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TEC2017-84321-C4-2-R

Financiado

FABRICACION, CARACTERIZACION, SIMULACION, MODELADO Y APLICACIONES DE DISPOSITIVO...

FABRICACION, CARACTERIZACION, SIMULACION, MODELADO Y APLICACIONES DE DISPOSITIVOS DE CONMUTACION RESISTIVA. EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES PROPORCIONAR UN CONOCIMIENTO PROFUNDO DE LAS PROPIEDADES DE MATERIALES AVANZADOS, ESPECIFICAMENTE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD, PARA SU APLICACION EN LAS NUEVAS GENERACIONES DE DISPOS... ver más

01/01/2017

UVA

125K€

Presupuesto del proyecto: 125K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 994

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2017-01-01

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Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID

Total investigadores 994

Presupuesto del proyecto 125K€

Descripción del proyecto EL PRINCIPAL OBJETIVO DE ESTE PROYECTO ES PROPORCIONAR UN CONOCIMIENTO PROFUNDO DE LAS PROPIEDADES DE MATERIALES AVANZADOS, ESPECIFICAMENTE DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD, PARA SU APLICACION EN LAS NUEVAS GENERACIONES DE DISPOSITIVOS DE MEMORIA, A PARTIR DE NUESTRA EXPERIENCIA PREVIA EN LA CARACTERIZACION ELECTRICA DE ESTRUCTURAS METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR (MIS) Y METAL-AISLANTE-METAL (MIM) BASADAS EN MATERIALES DE ALTA PERMITIVIDAD TALES COMO HFO2, ZRO2, AL2O3, ETC, QUE YA HAN DEMOSTRADO SU IDONEIDAD EN EL AMBITO DE LAS MEMORIAS DE CONMUTACION RESISTIVA (RRAMS), PROPONEMOS LLEVAR A CABO UN ESTUDIO DE NOVEDOSOS OXIDOS FUNCIONALES, ESTOS MATERIALES SE ESPERA QUE SEAN UTILES NO SOLO PARA MEMORIAS RRAM, SINO TAMBIEN PARA MEMORIAS MULTIFERROICAS, LA BUSQUEDA DE MATERIALES ADECUADOS, ASI COMO EL ESTABLECIMIENTO DE LOS PROCESOS QUIMICOS NECESARIOS PARA FABRICARLOS CON LAS PROPIEDADES REQUERIDAS, CONCENTRAN ACTUALMENTE UNA INTENSA ACTIVIDAD INVESTIGADORA, EXISTE UN INTERES CRECIENTE EN MATERIALES COMPLEJOS CUYOS COMPONENTES INDIVIDUALES PUEDEN APORTAN LAS MEJORES PRESTACIONES ESTRUCTURALES, MECANICAS, OPTICAS O ELECTRONICAS, DE MANERA QUE EL MATERIAL RESULTANTE RESULTE ESPECIALMENTE ADECUADO PARA UNA APLICACION ESPECIFICA, POR EJEMPLO, LAS PELICULAS DE COFE2O4-ZRO2 EXHIBEN POLARIZACION DIELECTRICA, MAGNETIZACION SATURATIVA Y CONMUTACION RESISTIVA, EN LAS INSTALACIONES DE LA UNIVERSIDAD DE TARTU, LOS INVESTIGADORES ESTONIOS QUE FORMAN PARTE DEL EQUIPO DE TRABAJO DE ESTA PROPUESTA, TIENEN CAPACIDAD PARA FABRICAR, POR EJEMPLO, NANOPARTICULAS DE FERRITA DE COBALTO POR EL METODO DE SOL-GEL, QUE A CONTINUACION SON RECUBIERTAS CON UNA CAPA DE OXIDO DE ZIRCONIO DEPOSITADA POR ALD (ATOMIC LAYER DEPOSITION), EN ESTE PROYECTO ABORDAREMOS EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS Y MAGNETICAS DE ESTOS MATERIALES PARA SU APLICACION EN EL AMBITO DE LOS MEMRISTORES Y MEMORIAS MULTIFERROICAS, POR LO QUE NOS PROPONEMOS AMPLIAR EL ESPECTRO DE NUESTRAS TECNICAS DE CARACTERIZACION, ADEMAS DE LA BUSQUEDA DE NUEVOS MATERIALES PARA APLICACIONES DE MEMORIA, ES INTERES PRIMORDIAL DE ESTE PROYECTO LA REALIZACION DE LA CARACTERIZACION ELECTRICA AVANZADA DE OTROS MATERIALES MAS CONOCIDOS Y ESPECIALMENTE RELEVANTES PARA SU APLICACION EN MEMRISTORES, DE HECHO, APROVECHANDO NUESTRA EXPERIENCIA EN EL DESARROLLO Y PUESTA A PUNTO DE TECNICAS ORIGINALES DE CARACTERIZACION ELECTRICA, PROFUNDIZAREMOS EN EL CONOCIMIENTO DE LOS PROCESOS FISICOS INVOLUCRADOS EN EL MECANISMO DE CONMUTACION RESISTIVA, PARA ELLO, PREPARAREMOS LOS MONTAJES EXPERIMENTALES Y LAS NECESARIAS HERRAMIENTAS DE SOFTWARE PARA REGISTRAR LOS LAZOS DE CONMUTACION DE LA SEÑAL DE ADMITANCIA EN LAS MEDICIONES EN PEQUEÑA SEÑAL, INCLUYENDO EL CONTROL DE LOS ESTADOS INTERMEDIOS, HEMOS DE PONER ENFASIS EN EL HECHO DE QUE, HASTA LA FECHA, NO HAY REFERENCIAS EN LA LITERATURA SOBRE ESTE TIPO DE MEDIDAS, Y NUESTROS INICIALES RESULTADOS SON LO SUFICIENTEMENTE PROMETEDORES COMO PARA ANTICIPAR RELEVANTES CONTRIBUCIONES, POR OTRA PARTE, ESTOS ORIGINALES RESULTADOS PODRAN SER EL INPUT PARA EL DESARROLLO DE LAS TAREAS DE MODELADO, SIMULACION Y APLICACIONES NEUROMORFICAS DE NUESTROS SOCIOS EN ESTE PROYECTO COORDINADO, FINALMENTE, EN LO QUE SE REFIERE A LAS APLICACIONES, EN ESTE PROYECTO PRETENDEMOS TAMBIEN PROPONER NUEVAS SOLUCIONES DE DISEÑO PARA RESOLVER LOS PROBLEMAS ESPECIFICOS RELACIONADOS CON EL USO DE LAS MEMORIAS NO VOLATILES COMO MEMORIA PRINCIPAL EN ORDENADORES DE PROPOSITO GENERAL, CONMUTACIÓN RESISTIVA\ALTA PERMITIVIDAD\MIS\MIM\RRAM\MEMRISTOR\NEUROMÓRFICO\DEEP LEARNING\E-HEALTH\AUTOMOCIÓN

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