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TEC2014-52152-C3-3-R

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CARACTERIZACION ELECTRICA DE ESTRUCTURAS MIS Y MIM CON DIELECTRICOS DE ALTA PERM...

CARACTERIZACION ELECTRICA DE ESTRUCTURAS MIS Y MIM CON DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD PARA SU APLICACION EN RRAMS Y MEMRISTORES LAS MEMORIAS DE CONMUTACION RESISTIVA SON LAS CANDIDATAS MAS PROMETEDORAS PARA SUSTITUIR A LAS MEMORIAS FLASH EN EL AMBITO DE LAS MEMORIAS, POR ELLO, EL INTERES CIENTIFICO Y TECNOLOGICO EN ESTOS DISPOSITIVOS HA EXPERIMENTADO UN GR... ver más

01/01/2014

UVA

123K€

Presupuesto del proyecto: 123K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 998

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Características del participante

Este proyecto no cuenta con búsquedas de partenariado abiertas en este momento.

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No hay información privada compartida para este proyecto. Habla con el coordinador.

Participantes

UVA

Lider

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE VALLADOLID No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 998

Presupuesto del proyecto 123K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LAS MEMORIAS DE CONMUTACION RESISTIVA SON LAS CANDIDATAS MAS PROMETEDORAS PARA SUSTITUIR A LAS MEMORIAS FLASH EN EL AMBITO DE LAS MEMORIAS, POR ELLO, EL INTERES CIENTIFICO Y TECNOLOGICO EN ESTOS DISPOSITIVOS HA EXPERIMENTADO UN GRAN CRECIMIENTO EN LOS ULTIMOS AÑOS, AUNQUE LOS FENOMENOS DE CONMUTACION RESISTIVA HAN SIDO OBSERVADOS EN DIVERSAS ESTRUCTURAS METAL-OXIDO-METAL (MIM) Y METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR (MIS), SE PLANTEAN MUCHOS INTERROGANTES ACERCA DEL ORIGEN DE LOS MECANISMOS DE CONDUCCION Y DE LA CONMUTACION RESISTIVA, POR CONSIGUIENTE, ANTES DE ABORDAR EL USO COMERCIAL DE LAS RRAM ES NECESARIO RESOLVER ALGUNOS ASPECTOS FUNDAMENTALES, UNO DE LOS MAS IMPORTANTES ES LA EXISTENCIA DE FLUCTUACIONES EN LOS DIFERENTES ESTADOS RESISTIVOS, RESPONSABLE DE LA VARIABILIDAD ENTRE CICLOS Y ENTRE DISPOSITIVOS, LA VARIABILIDAD AFECTA A PARAMETROS TALES COMO LOS VOLTAJES DE SET Y RESET Y LOS NIVELES DE CORRIENTE, LA COMPRENSION DE LA VARIABILIDAD EN LA CONMUTACION Y SU INFLUENCIA EN LA ROBUSTEZ Y PRESTACIONES DEL DISPOSITIVO ES ESENCIAL PARA CONSEGUIR APLICACIONES INDUSTRIALES DE LAS RRAM, TOMANDO TODO ESTO EN CONSIDERACION, NUESTRA PROPUESTA SE CENTRA EN ALCANZAR UNA VISION MAS PROFUNDA EN LOS ASPECTOS FISICOS Y TECNOLOGICOS DE LAS RRAM: DIFERENTES MATERIALES Y ESTRUCTURAS, VARIABILIDAD, ROBUSTEZ Y OTROS ELEMENTOS DECISIVOS EN LAS PRESTACIONES DEL DISPOSITIVO, PARA LOGRAR ESTE OBJETIVO, HEMOS UNIDO LOS RECURSOS DE TRES GRUPOS DE INVESTIGACION (IMB-CNM, UNIVERSIDAD DE VALLADOLID Y UNIVERSIDAD DE GRANADA) PARA CUBRIR UN AMPLIO ESPECTRO DE TEMATICAS DE INVESTIGACION RELACIONADAS CON LAS RRAM, ABORDAREMOS LOS ASPECTOS DE FABRICACION, UTILIZANDO NUESTRAS INSTALACIONES Y LAS DE NUESTROS COLABORADORES, ASI COMO LA CARACTERIZACION Y LA SIMULACION Y MODELADO ORIENTADOS A LA SIMULACION DEL CIRCUITO, TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA DIGITAL (MEMORIAS) COMO ANALOGICO (MEMRESISTORS), A TRAVES DE ESTOS ULTIMOS DISPOSITIVOS PODREMOS ANALIZAR NUEVOS PARADIGMAS DE DISEÑO DE CIRCUITOS, TALES COMO LAS APLICACIONES BIO-INSPIRADAS Y NEUROMORFICAS, EN ESTE CONTEXTO, NOS BENEFICIAREMOS DE LA SINERGIA CONTENIDA EN ESTA PROPUESTA DE PROYECTO: UN GRUPO CON AMPLIA EXPERIENCIA DEMOSTRADA EN LA FABRICACION Y CARACTERIZACION DE DIELECTRICOS DE ALA PERMITIVIDAD Y DISPOSITIVOS RRAM (IMB); UN GRUPO CON UNA LARGA TRAYECTORIA EN LAS TECNICAS AVANZADAS DE CARACTERIZACION ELECTRICA (UVA); Y UN GRUPO CON UN EXTENSO CONOCIMIENTO EN LA SIMULACION FISICA Y MODELADO COMPACTO INCLUYENDO APLICACIONES DE CIRCUITOS AD HOC DE DIVERSOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS (UGR),DESARROLLAREMOS CONJUNTAMENTE LAS PROPUESTAS DESCRITAS A TRAVES DE LOS SIGUIENTES OBJETIVOS:1, PUESTA A PUNTO DE TECNOLOGIAS DE PROCESO PARA LA FABRICACION DE CELDAS RRAM BASADAS EN ESTRUCTURAS MIS Y MIM CON DIELECTRICOS DE ALTA PERMITIVIDAD,2, ESTUDIO DE LAS CARACTERISTICAS ELECTRICAS Y DE LOS MECANISMOS DE CONMUTACION DE LAS ESTRUCTURAS MIS Y MIS, Y DE SU DEPENDENCIA DEL PROCESO TECNOLOGICO, DE LOS MATERIALES Y DE LAS DIMENSIONES,3, ANALISIS DE LA VARIABILIDAD Y FIABILIDAD DE LA CONMUTACION EN LAS CELDAS RRAM,4, ESTUDIO DE LOS EFECTOS DE LA RADIACION EN LAS PELICULAS DE ALTA PERMITIVIDAD Y SU IMPACTO EN LA CONMUTACION RESISTIVA,5, DESARROLLO DE HERRAMIENTAS DE SIMULACION RRAM,6, MODELADO COMPACTO DE DISPOSITIVOS RRAM Y MEMRESISTORS, CONMUTACIÓN RESISTIVA\ALTA PERMITIVIDAD\MIS\MIM

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