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FLASH

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Far infrared Lasers Assembled using Silicon Heterostructures

The THz part of the electromagnetic spectrum (0.3-10 THz) is currently exploited in commercial security screening systems (weapon detection beneath clothes), medical diagnostics tools (skin and breast cancer, burns, and in ophthal... ver más

31/07/2021

UNIROMA3

3M€

Presupuesto del proyecto: 3M€

Líder del proyecto

UNIVERSITA DEGLI STUDI ROMA TRE No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Ver 6 Participantes

Financiación concedida El organismo H2020 notifico la concesión del proyecto el día 2021-07-31

FETOPEN-01-2016-2017: FET-Open research and innovation ac...

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6 Participantes

UNIROMA3

837.59K€ | Lider

ELIX POLYMERS

175.15K€ | Participante

ETH Zürich

671.58K€ | Participante

UNIVERSITY OF GLASGOW

749.58K€ | Participante

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Duración del proyecto: 47 meses Fecha Inicio: 2017-08-08
Fecha Fin: 2021-07-31

Líder del proyecto

UNIVERSITA DEGLI STUDI ROMA TRE No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

TRL 4-5

Presupuesto del proyecto 3M€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto The THz part of the electromagnetic spectrum (0.3-10 THz) is currently exploited in commercial security screening systems (weapon detection beneath clothes), medical diagnostics tools (skin and breast cancer, burns, and in ophthalmology) and production-line monitoring (non-destructive test in the pharmaceutical industry). Existing sources of THz radiation are still too large and expensive to be a massively deployed in all of the existing and proposed applications, which include large bandwidth wireless communications and the extension of security screening to far-infrared spectroscopic identification of chemicals and explosives up to 10 THz. A lower production cost, a higher level of integration with control electronics, and a broader range of emitted wavelength are all desirable to expand the application of THz radiation. FLASH, will develop a room-temperature THz laser integrated on Si using CMOS technology-compatible processes and materials. The laser, of quantum cascade type, will be assembled using newly developed conduction-band germanium-rich heterostructures. It will leverage on the non-polar nature of silicon and germanium crystal lattices to potentially enabling room temperature operation, and will emit over 1 mW of power in the 1-10 THz range. In perspective, the development of the SiGe heterostructure platform will pave the way towards the new field of nonlinear silicon photonics based on band-structure engineering. The consortium includes EU leaders in silicon chip manufacturing, Si/SiGe/Ge epitaxial material growth, laser and band structure modelling, quantum cascade laser design and terahertz/infrared spectroscopy. The proposed device can provide a step-change in compactness, reduced cost, and functionality of source performance, thus enabling large scale use of terahertz radiation in existing fields of application, and open up new fields of application not yet commercially exploited, such as wireless communication and security imaging.

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