Hola,
¿eres nuevo aquí?

Regístrate gratis y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

Tengo cuenta

Regístrate

Ver video

TEC2013-41730-R

Financiado

Cerrado

FABRICACION DE DISPOSITIVOS DETECTORES DE INFRARROJO PROXIMO MEDIANTE SI SUPERSA...

FABRICACION DE DISPOSITIVOS DETECTORES DE INFRARROJO PROXIMO MEDIANTE SI SUPERSATURADO CON METALES DE TRANSICION EL PRESENTE PROYECTO DE I+D TIENE POR OBJETIVO LA OBTENCION Y LA CARACTERIZACION DE DETECTORES DE IR EN LA BANDA 1-3UM BASADOS EN SI SUPERSATURADO CON METALES DE TRANSICION, DADO QUE EL 90% DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA ESTABA... ver más

01/01/2013

UCM

347K€

Presupuesto del proyecto: 347K€

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2013-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

0% 100%

Información adicional privada

No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

Participantes

UCM

Lider

Proyectos interesantes

TEC2017-84378-R

Electronics

Materials Scien...

231K€ Cerrado

PRE2018-083798

Electronics

Applied Physics

93K€ Cerrado

ASTEROID

Electronics

Applied Physics

5M€ Cerrado

TEC2016-80718-R

Electronics

Applied Physics

184K€ Cerrado

BES-2014-067585

Electronics

Materials Scien...

88K€ Cerrado

SMIRP

Electronics

Applied Physics

150K€ Cerrado

Conecta tu I+D

¿Tienes un proyecto y buscas un partner? Gracias a nuestro motor inteligente podemos recomendarte los mejores socios y ponerte en contacto con ellos. Te lo explicamos en este video

Líder del proyecto

Universidad Complutense de Madrid No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3282

Presupuesto del proyecto 347K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto EL PRESENTE PROYECTO DE I+D TIENE POR OBJETIVO LA OBTENCION Y LA CARACTERIZACION DE DETECTORES DE IR EN LA BANDA 1-3UM BASADOS EN SI SUPERSATURADO CON METALES DE TRANSICION, DADO QUE EL 90% DE LA TECNOLOGIA MICROELECTRONICA ESTABASADA EN EL SI, LA TECNOLOGIA PROPUESTA SERA DE FACIL INTEGRACION, DISMINUYENDO ADEMAS EL COSTE FINAL DEL DISPOSITIVO,TANTO LA COMUNIDAD CIENTIFICA COMO LA INDUSTRIA LLEVAN BUSCANDO DESDE HACE MAS DE 20 AÑOS UNA TECNOLOGIA DE DETECTORES DE IR NO REFRIGERADA Y COMPATIBLE CON LA ELECTRONICA CMOS, ESTA TECNOLOGIA TIENE APLICACIONES COMERCIALESEN DIVERSOS AMBITOS: MILITAR, SEGURIDAD, AUTOMOCION, INDUSTRIA O COMUNICACIONES, UNO DE LOS HANDICAPS MAS IMPORTANTES QUE SUFRE LA INDUSTRIA DE LOS DETECTORES DE IR ES EL HECHO DE QUE LA MAYORIA DE LOS MATERIAS FOTOSENSIBLES A LA RADIACION IR NO SON COMPATIBLES CON LAS RUTAS DE FABRICACION MICROELECTRONICA CMOS, TANTO EL INGAAS COMO EL PBSE, PRESENTAN IMPORTANTES PROBLEMAS TECNOLOGICOS AL FABRICARLOS SOBRE SI, OTRA CIRCUNSTANCIA IMPORTANTE A TENER EN CUENTA ES EL DE LA TEMPERATURA DE OPERACION, MUCHOS DE LOS ACTUALES SISTEMAS DETECTORES DE IR HAN DE OPERAR A TEMPERATURAS CRIOGENICAS PARA OBTENER EL MEJOR RENDIMIENTO, ESTO CONLLEVA UN INCREMENTO AUN MAYOR DE LOS COSTES DE FABRICACION ASI COMO UNA MENOR PORTABILIDAD DE LOS DISPOSITIVOS,POR LAS RAZONES COMENTADAS, LA OBTENCION DE UN DISPOSITIVO DETECTOR IR BASADO EN SI Y QUE TRABAJE A TEMPERATURA AMBIENTE SERIA UN HITO MUY IMPORTANTE, DICHO DISPOSITIVO SERIA COMPLETAMENTE COMPATIBLE CON LA RUTA CMOS MICROELECTRONICA, DISMINUYENDO POR TANTO LOS COSTES DE FABRICACION Y ADEMAS SU RANGO SE OPERACION SE EXTENDERIA TAMBIEN AL VISIBLE, EL MAYOR DESAFIO QUE NOS ENCONTRAMOS PARA LOGRAR ESTE RESULTADO ES QUE EL SI NO ES FOTOSENSIBLE ARADIACION DE LONGITUD DE ONDA MAYOR QUE 1,1 μM A TEMPERATURA AMBIENTE, LO CUAL LO HACE INEFICIENTE PARA DETECTAR RADIACION IR, PARA SUPERAR ESTE ESCOLLO, PROPONEMOS LA MODIFICACION DEL SI MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA ALTACONCENTRACION DE METALES DE TRANSICION, QUE GENEREN NIVELES PROFUNDOS DENTRO DEL GAP DEL SEMICONDUCTOR, ESTE PROCESO SE ENMARCA DENTRO DEL DESARROLLO DE LOS MATERIALES DE BANDA INTERMEDIA, LA TEORIA PREDICE QUE UNA VEZ OBTENIDA UNACONCENTRACION DE IMPUREZAS SUPERIOR A UN DETERMINADO LIMITE (LIMITE DE MOTT) SE FORMARA UNA BANDA DE ESTADOS PERMITIDOS EN EL SENO DEL GAP DEL SEMICONDUCTOR, ESTO DARA LUGAR A UN INCREMENTO DE LA ABSORCION PARA LOS FOTONES SUBGAP, HECHO QUE EN EL SI IMPLICARA LA DETECCION DE FOTONES IR,EN LOS ULTIMOS AÑOS, EL GRUPO DE LAMINAS DELGADAS Y MICROELECTRONICA HA DEMOSTRADO QUE LA OBTENCION DE SI SUPERSATURADO PUEDE REALIZARSE MEDIANTE LA COMBINACION DE VARIAS TECNICAS FUERA DEL EQUILIBRIO TERMODINAMICO, PARA INTRODUCIR LA ALTA CONCENTRACION DE METALES DE TRANSICION EN SI SE HARA USO DE LA TECNICA DE IMPLANTACION IONICA, EN LA CUAL EL GRUPO POSEE UNA LARGA EXPERIENCIA, POSTERIORMENTE A LA IMPLANTACION IONICA, Y CON EL FIN DE RECUPERAR LA ESTRUCTURA CRISTALINA DEL MATERIAL SE APLICARAN TRATAMIENTOS TERMICOS (RECOCIDOS TERMICOS RAPIDOS Y PROCESOS LASER DE NANOSEGUNDOS Y ALTA DENSIDAD DE ENERGIA), USANDO SI SUPERSATURADO COMO MATERIAL BASE SE DESARROLLARA UN PROYECTO QUE PRETENDE IR DESDE EL MATERIAL AL DISPOSITIVO, PARTE DEL TRABAJO SE ENCAMINARA A DEFINIR LA MEJOR ESTRATEGIA, DETECTOR FOTORESISTIVO O FOTODIODO, PARA FINALMENTE DISEÑAR Y FABRICAR UNA MATRIZ DE DETECTORES, QUE SERIA UN PROTOTIPO DEMOSTRATIVO TRANSFERIBLE A LA INDUSTRIA INFRARROJO\ TECNOLOGÍA COMPATIBLE CMOS\ SILICIO\ SUPERSATURADO

Conecta tu I+D

Entra hoy

¿Olvidé mi contraseña?

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores