTE IMLPANTACION IONICA Y PLM (PULSED LASER MELTING), ASI COMO LA EXPLORACION DE LA TECNICA FLA (FLASH LAMP ANNEALING) COMO ALTERNATIVA AL PLM, TAMBIEN SE ESTUDIARA LA INTEGRACION DE LOS PROCESOS DE OBTENCION DEL SI HIPERDOPADO EN RUTAS DE FABRICACION CMOS,LA SEGUNDA LINEA CONSISTE EN LA INVESTIGACION DEL GE HIPERDOPADO, UTILIZANDO LAS MISMAS TECNICAS DE IMPLANTACION IONICA Y PLM O FLA, PARA SU APLICACION EN LA DETECCION EN EL RANGO MWIR, ESTE ES UN CAMPO INEXPLORADO QUE ESTA EMPEZANDO A DESPERTAR EL INTERES DE LA COMUNIDAD CIENTIFICA, POR LO QUE LOS RESULTADOS OBTENIDOS TENDRAN UN GRAN IMPACTO CIENTIFICO, APARTE DEL IMPACTO SOCIOECONOMICO YA MENCIONADO, FOTODETECTOR\INFRARROJO\COMPATIBILIDAD CMOS\SILICIO\GERMANIO\HIPERDOPADO

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