CONFINAMIENTO Y EFECTOS DE SUPERFICIE EN HETEROESTRUCTURAS DE NANOHILOS SEMICOND...
CONFINAMIENTO Y EFECTOS DE SUPERFICIE EN HETEROESTRUCTURAS DE NANOHILOS SEMICONDUCORES AXIALES Y RADIALES: DEL AGREGADO AL NANOHILO INDIVIDUAL
EL PROYECTO ABORDA EL CONFINAMIENTO CUANTICO DE ELECTRONES, FONONES Y FOTONES EN NANOHILOS SEMICONDUCTORES Y EN SUS HETEROESTRUCTURAS AXIALES Y RADIALES, CONSTITUYE, EN PARTE, LA CONTINUACION DE NUESTRO PROYECTO EN VIGOR, BASADO E...
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Descripción del proyecto
EL PROYECTO ABORDA EL CONFINAMIENTO CUANTICO DE ELECTRONES, FONONES Y FOTONES EN NANOHILOS SEMICONDUCTORES Y EN SUS HETEROESTRUCTURAS AXIALES Y RADIALES, CONSTITUYE, EN PARTE, LA CONTINUACION DE NUESTRO PROYECTO EN VIGOR, BASADO EN EL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS Y ELECTRONICAS DE PUNTOS CUANTICOS SEMICONDUCTORES, PERO CON LA VENTAJA DE QUE EL CRECIMIENTO DE NANOCOLUMNAS PERMITE UN CONTROL MAS PRECISO DE LOS PARAMETROS ESTRUCTURALES (CALIDAD CRISTALINA, TAMAÑO, COMPOSICION QUIMICA Y DIRECCION DE CRECIMIENTO) Y LA POSIBILIDAD DE UNA POSTERIOR MANIPULACION DE LAS NANOESTRUCTURAS (MEDIANTE SEPARACION DEL SUSTRATO Y AISLAMIENTO INDIVIDUAL), CONCENTRAREMOS NUESTRO ESTUDIO EN DISTINTOS SEMICONDUCTORES III-V DE INTERES TECNOLOGICO, COMO EL INAS, INP Y LOS NANOHILOS HETEROESTRUCTURADOS DE INAS/INP, ASI COMO LOS BASADOS EN NITRUROS, COMO LOS DE INN, GAN Y LAS HETEROESTRUCTURAS AXIALES O RADIALES DE INGAN/INN Y GAN/ALN, EL PROYECTO CONSTA DE DOS PARTES, LA PRIMERA COMPRENDE EL ESTUDIO DE AGREGADOS DE NANOHILOS, ESTUDIANDOSE LA INFLUENCIA DE LA SUPERFICIE EN SU ESTRUCTURA ELECTRONICA Y CARACTERISTICAS OPTICAS DE EMISION, ASI COMO EL CONFINAMIENTO FONONICO, LA SEGUNDA PARTE ES UNA PROPUESTA MAS AMBICIOSA EN LA QUE ABORDAREMOS EL PROBLEMA DE LA MANIPULACION Y CARACTERIZACION DE NANOHILOS INDIVIDUALES, INCLUYENDO LA INFLUENCIA DEL TAMAÑO EN EL ACOPLAMIENTO ELECTROMAGNETICO, CURVATURA DE LAS BANDAS, EMISION OPTICA Y TRANSPORTE ELECTRICO, NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS\NANOHILOS\HETEROESTRUCTURAS
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