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FIS2017-82415-R

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FISICA DE MOTT PARA NUEVAS APLICACIONES EN COMPUTACION NEUROMORFICA

EL CONSTANTE AUMENTO DEL CONSUMO DE ENERGIA DE LOS ORDENADORES ES UNA LIMITACION CRITICA PARA LA MEJORA FUTURA DE SU RENDIMIENTO ASOCIADA CON EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, LAS TECNOLOGIAS BASADAS EN SEMI... ver más

01/01/2017

UAM

121K€

Presupuesto del proyecto: 121K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3180

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 3180

Presupuesto del proyecto 121K€

Descripción del proyecto EL CONSTANTE AUMENTO DEL CONSUMO DE ENERGIA DE LOS ORDENADORES ES UNA LIMITACION CRITICA PARA LA MEJORA FUTURA DE SU RENDIMIENTO ASOCIADA CON EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS, LAS TECNOLOGIAS BASADAS EN SEMICONDUCTORES HAN ALCANZADO SUS LIMITACIONES INTRINSECAS Y SUPERARLAS EXIGE INNOVACIONES VERDADERAMENTE DISRUPTIVAS, LA COMPUTACION NEUROMORFICA OFRECE UN NUEVO CAMINO HACIA EL DISEÑO DE DISPOSITIVOS LOGICOS Y DE MEMORIA CON MAYOR EFICIENCIA Y BAJO CONSUMO DE ENERGIA, SIN EMBARGO, LAS ARQUITECTURAS UTILIZADAS HASTA AHORA, COMO LA MICROELECTRONICA CMOS CONVENCIONAL, SIGUEN NECESITANDO ENORMES RECURSOS DE SOPORTE FISICO (HARDWARE) QUE LAS HACEN INVIABLES, ESTOS INCONVENIENTES REQUIEREN DESARROLLAR NUEVAS SOLUCIONES TECNICAS Y SISTEMAS CON POCO RUIDO, ALTA LINEALIDAD DE ESCRITURA, OPERACION A BAJA ENERGIA Y ESCALABILIDAD, DESDE HACE TIEMPO EXISTE LA IDEA DE UTILIZAR DISPOSITIVOS BASADOS EN CONMUTACION DE RESISTENCIA, PERO HASTA MUY RECIENTEMENTE NO EXISTIA TAMPOCO NINGUNA SOLUCION TECNICA ADECUADA, EN LOS ULTIMOS MESES SE HA ENCONTRADO QUE EL USO DE UN MECANISMO DE CONMUTACION DE RESISTENCIA BASADO EN LA INTERCALACION DE DOPANTES ION LI EN UN CANAL DE LIXCOO2 OFRECE UNA SOLUCION REALMENTE PROMETEDORA, EL COMPUESTO LIXCOO2 SE HA UTILIZADO AMPLIAMENTE COMO UN MATERIAL DE ALMACENAMIENTO DE CARGA EN BATERIAS, PERO PODRIA CONVERTIRSE PRONTO EN EL MATERIAL CRUCIAL PARA LA CONSTRUCCION DE UN TRANSISTOR SINAPTICO, SIN EMBARGO, AUN QUEDA MUCHO POR HACER PARA ENTENDER LOS MECANISMOS FISICOS QUE GOBIERNAN EL FUNCIONAMIENTO DE LIXCOO2 Y LAS POSIBILIDADES DE MEJORA, EN PARTICULAR, EL COMPORTAMIENTO ELECTRONICO COMPLEJO DE LIXCOO2 ESTA DETERMINADO POR UNA TRANSICION DE MOTT QUE NO SE COMPRENDE BIEN, QUE TRANSFORMA EL COMPUESTO DESDE UNA FASE AISLANTE PROXIMA AL COMPUESTO ESTEQUIOMETRICO LICOO2 EN UN METAL PARA EL COMPUESTO LIXCOO2 PARCIALMENTE DESLITIADO, ESTE PROYECTO SE CENTRA EN LA INVESTIGACION DE LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS Y ESTRUCTURALES DE PELICULAS DELGADAS EPITAXIALES BIEN CARACTERIZADAS DE LIXCOO2 Y DE SISTEMAS MODELO QUE REPRODUCEN SUS PROPIEDADES, UTILIZANDO ESPECTROSCOPIA Y MICROSCOPIA DE FOTOELECTRONES, DIFRACCION DE RAYOS X DE SUPERFICIE Y MICROSCOPIAS DE SONDAS DE BARRIDO, EN PRIMER LUGAR, SE CARACTERIZARAN PELICULAS EPITAXIALES DELGADAS DE LIXCOO2 CRECIDAS EX SITU Y CON UNA AMPLIO RANGO DE CONTENIDO EN LI, CON ENFASIS EN LA COMPRENSION DE SU COMPLEJO COMPORTAMIENTO ELECTRONICO Y DE LOS PARAMETROS ESTRUCTURALES QUE LO DETERMINAN E INCLUYENDO UNA CARACTERIZACION IN SITU DURANTE EL FUNCIONAMIENTO, EN SEGUNDO LUGAR, EL PROCESO DE DESLITIADO, RELACIONADO CON EL DOPAJE POR HUECOS DEL COMPUESTO Y POR TANTO CRUCIAL PARA SU FUNCIONAMIENTO, SE ANALIZARA MEDIANTE EL CRECIMIENTO IN SITU DE LIXCOO2, EN TERCER LUGAR, SE ESTUDIARAN SISTEMAS MODELO ADECUADOS PARA COMPRENDER LOS PROCESOS FISICOS RELEVANTES EN LA TRANSICION DE MOTT INDUCIDA POR EL DOPAJE, EL OBJETIVO FINAL DEL PROYECTO ES LOGRAR UNA MEJOR COMPRENSION DE LOS PROCESOS FISICOS QUE RIGEN EL COMPORTAMIENTO ELECTRONICO DE LIXCOO2 CON EL FIN DE MEJORAR SUS CARACTERISTICAS, FÍSICA DE MOTT\COMPUTACIÓN NEUROMÓRFICA\ESTRUCTURA ELECTRÓNICA\ANÁLISIS DE SUPERFICIES\LICOO2\ELECTRÓNICA BASADA EN ION LI\APLICACIONES DE PELÍCULAS DELGADAS

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