Innovating Works

PCI2021-121970

Financiado
VERTICAL GAN ON SILICON: WIDE BAND GAP POWER AT SILICON COST
YESVGAN PRETENDE CREAR UNA NUEVA TECNOLOGIA DE BAJO COSTE BASADA EN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA DESARROLLADOS CON MATERIALES DE BANDA PROHIBIDA ANCHA (WBG). ESTOS TRANSISTORES PERMITIRAN LA REALIZACION DE SISTEMAS ELECTRONICOS D... YESVGAN PRETENDE CREAR UNA NUEVA TECNOLOGIA DE BAJO COSTE BASADA EN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA DESARROLLADOS CON MATERIALES DE BANDA PROHIBIDA ANCHA (WBG). ESTOS TRANSISTORES PERMITIRAN LA REALIZACION DE SISTEMAS ELECTRONICOS DE ALTA POTENCIA EFICIENTES CON INNUMERABLES APLICACIONES EN ELECTROMOVILIDAD, ACTUADORES INDUSTRIALES, ENERGIAS RENOVABLES Y CENTROS DE DATOS. HOY EN DIA LA TECNOLOGIA DE ELECCION EN MUCHAS APLICACIONES QUE REQUIEREN TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA (600-1200 V) Y ALTA CORRIENTE (~100 A) ES LA DE TRANSISTORES BIPOLARES DE PUERTA AISLADA, BASADA EN SILICIO (IGBT). ESTA ELECCION ES DEBIDA A CONSIDERACIONES DE COSTE DE PRODUCCION, AUN A PESAR DE QUE LA TECNOLOGIA IGBT ES MENOS EFICIENTE EN COMPARACION CON SOLUCIONES BASADAS EN MATERIALES WBG. EL OBJETIVO PRINCIPAL DE YESVGAN ES OBTENER TRANSISTORES VERTICALES DE ALTA POTENCIA BASADOS EN NITRURO DE GALIO (GAN) FABRICADOS SOBRE SUSTRATOS DE BAJO COSTE, COMO PUEDE SER SILICIO. LA CONOCIDA COMO “ARQUITECTURA VERTICAL DE MEMBRANA” COMBINA EL MEJOR RENDIMIENTO DEL GAN COMO MATERIAL WBG PARA TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA, CON LAS VENTAJAS DE LA ARQUITECTURA VERTICAL EN LO QUE RESPECTA A ROBUSTEZ, PERO A UN PRECIO COMPETITIVO CON LA TECNOLOGIA IGBT DE SILICIO. CON ESTE FIN, EL PROYECTO CUBRE LA CADENA DE VALOR COMPLETA, DESDE EL SUSTRATO, EPITAXIA, PROCESOS TECNOLOGICOS, TECNOLOGIA DE INTERCONEXION, HASTA LA APLICACION EN SISTEMAS ELECTRONICOS RELEVANTES DE ALTA POTENCIA. YESVGAN AGRUPA LAS COMPETENCIAS RELEVANTES A LO LARGO DE TODA LA CADENA DE VALOR EN UN CONSORCIO DE GRANDES COMPAÑIAS, PYMES E INSTITUTOS DE INVESTIGACION DE SIETE PAISES EUROPEOS. RANSISTOR DE ALTA POTENCIA\PROPIEDADES OPTICAS\PROPIEDADES ELECTRICAS\ALGAN\GAN\SEMICONDUCTORES ver más
01/01/2021
UV
164K€
Perfil tecnológico estimado

Línea de financiación: concedida

El organismo AGENCIA ESTATAL DE INVESTIGACIÓN notifico la concesión del proyecto el día 2021-01-01
Presupuesto El presupuesto total del proyecto asciende a 164K€
Líder del proyecto
UNIVERSITAT DE VALÈNCIA (ESTUDI GENERAL) No se ha especificado una descripción o un objeto social para esta compañía.
Sin perfil tecnológico