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PID2020-119668GB-I00

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DISPOSITIVOS REPROGRAMABLES DE DOBLE DOPADO PARA APLICACIONES ELECTRONICAS DE BA...

DISPOSITIVOS REPROGRAMABLES DE DOBLE DOPADO PARA APLICACIONES ELECTRONICAS DE BAJA POTENCIA Y APLICACIONES IOT AVANZADAS LOS TRANSISTORES RECONFIGURABLES DE EFECTO CAMPO (RFET) SON DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CUYA POLARIDAD SE PUEDE CAMBIAR IN SITU DE TIPO N(ELECTRONES) A TIPO P (HUECOS), ESTA CLASE DE DISPOSITIVOS PERMITEN EL DESARROLLO DE NUEVAS PUE... ver más

01/01/2020

UGR

79K€

Presupuesto del proyecto: 79K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5512

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2020-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UGR

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE GRANADA No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 5512

Presupuesto del proyecto 79K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto LOS TRANSISTORES RECONFIGURABLES DE EFECTO CAMPO (RFET) SON DISPOSITIVOS ELECTRONICOS CUYA POLARIDAD SE PUEDE CAMBIAR IN SITU DE TIPO N(ELECTRONES) A TIPO P (HUECOS), ESTA CLASE DE DISPOSITIVOS PERMITEN EL DESARROLLO DE NUEVAS PUERTAS LOGICAS PARA REDUCIR EL AREA DE SILICIOUTILIZADA EN IMPLEMENTACIONES DE CIRCUITOS TRADICIONALES, LOS RFETS APROVECHAN LAS UNIONES SCHOTTKY (METAL-SEMICONDUCTOR) EN LA FUENTEY EL DRENADOR PARA LOGRAR LA AMBIPOLARIDAD, TERMINALES DE PUERTA ADICIONALES CONTROLAN DICHA POLARIDAD FAVORECIENDO UN TIPO DE PORTADORCON RESPECTO AL OTRO, AUNQUE EL CONCEPTO DE RFET ES FUNCIONAL EXPERIMENTALMENTE, EL MECANISMO DE INYECCION DEL PORTADOR DOMINANTE,POR EFECTO TUNEL, IMPIDE QUE EL RENDIMIENTO FINAL DESTAQUE Y LIMITA SU USO EN APLICACIONES DE BAJA POTENCIA Y VOLTAJE COMO IOT,R2D2 SE PLANTEA COMO UN PROYECTO A TRES AÑOS PARA DESARROLLAR Y REFINAR UN CONCEPTO INNOVADOR DE DISPOSITIVO RECONFIGURABLE QUE NO SEBASA EN LAS UNIONES METAL-SEMICONDUCTOR, LA IDEA CONSISTE EN REEMPLAZAR DICHOS TERMINALES METALICOS EN LOS RFET (FUENTE Y DRENADOR)POR REGIONES DOBLEMENTE DOPADAS QUE INCLUYEN AMBOS PORTADORES, ES DECIR, REGIONES TIPO N JUNTO A TIPO P, CARACTERISTICA QUE NOMBRA ELDISPOSITIVO PROPUESTO, RFET DE DOBLE DOPADO (DD), LA VENTAJA INMEDIATA DE ESTE ENFOQUE ES QUE LA INYECCION DEL PORTADOR DESEADODESDE LA FUENTE AL CUERPO NO SE BASA EN EL EFECTO TUNEL SINO EN EL MISMO MECANISMO QUE RIGE EN LOS MOSFET TRADICIONALES NO LIMITANDOASI SU RENDIMIENTO, RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE SIMULACION HAN SIDO YA PUBLICADOS (OPEN ACCESS) Y PATENTADOS, PERO LA CONFIRMACION EXPERIMENTAL AUN NO ESTA DISPONIBLE,LA PROPUESTA DEL PROYECTO R2D2 SURGE COMO UNA CONTINUACION NATURAL DE LAS ACTIVIDADES DE INVESTIGACION DE UNO DE LOS IP, EL OBJETIVO FINAL ESDEMOSTRAR EXPERIMENTALMENTE EL CONCEPTO DEL DD RFET CON TECNOLOGIA AVANZADA (28NM FDSOI) MEDIANTE EL DISEÑO DELAYOUTS PROPIOS PARA SU FABRICACION, R2D2 SE DIVIDIRA EN 4 PAQUETES DE TRABAJO: I) GESTION Y DIFUSION DE RESULTADOS; II) SIMULACIONES TCADAVANZADAS, PARA OPTIMIZAR INICIALMENTE EL DISPOSITIVO PROPUESTO Y SU USO DENTRO DE UN CIRCUITO; III) DISEÑO DEL LAYOUT Y POSTERIOR FABRICACIONY III) CARACTERIZACION ELECTRICA PARA VALIDACION DEL CONCEPTO,EL DISEÑO DE LOS DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS BASADOS EN ESTE INNOVADOR CONCEPTO, ASI COMO AQUELLOS DE REFERENCIA PARA COMPARAR, SE VERIFICARA, UNA VEZ REALIZADO EN LA UNIVERSIDAD DE GRANADA, POR EL IMSE-CNM (INSTITUTO DE MICROELECTRONICA DE SEVILLA DEL CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA), LA FABRICACION POR SU PARTE SE REALIZARA MEDIANTE EUROPRACTICE PARA ACCEDER A TECNOLOGIA ELECTRONICA AVANZADA DE STMICROELECTRONICS,LOS RFETS DE DOPADO DOBLE, GRACIAS A SU RENDIMIENTO MEJORADO, ATRAERAN EL FOCO DE ATENCION SOBRE LOS DISPOSITIVOS RECONFIGURABLES Y LOSINNOVADORES CIRCUITOS QUE PUEDEN OBTENERSE MEDIANTE SU USO, DICHOS CONCEPTOS SERAN PROMOVIDOS ENTRE LA INDUSTRIA Y LOS CENTROS DEINVESTIGACION A TRAVES DE PUBLICACIONES EN REVISTAS OPEN ACCESS DE ALTO IMPACTO Y CONFERENCIAS INTERNACIONALES CON PRESENCIA DEEMPRESAS TECNOLOGICAS, R2D2 PERMITIRA A LA COMUNIDAD INVESTIGADORA ANALIZAR MAS EFICIENTEMENTE OTRAS POSIBLES IMPLEMENTACIONES DEDISPOSITIVOS PARA LA CREACION DE FUTUROS CIRCUITOS NANOELECTRONICOS AVANZADOS, ESPECIALMENTE AQUELLOS DE BAJA POTENCIA Y BAJO CONSUMOPARA APLICACIONES EN EL AMBITO DE IOT, MOSFET\CMOS\RECONFIGURABLE\REPROGRAMABLE\SCHOTTKY\RFET\LOGICA\CIRCUITO

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