Hola,
¿eres nuevo aquí?

Registrate y conecta tu empresa con financiación pública, partners y proyectos.

TEC2015-65477-R

Financiado

DESARROLLO DE SENSORES DE THZ PARA APLICACIONES DE IMAGEN Y SEGURIDAD

EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ESTÁ LOCALIZADO ENTRE 0,1 Y 10 THZ ENTRE LAS REGIONES DE MICROONDAS - ONDAS MILIMETRICAS (COMUNICACIONES INALAMBRICAS, RADARES, ,,,) Y DE INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO, LAS... ver más

01/01/2015

USAL

139K€

Presupuesto del proyecto: 139K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1147

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2015-01-01

0% 100%

Participantes

USAL

Lider

Proyectos interesantes

TEC2010-15413 DIODOS Y TRANSISTORES AVANZADOS PARA GENERACION, DETECCION Y... 160K€ Cerrado

TEC2009-14525-C02-02 NUEVAS TECNICAS ELECTRONICAS Y OPTICAS PARA EL DESARROLLO Y... 164K€ Cerrado

TEC2009-14525-C02-01 NUEVAS TECNICAS ELECTRONICAS Y OPTICAS PARA EL DESARROLLO DE... 525K€ Cerrado

PDC2023-145856-I00 Microelectrónica, nanotecnología y fotónica 146K€ Cerrado

TEC2015-72110-EXP GENERADOR DE SEÑAL DE TERAHERCIOS BASADO EN GRAFENO 54K€ Cerrado

TEC2012-35797 ESPECTROSCOPIA DE TERAHERCIOS EN FIBRA OPTICA PARA APLICACIO... 74K€ Cerrado

Últimas noticias

30-11-2024: Cataluña Gestión For... Se ha cerrado la línea de ayuda pública: Gestión Forestal Sostenible para Inversiones Forestales Productivas para el organismo:

29-11-2024: IDAE En las últimas 48 horas el Organismo IDAE ha otorgado 4 concesiones

29-11-2024: ECE En las últimas 48 horas el Organismo ECE ha otorgado 2 concesiones

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE SALAMANCA

Total investigadores 1147

Presupuesto del proyecto 139K€

Descripción del proyecto EL RANGO ESPECTRAL DE TERAHERCIOS (THZ) ESTÁ LOCALIZADO ENTRE 0,1 Y 10 THZ ENTRE LAS REGIONES DE MICROONDAS - ONDAS MILIMETRICAS (COMUNICACIONES INALAMBRICAS, RADARES, ,,,) Y DE INFRARROJOS DEL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO, LAS CARACTERISTICAS MÁS ATRACTIVAS DE LA RADIACION THZ DESDE EL PUNTO DE VISTA DE SU APLICACION SON: (I) LA RADIACION THZ ATRAVIESA LA ROPA Y LA MAYORIA DE MATERIALES USADOS EN EMPAQUETAMIENTO COMO PAPEL Y PLASTICO (II) MUCHAS SUBSTANCIAS TIENEN UNA FINGERPRINT (ESPECTRO CARACTERÍSTICO PROPIO O HUELLA) EN EL RANGO DE THZ (III) DEBIDO A SU BAJA ENERGIA FOTÓNICA (CERCA DE UN MILLON DE VECES MENOR QUE LA DE LOS RAYOS X) LA RADIACION THZ ES NO IONIZANTE Y, POR TANTO, NO ES PELIGROSA PARA LOS SERES HUMANOS (IV) LAS TECNICAS COMO LA ESPECTROSCOPIA DE THZ EN EL DOMINIO DEL TIEMPO (THZ-TDS) Y DE IMAGEN EN THZ, Y LA GENERACION DE RADIACION DE THZ DE ALTA POTENCIA USANDO EFECTOS NO-LINEALES SON SUPERIORES A LAS TECNICAS CONVENCIONALES Y PERMITEN ANALIZAR UNA GRAN VARIEDAD DE MATERIALES, ESTAS PROPIEDADES HACEN DE LOS SISTEMAS BASADOS EN LA RADIACION THZ UNA HERRAMIENTA PODEROSA Y PROMETEDORA PARA DIFERENTES TIPOS DE APLICACIONES MANTENIENDO UNA RAZONABLE SEGURIDAD PARA LOS SERES VIVOS,EL PRESENTE PROYECTO DE INVESTIGACION PROPONE DESARROLLAR SENSORES SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES EN MUY ALTAS FRECUENCIAS (ONDAS MILIMETRICAS Y TERAHERCIOS (THZ)), EL DESARROLLO INCLUYE LAS FASES DE MODELIZACION/DISEÑO, FABRICACION Y CARACTERIZACION DE LOS SENSORES, LAS VENTAJAS DE ESTOS SENSORES SON: (I) BAJO COSTE (II) TIEMPO DE RESPUESTA MUY RAPIDA EN COMPARACION A DETECTORES PIROELECTRICOS Y BOLOMETROS (III) OPERACION A TEMPERATURA AMBIENTE E (IV) INTEGRACION EN LA TECNOLOGIA DE SILICIO, ESTOS SENSORES BASAN SU FUNCIONAMIENTO COMO DETECTORES DE THZ EN EL ACOPLAMIENTO ENTRE LOS ELECTRONES EN EL CANAL DE UN FET DE ALTA MOVILIDAD (HEMT/MODFET) Y LA RADIACION ELECTROMAGNETICA RECIBIDA MEDIANTE LA EXCITACION DE ONDAS DE PLASMA (PLASMA WAVES) EN EL CANAL, EN LA PRIMERA PARTE DEL PROYECTO SE ABORDA EL DISEÑO DE ESTOS DISPOSITIVOS, CON UNA DESCRIPCION CORRECTA DEL TRANSPORTE DE CARGA (PARA LO QUE DEBEN USARSE HERRAMIENTAS ADECUADAS) ACOPLADA A LA RESOLUCION DE LAS ECUACIONES DE MAXWELL EN UN VOLUMEN LO SUFICIENTEMENTE AMPLIO, EN TERMINOS ELECTRICOS, ALREDEDOR DEL DISPOSITIVO, ESTO VA MAS ALLA DE LAS TECNICAS DE MODELIZACION CONVENCIONALES DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, PLANTEAMOS EL DESARROLLO Y CARACTERIZACION DE DOS TIPOS DE SENSORES: (I) SENSORES BASADOS EN MATERIALES III-V CON UN DISEÑO DE ASYMETRIC DUAL GRATING-GATE (II) SENSORES BASADOS EN HEMTS Y MODFETS SI/SIGE CON DOS ESTRUCTURAS, UNA DE ANTENA TIPO LOG PERIODIC TOOTH ANTENNA Y LA SEGUNDA DE TIPO SUPERGRATING,EL PRESENTE PROYECTO TRATA DE REDUCIR EL THZ GAP EN DOS ASPECTOS FUNDAMENTALES: MEJORA DE LA MODELIZACION FISICA PARA MEJORAR EL DISEÑO Y FABRICACION DE SENSORES CON UNA SENSIBILIDAD SUPERIOR A LA ACTUAL, CON ESE PROYECTO PENSAMOS LLEGAR A FABRICAR SENSORES DE CARACTERISTICAS COMPETETIVAS EN TERMINOS DE SENSIBILIDAD (RESPONSIVITY) Y DE NEP (POTENCIA EQUIVALENTE DE RUIDO) EN COMPARACION CON LAS TECNOLOGIAS EXISTENTES, NANOTECNOLOGÍA\MONTE CARLO\HYDRODYNAMIC MODEL\TERAHERCIOS\ANTENAS\FDTD\SENSORES

Conecta tu I+D

Entra hoy

Financiación

Empresas

CTIs/Universidades

Proyectos

Investigadores