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TEC2014-54357-C2-2-R

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DISPOSITIVO DE ALTO VOLTAJE PARA ELECTRONICA DE POTENCIA VERDE: RELACION NANOEST...

DISPOSITIVO DE ALTO VOLTAJE PARA ELECTRONICA DE POTENCIA VERDE: RELACION NANOESTRUCTURA-FUNCION HASTA LA FECHA, LOS AVANCES EN ELECTRONICA DE POTENCIA HAN ESTADO LIGADOS A LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BASADOS EN SI, PERMITIENDO ESTOS MEJORAS CONTINUADAS EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA QUE HAN TENIDO ENORME REPERCUSION EN T... ver más

01/01/2014

UCA

151K€

Presupuesto del proyecto: 151K€

Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1449

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2014-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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UCA

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Líder del proyecto

UNIVERSIDAD DE CÁDIZ No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Total investigadores 1449

Presupuesto del proyecto 151K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto HASTA LA FECHA, LOS AVANCES EN ELECTRONICA DE POTENCIA HAN ESTADO LIGADOS A LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BASADOS EN SI, PERMITIENDO ESTOS MEJORAS CONTINUADAS EN LA ELECTRONICA DE POTENCIA QUE HAN TENIDO ENORME REPERCUSION EN TODAS LAS INDUSTRIAS, ESPECIALMENTE EN AQUELLAS RELACIONADAS CON DISTRIBUCION Y TRANSMISION DE ENERGIA A GRAN ESCALA, VISTO LA DEMANDA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA, EL SI ESTA ALCANZANDO SUS LIMITES FISICOS, LO CUAL DEMANDA DESARROLLARSE UNA NUEVA GENERACION DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA BASADOS EN OTROS MATERIALES SEMICONDUCTORES, DESDE ESTE PUNTO DE VISTA, LOS SEMICONDUCTORES DE WBG (WIDE BAND GAP) PODRIAN CLARAMENTE, GRACIAS A SUS PROPIEDADES TERMICAS Y ELECTRICAS, IR MAS ALLA DE LOS LIMITES DE LA TECNOLOGIA DE SI, EL OBJETIVO DEL PROYECTO ES LA CONSECUCION DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA DE ALTO VOLTAJE (> 6KV), LAS MEJORAS QUE SE ESPERAN EN LOS DISPOSITIVOS DE SEMICONDUCTORES DE WBG LLEVARAN A UN MEJOR CONTROL DE LAS INTERCARAS METAL/SEMICONDUCTOR (P,EJ, PARA DIODOS SCHOTTKY) Y METAL/OXIDO/SEMICONDUCTOR (P,EJ, PARA TRANSISTORES MOSFET), ES DECIR PROFUNDIZAR EN LA FISICA DE LOS FENOMENOS DE INTERCARA DE SEMICONDUCTORES WBG, PARA MEJORAR EL FUNCIONAMIENTO DE LAS ESTRUCTURAS, PASO CLAVE DE LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE ALTO VOLTAJE, ASI PUES, NUESTROS ESFUERZOS INVESTIGADORES SE DEDICARAN A SOLVENTAR ESTOS PROBLEMAS EN DISPOSITIVOS TIPO SCHOTTKY Y MOSFET, LOS OBJETIVOS PROPUESTOS LLEVARAN A UNA MEJORA EN LAS PROPIEDADES DE CONDUCCION (MOVILIDAD DEL CANAL) SIN PERDER DE VISTA SOLUCIONAR ASPECTOS DE BLOQUEO PENDIENTES DE ESTRUCTURAS DE SIC O DE DIAMANTE, ASI COMO A AMPLIAR EL ABANICO DE POSIBILIDADES DE USO DE CONTACTOS METAL/SEMICONDUCTOR TALES COMO LOS TIPO SCHOTTKY, PARA ALCANZAR ESTOS OBJETIVOS, ESTE PROYECTO INCLUYE TRES GRUPOS DE INVESTIGACION: EL CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA DE BARCELONA (CNM-CSIC), LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) Y EL INSTITUTO NEEL DE GRENOBLE (IN), EL GRUPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA DEL CNM-CSIC ES MUNDIALMENTE RECONOCIDO COMO EXPERTO EN DISEÑO Y FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA, CON AMPLIA EXPERIENCIA EN LA TECNOLOGIA DE SEMICONDUCTORES (PROCESADO EN SALAS BLANCAS), LOGRANDO DISPOSITIVOS, CON CARACTERISTICAS RECORD DEL ESTADO DEL ARTE A NIVEL MUNDIAL, BASADOS EN SI Y EN SIC, POR SU PARTE, LA UCA CUENTA CON MAS DE 30 AÑOS DE EXPERIENCIA EN CARACTERIZACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES, CON ESPECIAL ENFASIS EN EL ANALISIS DE ESTRUCTURA-DEFECTOS-COMPOSICION MEDIANTE TECNICAS DE MICROSCOPIA TEM/STEM, ASI COMO EN LA CARACTERIZACION FUNCIONAL Y DE DEFECTOS MEDIANTE CL/EBIC, C/V, I/V, Y ESPECTROSCOPIAS FTIR Y RAMAN, AMBOS EQUIPOS CUENTAN CON ACCESO AL EQUIPAMIENTO MAS AVANZADO PARA ABORDAR SUS RESPECTIVAS TAREAS, LOS PRINCIPALES RESULTADOS DEL PROYECTO SE TRADUCIRAN EN NUEVOS CONOCIMIENTOS Y COMPRENSION DEL FENOMENO DE BLOQUEO EN INTERCARAS DE ALTA CALIDAD METAL/DIELECTRICO SOBRE SEMICONDUCTORES DE WBG, EN APORTAR SOLUCIONES TECNOLOGICAS NOVEDOSAS QUE MEJOREN EL FUNCIONAMIENTO DE LOS DISPOSITIVOS BASADOS EN ESTOS SEMICONDUCTORES QUE PERMITA SU APROXIMACION A LOS VALORES TEORICOS, Y EN DESARROLLAR Y FABRICAR DISPOSITIVOS DE SIC Y DE DIAMANTE DE 10KV, ESTOS OBJETIVOS ESTAN EN CONCORDANCIA CON LAS LINEAS DE INVESTIGACION ESTRATEGICAS, TANTO ESPAÑOLAS COMO EUROPEAS, EN RELACION A LA GESTION DE ENERGIA ELECTRICA Y POLITICAS DE AHORRO, CABE DESTACAR QUE DIVERSAS COMPAÑIAS ESPAÑOLAS Y EUROPEAS HAN MOSTRADO UN INTERES DIRECTO EN LOS RESULTADOS DE ESTE PROYECTO, DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS\SIC\DIAMANTE\MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA\PROPIEDADES ELECTRÓNICAS\C/V\I/V

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