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EVALUACION DE DISPOSITIVOS SIC DE ALTO RENDIMIENTO PARA SISTEMAS DE DISTRIBUCION...

EVALUACION DE DISPOSITIVOS SIC DE ALTO RENDIMIENTO PARA SISTEMAS DE DISTRIBUCION DE CC DE ALTA FIABILIDAD EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA, ESPECIALMENTE LOS DE WIDE BAND GAP (WBG), ESTA EN LINEA CON LOSOBJETIVOS DE IMPULSAR LA COMERCIALIZACION VERDE DEL ESPACIO, YA QUE IMPACTA EN MUCHOS ASPECTOS DE LOS... ver más

01/01/2021

70K€

Presupuesto del proyecto: 70K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 70K€

Descripción del proyecto EL DESARROLLO DE NUEVOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA, ESPECIALMENTE LOS DE WIDE BAND GAP (WBG), ESTA EN LINEA CON LOSOBJETIVOS DE IMPULSAR LA COMERCIALIZACION VERDE DEL ESPACIO, YA QUE IMPACTA EN MUCHOS ASPECTOS DE LOS SUBSISTEMAS ELECTRICOS Y, DEHECHO, LA INDUSTRIA ESPACIAL TIENE MUCHO QUE OFRECER EN TERMINOS DE TECNOLOGIAS Y CONOCIMIENTOS PARA APLICACIONES DE PROCESAMIENTO DEENERGIA EN EL AMBITO TERRESTRE. LA DISTRIBUCION Y PROTECCION EN DC EN EXPERIMENTOS CIENTIFICOS CON CONDICIONES DE RADIACION (POR EJEMPLO,CERN), AERONAUTICA, MOVILIDAD ELECTRICA, CENTROS DE DATOS E INFRAESTRUCTURAS TIC Y MICRORREDES SON CLAROS EJEMPLOS DONDE LOS CONCEPTOS YTECNOLOGIAS UTILIZADOS EN LOS SISTEMAS DE ENERGIA ESPACIAL PODRIAN ADAPTARSE DEBIDO A SU ALTA CONFIABILIDAD.EL PRINCIPAL OBJETIVO Y NOVEDAD DE ESTE PROYECTO SE BASA EN DESARROLLAR UNA NUEVA GENERACION DE INTERRUPTORES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA DE 800 V CC DE ALTA CONFIABILIDAD Y LIMITACION DE CORRIENTE BASADOS EN NUEVAS CELDAS DE ENERGIA FABRICADOS CON CARBURO DE SILICIO (SIC). DICHA CELDA DE POTENCIA REPRESENTARA UNA CELDA DE ENERGIA INTELIGENTE Y UNIVERSAL QUE INTEGRARA UN JFET SIC DE 1,5 KV CON MONITOR DE CORRIENTE Y SENSOR DE TEMPERATURA OPTIMIZADO PARA OPERACION LINEAL Y RESISTENCIA DE CONDUCCION REDUCIDA. ADEMAS, SE DESARROLLARA UN DIODO SIC DE 1,5 KV COMO UN DISPOSITIVO COMPLEMENTARIO PARA LA CELDA DE ENERGIA, APORTANDO PROPIEDADES DE REDUNDANCIA. EN ESTE SUBPRODUCTO (UV) SE REALIZARA LA CONCEPCION Y DISEÑO DE LOS TEST ELECTRICOS Y TERMICOS NECESARIOS PARA VALIDAR LOS DISPOSITIVOS DE SIC FABRICADOS (DIODO Y JFET) DE MANERA QUE SE GARANTICE SU FIABILIDAD Y ROBUSTEZ PARA SU UTILIZACION EN LA APLICACION INDUSTRIAL COMO LIMITADO DE CORRIENTE.LAS TEST A DISEÑAR DEBEN CUBRIR LAS ESPECIFICACIONES FIJADAS INICIALMENTE, ABARCANDO LOS SIGUIENTES ASPECTOS:- CARACTERISTICAS ELECTRICAS ESTATICAS.- CARACTERISTICAS DE CONMUTACION.- TEST DE ROBUSTEZ ELECTRICA Y FIABILIDAD - TEST DE ROBUSTEZ ANTE RADIACION ( GAMMA E IONES PESADOS)- TEST ACELERADOS DE VIDA MEDIA.DE MANERA QUE SE IMPLEMENTARAN LOS SETUP NECESARIOS PARA REALIZAR LAS CAMPAÑAS DE TEST SOBRE EL DIODO Y JFET DE SIC FABRICADOS POR EL SUBGROYECTO DEL IMB-CNM. DICHA VALIDACION EXPERIMENTAL SE REALIZARA EN COORDINACION CON LOS RESPONSABLES DEL DISEÑO Y FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (IMB-CNM) ASI CON LOS RESPONSABLES DE LA APLICACION DE DICHOS DISPOSITIVOS EN LOS DOS CONCEPTOS DE SUBSISTIA A IMPLEMENTAR EN LEY SUBPROYECTO DE LA UMH

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