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PCI2021-121970

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VERTICAL GAN ON SILICON: WIDE BAND GAP POWER AT SILICON COST

YESVGAN PRETENDE CREAR UNA NUEVA TECNOLOGIA DE BAJO COSTE BASADA EN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA DESARROLLADOS CON MATERIALES DE BANDA PROHIBIDA ANCHA (WBG). ESTOS TRANSISTORES PERMITIRAN LA REALIZACION DE SISTEMAS ELECTRONICOS D... ver más

01/01/2021

164K€

Presupuesto del proyecto: 164K€

Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Fecha límite participación Sin fecha límite de participación.

Financiación concedida El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01 No tenemos la información de la convocatoria

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Líder del proyecto

UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.

Sin perfil tecnológico

Presupuesto del proyecto 164K€

Fecha límite de participación Sin fecha límite de participación.

Descripción del proyecto YESVGAN PRETENDE CREAR UNA NUEVA TECNOLOGIA DE BAJO COSTE BASADA EN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA DESARROLLADOS CON MATERIALES DE BANDA PROHIBIDA ANCHA (WBG). ESTOS TRANSISTORES PERMITIRAN LA REALIZACION DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE ALTA POTENCIA EFICIENTES CON INNUMERABLES APLICACIONES EN ELECTROMOVILIDAD, ACTUADORES INDUSTRIALES, ENERGIAS RENOVABLES Y CENTROS DE DATOS. HOY EN DIA LA TECNOLOGIA DE ELECCION EN MUCHAS APLICACIONES QUE REQUIEREN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA (600-1200 V) Y ALTA CORRIENTE (~100 A) ES LA DE TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA, BASADA EN SILICIO (IGBT). ESTA ELECCION ES DEBIDA A CONSIDERACIONES DE COSTE DE PRODUCCION, AUN A PESAR DE QUE LA TECNOLOGIA IGBT ES MENOS EFICIENTE EN COMPARACION CON SOLUCIONES BASADAS EN MATERIALES WBG. EL OBJETIVO PRINCIPAL DE YESVGAN ES OBTENER TRANSISTORES VERTICALES DE ALTA POTENCIA BASADOS EN NITRURO DE GALIO (GAN) FABRICADOS SOBRE SUSTRATOS DE BAJO COSTE, COMO PUEDE SER SILICIO. LA CONOCIDA COMO ARQUITECTURA VERTICAL DE MEMBRANA COMBINA EL MEJOR RENDIMIENTO DEL GAN COMO MATERIAL WBG PARA TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA, CON LAS VENTAJAS DE LA ARQUITECTURA VERTICAL EN LO QUE RESPECTA A ROBUSTEZ, PERO A UN PRECIO COMPETITIVO CON LA TECNOLOGIA IGBT DE SILICIO. CON ESTE FIN, EL PROYECTO CUBRE LA CADENA DE VALOR COMPLETA, DESDE EL SUSTRATO, EPITAXIA, PROCESOS TECNOLOGICOS, TECNOLOGIA DE INTERCONEXION, HASTA LA APLICACION EN SISTEMAS ELECTRONICOS RELEVANTES DE ALTA POTENCIA. YESVGAN AGRUPA LAS COMPETENCIAS RELEVANTES A LO LARGO DE TODA LA CADENA DE VALOR EN UN CONSORCIO DE GRANDES COMPAÑIAS, PYMES E INSTITUTOS DE INVESTIGACION DE SIETE PAISES EUROPEOS. RANSISTOR DE ALTA POTENCIA\PROPIEDADES OPTICAS\PROPIEDADES ELECTRICAS\ALGAN\GAN\SEMICONDUCTORES

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